（3）SoC：海外龙头积极拓展算力业务，国内部份公司H1业绩高增

1）境外SoC公司：高通及联发科手机等传统业务承压，增长看点主要来自数据中心业务拓展。高通26Q2收入99.5亿美元同比-4.0%，净利润20.0亿美元同比-24.9%，收入虽然超市场预期，但还是表现下滑，盈利水平继续回落，主要受存储涨价、需求低迷等因素的影响，导致成本端的提升。从下季度指引来看，公司预计下季度展望低于市场预期，手机等终端市场需求仍然偏弱，而存储涨价等因素还将对公司成本带来压力，主要增长看点来自数据中心业务。联发科26Q2收入1522亿新台币同比 1.95%，净利润243亿新台币同比-12.625，智能边缘业务同比增长 26%是核心增长引擎，而手机业务同比下滑约20%，因内存涨价导致客户成本压力，中低端手机需求疲软。从下季度指引来看，联发科也是展望手机等终端市场需求仍然偏弱，增长亮点主要来自于数据中心ASIC业务。

2）境外SoC公司：尽管面临存储涨价压力，传统消费类承压，但AIoT增长趋势继续，部份公司凭借平台化布局与客户生态优势实现收入与利润双高增。在全球存储暴涨与上游原材料价格高企、供应链承压背景下，传统消费类产品严重承压，而AIoT良好增长趋势继续，在此背景下，部份国内SoC公司凭借平台化布局与客户生态优势，预告H1与Q2实现收入与利润双高增，例如已经预告的公司中，瑞芯微预计上半年归母净利润8.5~9.1亿元，同比 60%~71%；晶晨股份预计上半年归母净利润6.08亿元左右，同比 22%；全志科技预计上半年归母净利润4.75~5.15亿元，同比 195%~220%；星宸科技预计上半年归母净利润8.2~9.0亿元，同比 584%~650%。

（4）模拟：国际模拟大厂上修AI业务指引，关注国内受AI拉动显著的公司

国际大厂26Q2数据中心相关业务营收整体环比增长，AI类需求成长趋势乐观，关注下半年价格上扬趋势持续性。根据各公司电话会信息，国际大厂TI/ADI/MPS分别预计26Q3营收环比 8%/ 17%/ 6%，推动TI  26Q3季度增长最大的分别是工业、数据中心和汽车行业，TI部分提价会在Q3显现，并且这一趋势会持续到26Q4。MPS企业数据业务环比增长45%，公司大幅调产能目标至60亿美元以上。

国内模拟公司复苏趋势通道，AI服务器多次电源、光模块等需求爆发领域的提升预计在今年对诸多公司将会有大幅度拉动。根据各公司公告和公众号信息，富满微各产品线毛利率均实现两位数提升，反映终端需求复苏与高毛利产品放量协同发力。雅创电子预计26H1营收60-65亿元，同比增110.75%至128.32%，在全球半导体产业AI算力需求爆发与存储超级周期的双重驱动下，公司紧抓AI、存储市场需求的行业发展契机，持续深化与上游存储、被动器件厂商的战略合作。

思瑞浦2026年股票激励计划业绩目标预计2026年营收同比增长50%。根据思瑞浦公告，思瑞浦发布2026年限制性股票激励计划，授予价格为201.00元/股，拟授予1338500股，占公告时总股本的0.9694%，无预留权益。激励对象共113人，占公司2025年末员工总数877人的12.88%，公司层面考核以2025年营业收入为基数，设置阶梯式增长目标：2026年增长率不低于50%（目标）或40%（触发）；2027年不低于103%或累计253%（目标）；2028年不低于153%或累计506%（目标）。预计总摊销费用1.3亿元，分2026年3258万元、2027年6096万元、2028年2788万元、2029年893万元。

（5）CIS/射频：传统消费类业务普遍承压，AI新业务是结构性看点

1、CIS：消费类业务下游景气度分化，关注光通信等新兴场景爆发机遇。总体看，消费类业务方面，其中手机业务普遍面临逆风；汽车业务受益于智驾渗透和技术升级趋势，业绩仍在上升通道；全景相机、AI眼镜等新兴市场需求景气；此外，大厂积极拓展MicroLED、光模块等光通信新兴领域。豪威集团预计Q2营业收入71.50亿元至75.40亿元，同比变动范围为-4.46%至0.75%，环比增长11.47%至17.55%；毛利率预计为28.70%至29.60%，保持相对稳定；业务增长主要受益于汽车智能驾驶渗透加速，以及全景相机、运动相机等智能终端影像应用市场需求提升；在新业务领域，此外公司积极拓展光通信相关业务。思特威预告中值对应Q2营收24.9亿同比 22.1%环比 17.8%，归母净利2.8亿同比 38.0%环比 19.4%，扣非净利2.6亿同比 23.2%环比 4.1%，主要系三大核心主业收入实现同比增长，与此同时公司加大研发投入的AI智视生态板块也取得了积极进展，核心主业和新兴板块共同发展，成为公司业绩增长的主要动力，同时前瞻布局MicroLed等光通信业务。长光辰芯预告H1收入6.3-6.45亿同比增长约75%-80%、归母净利2.45-2.6亿同比增长190-210%，大幅增长主要是高端工业、锂电池检测及PCB检测等工业成像领域的强劲需求；此外公司未来在半导体领域的增量空间可观。

2、射频：国内市场竞争激烈、需求承压，关注新兴领域延展布局。国内大厂市场仍较竞争激烈，终端手机市场需求承压，建议关注滤波器、L-PAMiD等高端品类的国产替代，关注大厂在光通信、商业航天、AI端侧等新兴领域的产品技术拓展。1）卓胜微：已实现射频前端全品类产品布局，但当前业绩承压，主要受持续重资产投入、固定资产折旧上升、供应链转化周期影响，叠加AI驱动的产业链供给侧需求挤兑、价格波动及行业竞争加剧等综合因素所致。在新业务方面，光通信与射频前端在底层工艺上存在显著同源性，头部光通信厂商的产线架构与公司自建平台具备较高契合度，为技术延伸提供可行性，公司前瞻研发光通信相关产品（如硅光、EML、光电芯片）等。2）唯捷创芯：当前手机市场需求仍存在不确定性，导致当前传统业务业绩承压，公司将依托在无线通信与射频领域的核心竞争力，向6G、卫星通信、UWB等通信及算力高成长性赛道持续延伸布局。

（6）功率半导体：国际大厂AI业务拉动显著，国内功率公司增长趋势明显

国际大厂本季多数上调全年数据中心业务营收指引，2027年AI业务增速将持续。英飞凌/安森美/ST预计26Q3营收分别环比 13%/ 6%/ 6%，英飞凌表示截至6月底积压订单量已经接近300亿欧元，公司将在本财年实现超16亿欧元的AI电源收入（超过此前预期的15亿欧元），公司预计在11月电话会将会上调对2027财年AI数据中心业务25亿欧元以上营收的预期。ST表示公司订单出货比整体接近2:1，公司上调2026年数据中心业务营收至突破10亿美元，预计2027年该业务收入将远超20亿美元。安森美表示2026年人工智能数据中心业务收入将实现翻倍以上增长，2026年预计人工智能数据中心应用领域的碳化硅收入将同比增长近60%，整体订单出货比已连续多个季度显著高于1，且持续走强。

国内功率半导体公司26Q2业务整体保持高速增长，汽车电子、AI电源等领域需求相对旺盛。根据各公司公告，芯联集成2026年上半年实现营收45.62亿元，同比增长30.53%；归母净利润达2.78亿元，同比扭亏增长263.40%，毛利率提升9.17个百分点至12.71%，AI业务营收同比激增84.31%，成为核心增长极，硅光芯片规模化供货、光交换与VCSEL芯片进入小批量交付，AI终端构建完整链路；公司联手地方政府规划投资200亿元建设5万片/月12英寸数模混合产线，全面卡位AI算力与光互连高增长赛道，强化长期技术壁垒与产能自主可控能力。士兰微预计2026年1-6月实现归属于母公司所有者的净利润为5.2亿元左右，同比增加96.05%左右，预计2026年1-6月实现归属于母公司所有者的扣除非经常性损益后的净利润为2.7元左右，同比增加2.78%左右，持续加大对大型白电、汽车、新能源、工业、通讯和算力等高门槛市场的拓展力度。扬杰科技汽车电子业务延续一季度良好发展态势，收入同比增长超100%，SiC业务收入同比增长近翻倍。

2、代工：先进制程需求旺盛，成熟制程需求回暖与涨价逻辑持续兑现

成熟制程供给收缩叠加AI需求外溢，先进制程扩产持续。中国大陆仍是全球成熟制程扩产主力，8英寸海外厂商持续缩减产能，叠加AI服务器带动PMIC、BCD及功率器件需求增长，成熟制程稼动率维持高位、部分厂商启动涨价；同时国产算力芯片加速放量，推动本土先进逻辑产能扩建、工艺迭代及产能爬坡，国内代工景气度有望延续。

台积电26Q2营收及毛利率超预期，指引26Q3营收继续增长。26Q2台积电营收达402亿美元，同比 33.7%/环比 12.0%，位于此前指引上限，主要系先进制程强劲需求拉动；毛利率67.7%，环比 1.5pcts，略高于此前指引，主要得益于成本改善及整体产能利用率小幅提升，部分被海外晶圆厂带来的毛利率稀释所抵消。公司指引26Q3收入446-458亿美元，中值同比 37%/环比 12%，由先进制程持续旺盛的需求及N2制程快速爬坡支撑；毛利率为65%-67%，中值环比-1.7pcts，主要系N2制程快速爬坡预计稀释毛利率约3-4pcts，部分被先进制程需求强劲及持续成本改善所抵消。公司2026年将继续通过制造能力提升、晶圆产出增加以及跨节点产能优化来对冲N2及海外晶圆厂爬坡带来的毛利率压力，汇率波动仍为不可控变量之一。公司预计2026年美元口径营收同比增长略高于40%，并将全年资本开支上调至600-640亿美元，以支持客户未来增长。

GFS数据中心业务强劲增长，硅光子及高性能SiGe产能投资加速。公司26Q2营收17.86亿美元，同比 6%/环比 9%，营收和非IFRS毛利率均超过指引上限；毛利率29.9%，同比 4.7pcts/环比 0.9pct，创二季度历史新高，并提前实现2026年底达到约30%毛利率的目标，主要系制造和技术服务收入结构优化、制造成本结构性改善及产能利用率提高。通信基础设施与数据中心业务26Q2收入同比 62%/环比 20%，占比16%，已连续第七个季度实现同比双位数增长，主要受硅光子及SiGe需求拉动，无线基础设施与存储应用亦实现同比双位数增长。公司将2026年通信基础设施与数据中心业务收入增速预期由此前的30%以上上调至50%-60%。公司预计26Q3营收18.85亿美元（±2500万美元）；毛利率30.5%（±1pct），中值同比提升约4.5pcts。产能布局方面，公司预计2026年净资本开支占营收15%-20%，预计将达到区间上限，主要用于增加产能以满足持续增长的客户需求；其中，公司正提高硅光子能力投资，并扩建佛蒙特州工厂的SiGe产能。

联电26Q2出货量及ASP环比提升，预计2026年价格趋势好于此前预期。公司26Q2营收687.33亿新台币，同比 17.0%/环比 12.6%，主要受通信及消费电子需求强劲、晶圆出货量增长推动；毛利率32.5%，毛利为223.23亿新台币。美元ASP环比增长低个位数，22/28nm收入占比由26Q1的34%提升至37%，继续创历史新高。公司预计26Q3晶圆出货量环比增长高个位数，美元ASP环比保持稳定，毛利率约35%，产能利用率提升至90%以上。公司对全年业务前景保持乐观，预计2026年晶圆出货量同比增长，22/28nm及8英寸业务均有望增加，全年价格趋势将好于此前预期。此外，公司将2026年资本开支预算由15亿美元上调至20亿美元，其中约90%用于12英寸产能、约10%用于8英寸产能。

世界先进26Q2出货量及ASP同步增长，客户价格调整有望继续推动26Q3 ASP提升。26Q2公司营收142.45亿新台币，同比 21.8%/环比 13.7%，主要系晶圆出货量增加及产品平均销售单价上升带动；26Q2公司晶圆出货量为71.3万片8英寸晶圆，同比 13.7%/环比 11.1%；ASP为632.5美元/片（折合8英寸），环比 2.3%；稼动率接近90%，较26Q1进一步提升。公司指引26Q3受电源管理产品晶圆需求持续增长带动，预计晶圆出货量环比增长1%-3%，增幅受部分瓶颈设备产能限制；ASP环比预计增长2%-4%，以指引中位数来看，大部分增幅来自与客户进行的价格调整，产品组合优化亦有一定贡献；稼动率预计维持在约90%或略高于90%的水平，毛利率预计为32.5%-34.5%。2026年公司计划将部分8英寸粗线宽产能升级至细线宽，全年产能预计约330.6万片8英寸晶圆，同比-4%；资本支出预计为600亿-700亿新台币，其中约85%用于VSMC新加坡12英寸厂厂房建设及设备支出，其余15%用于8英寸厂区年度维修、产能优化及设备升级。

安卓手机链代工厂**和**营收同比延续增长，但增速放缓。稳懋6月营收同比 29.55%，同比增速较5月回落；稳懋6月营收同比 16.05%，同比增速继续回落。

中芯国际指引26Q2出货量及ASP明显提升，供不应求产品价格调整效应逐步显现。公司指引26Q2营业收入环比增长14%-16%，毛利率为20%-22%，毛利率指引较上季度提高2pcts，主要系平均销售单价上升。在供不应求的产品类别，公司与客户协商上调定价，涨价效应逐步显现；部分客户顾虑后续外部环境不确定性，继续推高供应链价格并提拉消费IoT产品备货，使得公司在手订单充足。公司预计26Q2出货量和平均销售单价均有明显提升，价格调整效应将在26Q2明显体现，并有望在Q3、Q4继续增加。当前专用存储器产能仍被挤压，NOR Flash、SLC NAND等产品供不应求，公司正稳步增加专用存储器产能占比，同时将产能切换至逻辑、专用存储、电源管理、AFE模拟、高精度ADC及Micro OLED等需求旺盛的平台。

华虹半导体指引26Q2出货量及ASP环比提升，预计2026年晶圆价格继续上涨。公司预计2026年晶圆平均售价提升约10%，年底涨幅或达10%-15%，其中NOR Flash预计提价10%-15%。产能建设方面，Fab9A预计26Q3完成产能爬坡，并于2026年底或2027年初达到满产输出；Fab9B已于3月启动建设，预计26Q4开始设备搬入、2027年开始产出，约1.5-2年完成产能爬坡，项目总投资约60亿美元，资金投入主要集中于2026-2027年，产能以40nm特色工艺为主。并购方面，华虹宏力收购华力微97.4988%股权已获中国证监会同意注册，交易完成后将合计持有华力微100%股权，有助于整合集团12英寸晶圆制造资源并扩大特色工艺产能规模。

3、封测：海外先进封装需求延伸至28年及以后，国内部分厂商新进先进封装领域

日月光加码资本开支产能储备可覆盖至29H1，安靠与英伟达签订长期战略合作协议。根据日月光26Q2业绩会表示，当下最直接的技术方案为面板级封装或CoWoS封装，公司CoWoS业务处于研发推进阶段，今年营收规模预计约3亿新台币，自研面板封装的全自动化产线将于明年一季度投产。本季度整体产能利用率约区间为80%至85%。资本开支方面，公司上调2026年资本开支，分别追加10亿美元用于厂房建设与设备购置，主要系公司预期今年及未来LEAP先进封装服务需求持续旺盛。此次新增的厂房及绝大部分设备资本支出均投向LEAP业务。公司现有在建项目的产能储备可支撑公司运营需求至2028年，甚至可覆盖2029年部分时段。展望2027年，LEAP业务增长势头依旧强劲，公司预计明年实现LEAP营收规模翻倍。安靠26Q2所有终端市场均实现营收环比增长，整体工厂平均产能利用率从50%区间攀升至70%区间。今年公司与台积电签署为期十年的先进封装合作协议，用于扩充先进封装与测试产能，业务覆盖高端晶圆制造、先进封装直至芯片测试全链条。同时与英伟达达成战略合作协议，聚焦先进封装与测试业务，15 亿美元合作款项预计2027年完成收取，协议有效期约5-10年。韩国厂区建设进展顺利，同时公司将韩国的SiP 产能转移至越南，支撑韩国本土计算业务快速扩量。

国内封测公司26年利润端普遍同环比显著攀升，汇成股份开始布局先进封装业务。根据各公司公告，盛合晶微芯粒多芯片集成封装业务为战略核心业务，2.5D技术平台涵盖硅通孔转接板、扇出型重布线层和嵌入式硅桥等各类主流技术方案，已形成全流程 2.5D 的技术体系和量产能力，工艺对标台积电 CoWoS。同时公司推进3DIC的研发及产业化工作，在技术路线上全面涵盖微凸块和混合键合等主流方案。公司东盛合芯三维集成芯片制造（一期）项目近日将开工建设，总投资约100亿元，用于建设3DIC超高密度互联三维多芯片集成封装量产产能，与江阴基地形成技术协同、产能互补格局。长电科技预计26Q2归母净利润4.80-6.60亿元，中值同比 113.48%/环比 96.55%。公司拟在上海临港万祥工业园投资建设高端先进封测工厂，总投资78亿元，项目分两期建设，一期包括厂房建设、装修工程及设备投资，计划2028年下半年完成，二期主要为设备投资扩建产能。CPO方面，公司基于XDFOI平台开发的硅光引擎产品已完成客户样品交付并在客户端通过测试，EIC与PIC堆叠技术已完成储备，量产安排将视客户进度适时推进。通富微电预计26Q2归母净利润12.71-14.71亿元，中值同比 340.84%/环比 316.72%。公司落地总额42.2亿元的定增募资计划，资金投向存储芯片、汽车电子、晶圆级封装、高性能计算及通信四大封测领域的产能提升，建成后年新增存储芯片封测产能84.96万片，新增晶圆级封测产能31.20万片。华天科技预计26Q2归母净利润6.63-7.63亿元，中值同比 214.83%/环比 719.54%，生产规模较上年同期有较大幅度提升。收购华羿微后公司可快速拓展功率器件封装业务，开辟汽车、工业、消费电子等领域的第二增长曲线。同时公司南京先进封测基地二期二阶段开工，建设期2年，达产后预计年封装存储芯片4.3亿只，年收入21.5亿元、净利润1.26亿元。颀中科技以5000万自有资金增资奕成科技，可快速补齐公司在板级系统集成、高密度 RDL、异构集成的技术短板，形成从传统先进封测到板级系统封测的完整能力闭环，提升对 AI、HPC、汽车电子等高毛利领域的覆盖，公司将与奕成科技围绕先进凸块制程、先进玻璃载板等方向开展联合研发。同时为持续提升技术壁垒与市场占有率，夯实本土先进封装核心竞争优势，公司规划总投入24.54亿元建设苏州厂区三期地块项目，同时苏州厂区凸块（Bumping）制程段已正式全面恢复生产。甬矽电子目前二期工厂成熟封装产能稼动率保持高位，晶圆级封装产能稼动率持续爬坡，公司2.5D先进封装正与客户验证中，整体进展顺利。同时公司宣布拟投103亿元建设高端IC封装测试三期项目，项目周期 8 年，重点布局BUMP、2.5D、FC类、WB类等先进封装技术，提高公司在高端芯片封装领域的研发能力及落地产业化能力。伟测科技二季度产能利用率为85%-90%，针对2.5D/3D结构的测试已经有测试方案研发经验和实际产品的量产测试经验，服务客户覆盖AI、HPC等先进封装高需求领域。公司拟发行总额不超20亿元、期限6年的可转债，其中7亿元投向上海总部基地项目，8 亿元投向成都西南总部及研发测试基地，重点购置AI算力芯片、存储芯片、高端CIS芯片的测试机台，把握算力行业机遇进一步提升先进封装与AI算力芯片测试产能。汇成股份先进封装方面，通过控股子公司晶瑞旺向全资子公司郑隆芯创增资6.8亿元，用于支持“HITS先进封装研发产业化项目”，项目投资总额预计不低于75亿元，建设周期42个月，聚焦超窄间距凸块键合、超细线路互连、超大尺寸芯片整合封装等关键先进封装技术研发，未来将面向高端移动终端、AI服务器及边缘AI场景提供封装测试服务，助力公司完善先进封装产业布局。

4、设备、零部件和材料：存储逻辑加速扩产带动板块景气上行，设备材料等订单业绩趋势向好

（1）设备：全球WFE持续扩容，国产替代进入加速期

全球半导体设备市场景气度持续上行，关注卡位良好的设备公司。SEMI上修2026年半导体设备市场规模至1659亿美元，主要受先进逻辑、DRAM、HBM及NAND投资拉动。海外设备厂订单及项目能见度持续提升，EUV、过程控制、刻蚀及先进封装设备需求强劲。展望2026年，国内先进逻辑和存储扩产有望提速，设备技术持续突破，国产化率进入规模化提升阶段，先进存储及先进封装设备公司有望充分受益。

从海外头部半导体厂看，2026年预计逻辑及存储资本开支均会持续增长，数据中心建设带动远期设备空间乐观。

ASML26Q2业绩超预期，上调2026年业绩指引，未来两年EUV及DUV产能持续提升。26Q2公司营收93.27亿欧元，同比 21.3%/环比 6.4%，高于此前指引（84-90亿欧元），其中设备收入65.65亿欧元，同比 17.3%/环比 4.5%，服务收入27.62亿欧元，同比 31.8%/环比 11.0%；毛利率54.0%，同比 0.3pct/环比 1.0pct，高于此前指引（51%-52%），主要系装机管理业务中高毛利组件及额外升级业务贡献。分机台看，26Q2 EUV/ArFi/ArF/KrF/I-line机台分别销售16/23/8/35/9台，环比 0/ 6/ 3/ 5/-2台；EUV机台收入为37.42亿欧元，同比 39.3%/环比-9.7%，占比57%/环比-9pcts，ArFi DUV收入19.04亿欧元，同比-20.9%/环比 31.8%，占比29%/环比 6pcts。公司指引26Q3收入110-120亿欧元，中值同比 53.1%/环比 23.3%，主要系客户需求提升及公司提高设备产出能力；服务收入约29亿欧元，同比 47.8%/环比 5.0%，计算设备销售额81-91亿欧元，中值同比 54.9%/环比 31.0%；毛利率55%-57%，中值同比 4.4pcts/环比 2.0pcts。全年预计总收入为430-450亿欧元，毛利率54%-56%，EUV系统收入预计同比增长超过45%，非EUV系统收入预计同比增长约25%；公司计划2027年将低NA EUV及浸没式DUV产能分别提升约30%，并研究2028年进一步提升约30%产能的方案。

KLA26Q2营收创历史新高，指引2026年下半年及2027年持续增长。公司26Q2营收36.58亿美元，同比 15.2%/环比 7.1%，高于指引中值35.75亿美元，主要受AI基础设施投资加速、先进晶圆代工及逻辑需求保持强劲，以及存储和先进封装过程控制强度提升带动。毛利率62.4%，同比-0.8pct/环比 0.2pct，位于指引区间上沿，主要系服务业务收入结构好于预期及制造规模效应，部分被存储器采购成本上涨和关税压力抵消。公司将2026年全球晶圆设备市场规模（含先进封装）预期由超过1400亿美元上调至1500亿美元左右，较2025年约1200亿美元增长约25%；市场目前普遍预计2027年WFE规模约1900亿美元，对应同比增长约25%。随着长交期零部件供应能力逐步释放，公司预计2026年下半年收入较上半年增长约20%，并在2027年继续实现环比增长。2027年增长动能将覆盖先进逻辑、晶圆代工、传统DRAM、HBM、NAND及先进封装等多个领域；其中2026年先进封装过程控制系统收入预计约11亿美元，同比增长超过70%。

LAM26Q2营收及CSBG收入再创新高，指引26Q3延续强劲增长。公司26Q2营收67.22亿美元，同比 30.0%/环比 15.1%，高于指引中值（66亿美元），连续第四个季度创历史新高，其中设备系统收入42.50亿美元，同比 23.6%/环比 13.9%，CSBG收入24.72亿美元，同比 42.6%/环比 17.1%，连续第三个季度创历史新高；毛利率52.0%，同比 1.7pcts/环比 2.1pcts，超过指引上限，主要受产品定价、运营及规模效率提升和有利产品组合推动。其中中国大陆收入17.48亿美元，同比-3.4%/环比-12.0%，占比26%/环比-8pcts，主要受本土客户需求下降影响；中国台湾地区收入18.15亿美元，同比 84.7%/环比 35.1%，占比27%/环比 4pcts；韩国收入13.44亿美元，同比 18.2%/环比 0.1%，占比20%/环比-3pcts。公司指引26Q3营收77-85亿美元，中值同比 52.1%/环比 20.5%；毛利率51%-53%，中值同比 1.4pcts/环比持平；营业利润率为39.5%，上下浮动1pct。全年来看，2026年全球WFE市场规模预计处于低1500亿美元区间，公司有望连续第三年跑赢WFE市场，Lam可服务市场占WFE的比例正加快向高30%区间提升；2026年公司先进封装业务预计同比增长超过70%，主要受HBM、晶圆代工和逻辑领域2.5D封装及其他先进封装技术需求增长推动。

国内半导体设备景气度持续向上，先进制程与存储产线扩产支撑设备需求，头部公司通过产品放量与产业并购加速平台化布局

中微公司26H1营收持续增长，核心业务与投资收益共同推动利润高增。26H1公司预计实现营收约66.91亿元，同比 34.9%；按26Q1数据测算，26Q2营收约37.76亿元，环比 29.5%。26H1预计实现归母净利润27-29亿元，同比 282.5%-310.8%；扣非归母净利润10-12亿元，同比 85.6%-122.7%；对应26Q2归母净利润约17.70-19.70亿元，扣非归母净利润约5.22-7.22亿元。利润增长主要系营业收入增长带动毛利同比增加约6.82亿元。26H1公司研发投入约20.42亿元，同比 36.9%，占营业收入比例约30.5%。扩产方面，公司临港基地二期、成都高新区基地及广州增城基地项目已启动，未来厂房总面积预计达到85万平方米。其中成都基地总投资约30.5亿元，一期建筑面积约7万平方米，主要用于CVD、ALD等薄膜沉积设备的研发和生产，计划于2027年投入运营。公司以15.76亿元完成收购杭州众硅64.69%股权，杭州众硅成为公司控股子公司。杭州众硅是国内少数掌握12英寸高端CMP设备核心技术并实现量产的企业，本次收购补齐公司CMP湿法设备能力，推动产品布局由刻蚀、薄膜沉积等干法设备向“干法 湿法”平台拓展。

盛美上海26H1营收稳步增长，清洗、电镀及薄膜沉积设备持续取得进展。26H1公司实现营收37.18亿元，同比 13.9%；归母净利润9.89亿元，同比 42.1%；扣非归母净利润5.71亿元，同比-15.3%。按26Q1数据测算，26Q2营收约22.42亿元，环比 51.8%；归母净利润约8.85亿元，环比 748.3%；扣非归母净利润约4.65亿元，环比 338.4%。26H1公司研发投入6.63亿元，同比 21.7%，占营业收入比例17.82%。产品方面，公司高温SPM清洗方案关键技术取得重大突破；ECP设备2000电镀腔完成交付，实现前道铜互连、后道晶圆级封装、3D堆叠及化合物半导体电镀技术覆盖；首台PECVD SiCN设备顺利出机，可用于IC工艺后段及先进封装晶圆级键合。

拓荆科技拟收购无锡尚积100%股权，补齐PVD与刻蚀设备布局。公司拟通过发行股份及支付现金方式购买无锡尚积82.97%股份、上海泰纳微100%股权和无锡宽行100%股权并募集配套资金，交易完成后将直接及间接持有无锡尚积100%股权。无锡尚积主要产品包括PVD、CVD薄膜沉积设备与刻蚀设备，目前以PVD设备为主，产品主要应用于功率半导体、MEMS及射频芯片等领域，干法刻蚀设备正由MEMS向功率器件、射频器件及先进封装领域拓展。若交易顺利完成，公司将补齐PVD薄膜沉积设备产品线，并形成覆盖薄膜沉积、刻蚀、键合及量检测的三维集成设备布局。

（2）零部件：资本开支回暖叠加国产替代，高价值核心零部件持续突破

半导体资本开支回暖叠加先进制程扩产，核心零部件景气度有望持续提升。SEMI预计2026年全球WFE销售额同比增长23.1%达到1439亿美元，AI带动先进逻辑、HBM及存储扩产，高纯、高精度零部件需求同步提升。国产替代有望从传统结构件进一步向匀气盘、加热器、静电卡盘、石英/碳化硅部件、真空泵阀等高价值环节深化。

富创精密：公司预计26Q2预计实现营业收入10.57-14.57亿元，同比增长9.93%-51.52%，环比增长1.42%-39.78%；预计实现归母净利润0.62-0.92亿元，同比增长80.22%-167.34%，环比增长7.09%-58.87%。公司业绩快速修复主要受益于境内外晶圆制造企业持续推进产能建设，带动半导体设备核心零部件需求提升，同时各生产基地产能逐步释放，规模生产推动单位制造成本优化。

公司拟以1.885亿元收购上海日扬65%股权，上海日扬主要布局高精密真空腔体、真空阀等产品，有望与公司现有机械零部件、气体传输及阀门业务形成协同，进一步完善半导体设备核心零部件平台化布局。同时，公司持续推进境内外产能及全球供应链建设，增强海外客户属地化服务与交付能力，提升国际市场竞争力及整体抗风险能力。

新莱应材：公司泛半导体产品覆盖高洁净真空系统AdvanTorr、高纯气体传输系统NanoPure及半导体设备核心精密零部件，其中方新精密主营气体分配盘（Shower Head）和工艺套件（Process Kits），应用于薄膜及刻蚀设备。26Q1泛半导体业务收入及新签订单均保持良好增长，在手订单水平较好，受益国内晶圆厂扩产及供应链国产化，公司预计半导体业务后续季度仍将保持较快增长。

公司持续向半导体设备核心零部件及液冷领域延伸。新莱应材全资子公司方新精密拟投资20亿元建设半导体泛半导体核心零部件项目，主要布局匀气盘、半导体铝腔及精密洗净服务，截至2026年7月项目仍处于前期筹备阶段，尚未进入正式投产阶段。液冷方面，控股子公司菉康普挺主要布局CDU、Manifold及液冷系统集成产品，应用于服务器及数据中心液冷系统；目前产品矩阵持续完善，但业务仍处于市场拓展早期阶段，尚未形成规模收入，后续将持续推进产品适配及客户拓展。

正帆科技：公司完成汉京半导体62.23%股权收购，进一步拓展半导体耗材零部件业务。汉京半导体主要布局高纯石英及碳化硅陶瓷零部件，产品已进入东京电子、日立国际电气等设备厂商供应链；公司持续推进高纯石英扩产及碳化硅陶瓷制品产业化，强化先进制程零部件布局。

公司持续推进电子气体及先进材料产能建设，2025年相关业务收入同比增长约25%。合肥、铜陵、潍坊及丽水等生产基地逐步建成投产，2026年业务重点由产能建设转向客户导入及产能利用率提升；其中铜陵半导体前驱体项目仍处于试生产阶段，后续将推进正式量产及客户验证。

珂玛科技：公司先进材料生产基地已于2025年逐步投入使用，陶瓷加热器完整新产线理论产能提升至接近200片/月；截至2025年末，陶瓷加热器累计生产交付超过1,800支，已供应北方华创、中微公司、拓荆科技等客户。静电卡盘方面，8英寸及12英寸产品均已完成验证并实现小规模量产，12英寸多区加热静电卡盘已交付测试；超高纯碳化硅套件方面，6英寸产品已通过北方华创及Fab端验证并取得批量订单，8英寸产品已通过北方华创验证。2025年末苏州铠欣一期工厂建成投产，进一步布局碳化硅涂层、刻蚀用聚焦环及边缘环等核心零部件。

汉钟精机：公司预计26Q2实现归母净利润1.59亿元，同比增长13.72%，环比增长30.62%。公司持续布局螺杆式、离心式制冷压缩机。真空产品主要应用于光伏和半导体，并向锂电、医药、化工、显示器、LED、光通信等领域拓展；半导体真空泵已获得部分国内芯片制造商认可并开始批量供货，同时配合新客户及新工艺进行测试验证。随着光伏业务在真空泵收入中的占比下降，光伏行业调整对公司真空业务的影响有望逐步减弱。

国内光刻机产业链上市公司主要聚焦光学、工作台、浸液系统和相关零部件，自主可控需求赋能长期成长。国家于2008年启动02专项即“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”专项，以建立自主的高端光刻技术和产业发展能力，聚焦28nm浸没式光刻机和极紫外光刻技术，针对不同细分环节，“02专项”设立了如光源、曝光光学系统、双工作台系统、浸液系统、核心零部件等的子项目。在光刻机项目群中，整机项目由上海微电子承接，各关键系统项目最早由中科院微电子研究所、长春光机所、上海光机所等研究院所承接，并联合清华大学、哈工大、华科、北理工等高校进行攻关。随着国内光刻机整机制程不断推进，关键的光学、工作台、浸液系统等技术均取得突破，国内科研院所、高校纷纷成立产业基地或公司来推动研究成果产业化落地，例如科益虹源背靠中科院微电子所和北京经开区，是“准分子激光器”项目产业化基地；国望光学背靠长春光机所和上海光机所，团队曾承接“高端光刻机曝光光学系统”项目；华卓精科由清华大学朱煜团队成立，实现了“光刻机双工作台系统样机研发”项目产业化；启尔机电前身为浙江大学流体动力与机电系统国家重点实验室启尔团队，由“光刻机浸液系统”项目孵化。考虑到国内光刻机各技术环节逐步突破，关键子系统和核心零部件自主可控需求迫切，我们建议重点关注1）国内光刻机系统厂商如科益虹源、百合光电、日芯光伏、华卓精科、启尔机电（均未上市）等；2）国内上市关键零部件厂商如国望光学、中科科美、光华微电子、禹衡光学、富创得、微松（均未上市）等；3）光刻机配套检测服务等厂商如东方晶源、新凯来（均未上市）等。

（3）材料：下游需求持续回暖叠加高端产品加速放量，国产替代与产能释放共同打开成长空间

材料需求随晶圆厂稼动率及资本开支改善持续回升，AI驱动先进逻辑、HBM/DRAM及NAND扩产，同时制程升级提升单片材料用量及价值量。国产材料正由验证导入逐步转向批量放量和份额提升，头部厂商持续向高端产品、多品类平台及海外市场延伸，中长期成长空间有望进一步打开。

2025年全球硅晶圆出货量恢复增长，AI需求持续驱动行业景气回升。2025年全球硅晶圆出货规模同比增长5.8%，总量达到12973百万平方英寸（MSI），增长势头有望持续至2028年，届时市场出货量或将创下15485百万平方英寸（MSI）的行业新峰值。26Q2全球硅晶圆出货量达到3,573 MSI，同比 7.4%、环比 9.1%。人工智能推动了对先进工艺的大规模投资，进而带动了晶圆需求的增长。

26M6部分硅片厂商月度收入同比有所下滑。26M6环球晶圆实现营收56.24亿新台币，同比-1.6%/环比 16.16%；中美晶6月实现营收77.06亿新台币，同比 7.6%/环比 14.8%。

SUMCO表示，26Q2 300mm硅片出货环比增长，主要受AI相关先进逻辑和存储需求强劲驱动；200mm硅片出货亦实现增长，受AI数据中心相关需求带动。价格方面，长期合约价格维持，现货价格已开始推进提价谈判。展望3Q26，AI驱动的先进逻辑和存储需求预计维持强劲，非先进逻辑随着客户库存去化逐步恢复；200mm硅片虽不同客户和产品需求有所分化，但整体预计逐步复苏，长期合约价格继续维持，现货提价持续推进。

2026年需求端AI仍为核心驱动力，300mm硅片受先进逻辑及存储需求带动持续增长，AI相关半导体需求正由GPU、HBM进一步向CPU、DRAM和NAND扩散；随着客户库存去化，非先进逻辑需求亦逐步恢复。200mm硅片26Q2出货环比增长，受AI数据中心相关需求带动，Q3整体预计延续渐进复苏。供给端，SUMCO将通过现有产线设备升级提升先进制程硅片供给能力。价格端，长期合约价格维持稳定，同时现货价格已启动提价谈判。

神工股份：2026年公司拟通过定增重点扩充12英寸高端刻蚀用硅零部件并布局碳化硅陶瓷零部件；7月进一步公告拟投资约11.30亿元建设硅零部件新品及配套硅材料、集成电路关键材料、封装及微纳光电用硅材料等项目。大直径硅材料受海外需求恢复带动，26Q1开工率及销售额持续提升；8英寸硅片受市场竞争格局改善影响，开工率亦有所提升。

沪硅：截至2025年末，公司上海、太原两地300mm硅片合计产能已达到85万片/月，产能利用率维持较高水平，太原项目仍处于产能爬坡阶段，后续将结合客户认证及订单进展推进设备导入和产能释放。随着客户认证推进，300mm正片导入及销售逐步提升，太原厂正片率有望明显提高；300mm重掺产品已全面推进客户验证，部分验证较早的客户预计2026年进入量产。当前硅片价格已呈现企稳迹象，后续随着产能利用率提升、正片占比提高及产品结构优化，公司盈利能力具备改善空间。

立昂微：公司半导体硅片整体出货规模维持高位，订单需求旺盛，其中8英寸重掺杂外延片订单表现较好，外延片行业景气度持续向好。公司6英寸衬底及抛光片月产能达到75万片，绝大部分进一步加工为6英寸外延片出货。先进制程方面，嘉兴基地定位28nm及以下12英寸轻掺抛光片，并配套布局轻掺外延片，目前公司已实现28nm逻辑芯片用硅片批量供货，产品结构持续向高规格产品升级。

电子特气价格持平，小部分稀有气及工业气体价格波动

26M7硅烷、氨气、氯气、溴化氢、三氟化氮等电子特气价格持平；高纯氦气价格下降，高纯氙气、高纯氪气、高纯氖气等电子稀有气体价格不变；工业气体中，液氩价格上涨，液氧、液氮、二氧化碳价格下降。中东冲突持续扰动全球氦气供应，叠加出口限制，全球供给维持偏紧。氦气凭借化学惰性与高导热性，在芯片制造、低温冷却等环节具有重要作用，暂无成熟替代方案。卡塔尔氦气产量约占全球1/3，Ras Laffan相关能源设施受损后，伴生氦供应受到影响，霍尔木兹海峡航运仍未完全恢复；同时俄罗斯限制氦气出口、中国实施临时出口管制，进一步压缩全球供应弹性。供应链机构警示，供应持续不足将直接拖累芯片生产，影响高算力场景稳定运行，企业库存与回收仅能部分对冲，危机程度取决于冲突持续时间，产业链短期承压趋势明确

掩模版公司产品结构持续升级，整体景气度较为旺盛

半导体掩模版持续向先进节点升级，新增产能及高价值产品逐步放量。

按市值排序，①路维光电持续推进高端显示及半导体掩膜版产能建设，路芯一期已实现90nm及以上成套掩膜版供货，40nm、28nm单片产品完成验证并供货，二期进一步向14nm节点布局。随着制程节点持续微缩，单套掩膜版数量及关键层价值量同步提升；同时先进封装、存储3D堆叠及硅光/CPO等新应用扩张，有望进一步增加掩膜版用量并推动产品结构向高价值量升级。公司已布局先进封装、硅光等应用，并计划通过路芯二期及厦门项目持续扩充高端产能，未来随着客户验证推进及新增产能释放，半导体掩膜版收入占比及盈利贡献有望进一步提升。

②清溢光电半导体掩膜版方面，公司已实现180nm节点规模化量产、150nm节点小批量量产，持续推进130nm-40nm PSM及OPC工艺掩膜版研发，并启动28nm节点工艺开发规划。佛山生产基地高端设备已全部到位并投入使用，其中高精度平板显示掩膜版一期处于产能爬坡阶段，佛山清溢微一期即将投入使用，高端显示及半导体掩膜版产能逐步释放。

③龙图光罩珠海高端半导体芯片掩模版制造基地项目已于2026年6月正式结项，目前持续推进产能爬坡及高端产品放量。公司半导体掩模版工艺能力已由130nm提升至65nm，并完成40nm节点生产设备布局，当前重点推动90nm产品上量以及65nm/55nm产品验证和小批量供货。珠海二期40nm-28nm半导体掩模版生产线项目总投资约19.54亿元，完全达产后预计新增年产能1.5万片；目前主体厂房已封顶，处于洁净室装修及设备选型采购阶段，进一步完善高端制程产品布局。

光刻胶海外高端供给收紧与国产替代加速共振

全球半导体光刻胶市场集中度较高，日本厂商占全球市场约70%-80%，其中信越化学、东京应化、JSR、富士电子材料四家企业占全球高端光刻胶产量约75%，在EUV光刻胶领域接近垄断；国内高端KrF、ArF光刻胶国产化率仍处较低水平。国内光刻胶产业化进程明显加快：南大光电已有6款ArF光刻胶通过客户验证；上海新阳多款光刻胶实现批量销售，2025年光刻胶销售规模同比增长30%以上，ArF浸没式产品已取得销售订单；晶瑞电材2025年KrF光刻胶销量及销售额同比增长均超过70%，ArF已向多家客户批量供应。随着AI带动先进逻辑和存储扩产、制程复杂度及光刻次数提升，高性能光刻材料需求持续增长；叠加供应链安全诉求和国内晶圆厂验证导入提速，国产光刻胶正由产品突破逐步转向批量供货和份额提升阶段。SEMI数据显示，2025年包括光刻胶、掩膜版及配套材料在内的光刻相关材料实现双位数增长。

26M7部分湿电子化学品价格上涨

根据百川盈孚，26M7电子级氢氟酸、电子级盐酸价格上涨，电子级硫酸、电子级硝酸、电子级氨水、电子级双氧水、电子级显影液、电子级蚀刻液、电子级氟化铵、电子级异丙醇价格均保持稳定。

① 上海新阳晶圆制造用电镀液、清洗液、蚀刻液等核心产品持续放量，并加快光刻胶、CMP等高端材料产业化。产能方面，合肥一期及扩产项目已建成3.3万吨并进入试生产阶段，松江本部5万吨项目按计划建设，公司预计2026年底有效产能达到6万吨；上海化学工业区3.05万吨项目尚未正式开工。光刻胶方面，KrF厚膜产品已通过客户认证并取得订单，ArF干法产线已投入运行，ArF浸没式持续推进验证及产业化，EUV仍处研发阶段。

② 兴福电子电子级磷酸等核心产品需求保持旺盛，3万吨/年电子级磷酸项目已建成投产，2万吨/年电子级氨水联产1万吨/年电子级氨气项目已建成并进入试运行；新建4万吨/年电子级磷酸项目加快推进，预计2026年内投产。上海兴福4万吨/年超高纯电子化学品项目一期已于7月投产，进一步扩充电子级硫酸及功能湿电子化学品产能。产品端，高选择性蚀刻液已实现上线验证及小批量供应，并持续围绕先进存储需求推进新品开发。

靶材突破产能平衡有望加速放量

江丰电子已完成向特定对象发行，募集资金净额约19.05亿元，重点投向年产5100个静电吸盘、年产12300个超高纯金属溅射靶材及研发中心等项目。目前黄湖靶材智能工厂厂房已建成、部分车间完成交付，智能仓储及柔性自动化单元线等核心模块完成单体测试；韩国先进制程靶材基地主体工程已投入建设，静电吸盘及脆性材料项目持续推进建设和扩产，进一步完善先进制程靶材全球化及半导体核心零部件布局。

CMP材料受益于下游扩产及国产替代

安集科技产能进入持续释放阶段，上海金桥、宁波北仑扩建项目有序推进，多条新产线已投产，上海化工区制造基地主体建筑已封顶，后续将根据客户扩产及订单需求滚动推进产能爬坡。国内晶圆厂稼动率提升、新建产线导入以及国产替代深化持续带来材料增量，其中先进制程电镀液等环节国产化程度仍较低，公司相关产品已进入量产销售，后续客户覆盖及应用范围有望持续扩大。同时，公司加快研磨颗粒自主可控及中国台湾、新加坡等海外市场布局，部分自产磨料已通过客户验证并实现量产，海外项目验证亦取得阶段性进展，中长期增长驱动有望由国内替代进一步向新品放量及海外客户拓展延伸。

封装材料批量供货持续推进，产品系列不断丰富

① 艾森股份持续聚焦“电镀液 光刻胶”双核心赛道。晶圆制造领域，大马士革电镀铜添加剂和超纯硫酸钴已在主流晶圆厂实现小批量量产供货；先进封装领域，公司产品覆盖RDL、Bumping、TSV等关键工艺，低温PSPI已取得客户订单，可用于RDL绝缘层。公司先进封装光刻胶重点推进在2.5D/3D封装中的规模化应用，晶圆制造光刻胶则面向存储、逻辑、功率器件等场景逐步进入研发或验证阶段。

② 德邦科技存储领域，公司固晶系列及导热系列产品已实现批量应用，其中固晶胶已稳定批量供货、DAF固晶膜实现小批量出货，高导热界面材料已批量应用并配套海外客户。先进封装方面，公司DAF/CDAF膜、Underfill、Lid框胶及TIM1等产品可应用于Flip Chip、WLP、SiP及2.5D/3D等封装工艺，其中DAF/CDAF膜、Underfill、Lid框胶已实现小批量交付，TIM1已通过国内某重要封测客户全套可靠性验证，TIM1.5及TIM2已批量出货。同时公司产品已批量应用于PCB及数据中心GPU、CPU等芯片封装环节，适配玻璃基板封装的相关产品仍处于客户设计磨合及送样验证阶段。

5、EDA：概伦电子股票激励计划2026年营收目标同比 50%

概伦电子发布2026年限制性股票激励计划，本计划拟授予540.00万股第二类限制性股票，占董事会召开日总股本43,657.88万股的1.24%，其中首次授予432.00万股（80%），预留108.00万股（20%）。授予价格为22.80元/股，公司层面以2025年营业收入为基数，设定2026–2029年四个归属期的营收增长率目标值（Am）分别为50%、110%、150%、200%，触发值（An）为40%、80%、100%、125%。首次授予432万股预计总摊销费用5,697.27万元，2026–2030年分别摊销973万、2,464万、1321、692万、248万元。

四、行业政策、动态及重要公司公告

1、产业政策

2、行业动态

AI

Anthropic正式启动自研AI芯片布局，正在组建芯片设计团队，为Claude开发定制化AI加速芯片，并采用硬件与模型协同设计（co-design）方式提升推理效率和规模化部署能力。公司最新招聘职位要求候选人具备芯片设计定案及量产出货经验，年薪区间为32万-48.5万美元，Anthropic发言人随后确认芯片团队正在筹建。当前Anthropic仍将维持多芯片供应策略，继续使用英伟达、AMD GPU以及AWS、Google定制ASIC，自研芯片主要用于降低持续增长的算力采购成本、提升Claude软硬件协同效率并减少对外部供应商的依赖。随着AI模型训练及推理需求快速增长，Google、亚马逊、Meta、微软等科技厂商均已布局自研ASIC，博通、Marvell、联发科等芯片设计服务商则成为重要合作伙伴；报道还称Anthropic此前曾与三星就潜在AI芯片代工展开合作讨论。Anthropic加入自研芯片阵营，意味着大模型厂商的竞争正进一步从模型层延伸至底层算力基础设施，定制ASIC及相关芯片设计、先进制程和先进封装产业链有望持续受益。（芯智讯）

据路透社援引知情人士报道，美国联邦通信委员会（FCC）正起草新规，拟禁止美国实体进口中国生产的新型数据中心光模块，相关措施最快可能于2026年内发布并生效，但目前方案仍处于制定阶段，存在修改或搁置可能。若禁令落地，或直接影响中际旭创等中国高速光模块厂商在美国市场的供应，其中Counterpoint Research数据显示，中际旭创全球数据中心光模块市场份额约27%，且约90%收入来自中国以外；与此同时，AWS等美国云厂商可能需要转向Coherent、Lumentum等非中国供应商，但后者在产能规模和交付能力上短期仍难完全替代中国厂商。当前AI数据中心建设带动800G、1.6T等高速光模块需求快速增长，中国厂商在成本、产能、良率和客户认证方面已形成较强竞争优势，因此若美国实施限制，短期可能抬升北美云厂商采购成本并扰动AI基础设施扩张节奏。需要注意的是，国内头部光模块厂商近年来已持续推进泰国等海外产能布局，部分企业亦开始布局美国本土产能，若最终政策重点针对“中国生产”而非“中国企业”，海外产能有望在一定程度上缓解影响，但供应链合规和产地调整仍将成为行业后续重要变量。（芯智讯）

华为昇腾950超节点（Atlas 950 SuperPoD）在WAIC 2026首次公开展示真机，采用1024卡超节点架构，主要面向超大规模数据中心、万亿级大模型训练及高并发推理场景。根据现场及报道信息，单颗昇腾950系列芯片可提供约1PFLOPS FP8、2PFLOPS FP4算力，并支持FP32、FP16、BF16、FP8、MXFP8、HiF8、MXFP4、HiF4等多种数据格式；1024卡超节点整体可提供约1EFLOPS FP8、2EFLOPS FP4算力，具备256TB全局统一内存编址空间，NPU互联带宽达到TB级、RTT时延约3μs，通过灵衢互联协议实现跨物理节点统一内存编址和资源调度，重点解决超大模型训练与Agentic AI推理中的通信和内存瓶颈。华为同时展示Atlas 850E风冷超节点，可在传统风冷IDC中直接部署，单节点最高扩展至96卡，支持4.0TB/s内存带宽及10ms级低时延推理。生态方面，华为已完成CANN及Mind系列基础软件开源，目前CANN社区上线67个项目、开源代码超过1244万行，月活开发者超过3500人；此前昇腾384超节点已商用落地750余套，并联合3000多家合作伙伴形成7000多套行业解决方案。昇腾950超节点进一步体现华为通过“芯片 高速互联 统一内存 基础软件”系统级路线提升国产AI算力集群竞争力，但具体采用昇腾950PR还是后续950DT版本，目前公开报道仍存在不同说法，最终硬件规格仍需以华为正式产品资料为准。（芯智讯）

存储

SK海力士宣布投资54.3万亿韩元（约合人民币2600亿元）在韩国龙仁和清州新建两座晶圆厂，以应对AI时代DRAM、NAND及HBM需求持续增长。其中，龙仁Y2晶圆厂投资35.2万亿韩元，总建筑面积约113万平方米，计划2027年7月开工、2029年6月启用首个无尘室，主要生产HBM等新一代DRAM产品，并作为龙仁半导体集群四座晶圆厂规划中的第二座工厂；目前Y1晶圆厂正在建设，预计2027年2月启用首座无尘室，整个龙仁集群建设周期已由原计划2045年提前至2033年完成。清州M17晶圆厂投资19.1万亿韩元，总建筑面积约68万平方米，计划2027年2月动工、2028年12月启用首个无尘室，将作为新的NAND Flash生产基地，与现有M11、M12、M15产线形成协同。Omdia预计2025-2030年DRAM和NAND Flash市场需求年均增速将达到19%，SK海力士认为AI正推动存储从通用零部件升级为决定系统性能的核心基础设施，因此提前建设产能，并根据客户中长期需求分阶段进行无尘室扩建和设备投入。此前公司已提出向龙仁半导体集群投资600万亿韩元、向清州基地投资100万亿韩元，本轮Y2和M17项目进一步明确了新增产能落地节奏，也反映头部存储厂商正在围绕HBM、先进DRAM及NAND加快中长期资本开支布局。（芯智讯）

南亚科技董事会通过5A晶圆厂建设计划，最高投资上限达3466亿新台币（约107.3亿美元），为公司历史最大单笔投资，也属于中国台湾近20年来规模最大的DRAM单项扩产项目之一。5A厂将分四年分阶段建设，第一阶段规划月产能3.59万片，并导入EUV光刻设备，作为下一代先进DRAM制程生产基地，后续将陆续导入1B、1C、1D及1E等10nm级制程；项目计划2027年下半年开始晶圆生产，2028年月产能达到3万片，2029年进一步提升至3.59万片。为配合新厂建设，南亚科技同时将2026年资本支出预算上限由520亿新台币上调至697亿新台币，增加177亿新台币、增幅约34%，主要用于10nm制程技术、5A新厂、研发及设备预付款。当前AI需求持续拉动DRAM行业景气和先进制程投资，南亚科技此次大规模扩产显示存储行业资本开支正由三星、SK海力士、美光等头部厂商进一步向二线DRAM厂商扩散；随着EUV和1B-1E制程逐步导入，公司有望提升先进DRAM产能和成本竞争力，但新产能主要集中在2027-2029年释放，届时行业供需和价格周期仍将影响项目实际盈利表现。（芯智讯）

SK海力士与闪迪正式发布首个高带宽闪存（HBF）标准，谷歌、Tenstorrent等厂商参与生态建设，标志着HBF从概念路线向接口与系统规范阶段推进。HBF定位于HBM与SSD之间的新型存储层，采用宽I/O NAND架构，在接近HBM读取带宽的同时显著提升容量，主要面向大模型推理、多LLM服务、MoE及KV Cache等高容量、高带宽场景。首版规范覆盖最高512GB容量，支持8层和16层NAND堆叠，带宽分为三级，约0.4TB/s至3.0TB/s；每颗HBF最多支持16个独立主机通道，并通过UCIe 3.0与GPU、CPU、TPU等xPU互连，其中单个UCIe x64模块在32GT/s下可提供256GB/s带宽。HBF通过基片、NAND核心芯片及TSV组成，每个通道独立访问对应NAND资源，并采用AXI over UCIe协议降低传输开销，同时支持ECC、磨损均衡、数据刷新、SRAM暂存区以及IEEE 1500/JTAG等测试调试机制。相比HBM，HBF利用NAND实现更高容量和更低单位容量成本，但仍存在写入耐久性、刷新管理和访问延迟等限制，因此更适合作为HBM容量扩展层而非完全替代HBM。随着AI推理阶段模型权重、KV Cache和多模型并发带来的存储需求快速增长，HBF有望在HBM与SSD之间形成新的高带宽大容量存储层，并推动NAND进一步切入AI服务器高价值存储市场。（半导体行业观察）

代工

据报道，特斯拉与SpaceX已启动德克萨斯州Terafab大型半导体制造园区建设，首期计划投资168亿美元（约合人民币1133亿元），项目最终规划面积约1亿平方英尺，目标为特斯拉、SpaceX及xAI的大规模AI计算需求提供芯片制造能力，并覆盖光刻、制造、先进封装及测试等环节，以提升半导体供应链垂直整合程度；双方预计未来芯片年需求对应的AI算力规模将超过1TW。与此同时，特斯拉近期为Terafab招聘存储器工艺集成工程师，岗位职责涉及20nm以下先进DRAM节点、DRAM电容器及存储单元工艺、读出放大器和刷新时序验证，并进一步覆盖MRAM、RRAM及3D DRAM等新型存储技术，显示Terafab的技术规划可能由AI逻辑芯片进一步向存储器延伸。不过，目前DRAM布局主要依据招聘信息，尚未看到特斯拉或SpaceX正式公布DRAM量产时间、具体制程及规划产能。若后续确实进入DRAM制造，Terafab将进一步强化AI芯片从逻辑计算、存储到先进封装的一体化布局，但考虑DRAM量产对工艺积累、良率和资本投入要求极高，短期对三星、SK海力士和美光现有竞争格局的实际影响预计有限。（半导体行业观察）

设备

美国初创企业Inversion Semiconductor正开发基于激光尾场加速（LWFA）的新型短波长光源，试图以微型粒子加速器路线突破传统EUV光刻的功率、成本和复杂度瓶颈，并已获得美国能源部“Genesis Mission”第一阶段资助，将与劳伦斯伯克利国家实验室合作推进相关技术。与ASML通过激光轰击锡滴产生13.5nm EUV光源不同，Inversion计划利用高能电子束产生可调谐EUV乃至更短波长的软X射线，并宣称可将粒子加速器体积缩小约1000倍，在相同数值孔径（NA）下使晶体管密度提升100%、单台光刻机吞吐量提升3倍，同时改善超过25%的关键尺寸均匀性，甚至实现单一光源同时支持多台光刻设备。当前ASML仍几乎垄断先进EUV光刻市场，标准EUV设备单价约1.5亿-2亿美元，High-NA EUV价格可达3.5亿-4亿美元，而随着先进制程进入2nm及埃米节点，光源功率、光学系统、真空环境和运动控制复杂度持续提升。Inversion的方案若能实现产业化，有望为下一代先进光刻提供不同于High-NA EUV的新技术路径，但目前仍处于早期验证阶段，除光源外还需解决高精度光学、晶圆台、曝光控制、工艺适配及大规模量产验证等问题，距离真正挑战ASML仍有较长产业化周期。（芯智讯）

据报道，三星电子和SK海力士近年曾评估中微公司的刻蚀设备，主要考虑将中国设备作为其中国晶圆厂潜在供应链备选，以降低美国设备出口限制进一步收紧带来的维护和备件风险。三星目前在西安运营NAND工厂，SK海力士则在无锡拥有DRAM产线、在大连布局NAND产能，两家公司中国工厂长期使用应用材料、泛林等美系半导体设备；若未来美国限制进一步延伸至已安装设备的维修、维护或零部件供应，寻找本土替代方案的重要性将明显提升。中微公司作为国内领先刻蚀设备厂商，若能够通过海外头部存储厂商验证，将成为国产半导体设备进入国际一线晶圆厂供应链的重要突破，并有助于验证其设备在稳定性、良率及批量生产环境下的竞争力。不过三星已否认正在中国工厂测试中微设备，SK海力士亦未公开确认，因此相关进展仍需后续进一步验证。（集微网）

功率半导体

豪威集团正式成为兴豪通信技术（浙江）有限公司最大股东，进一步强化射频前端芯片布局。兴豪通信成立于2022年，位于浙江义乌，入选2025年国家级潜在独角兽企业榜单，主要从事射频前端芯片设计及量产，核心产品包括LNA低噪声放大器、Switch射频开关、Tuner调谐器等，主要采用RF-SOI工艺。豪威早在2015年便通过收购无锡中普微进入射频芯片领域，产品覆盖2G/3G/4G射频前端解决方案，此次成为兴豪通信最大股东，有望进一步补充公司在射频开关、调谐器及低噪声放大器等产品线的技术和客户资源，并与现有CMOS图像传感器、模拟芯片等业务形成协同，持续拓展手机及泛消费电子半导体平台化布局。（集微网）

3、公司公告

AI

寒武纪（7月24日）：公司披露调整募投项目内部投资结构的公告，对2025年度向特定对象发行A股股票募集资金投资的“面向大模型的芯片平台项目”和“面向大模型的软件平台项目”内部投资结构进行调整。本次调整不改变募投项目名称、实施主体、实施地点、募集资金投资总额及项目实施方式，主要增加设备及产品试制相关投入合计11.60亿元。公司2025年度向特定对象发行股票募集资金总额39.85亿元，扣除发行费用后募集资金净额39.53亿元。

存储

兆易创新（6月3日）：公司披露参与投资私募股权投资基金的进展公告。公司此前作为有限合伙人以自有资金4亿元认购上海石溪兆易智芯创业投资合伙企业（有限合伙）基金份额。公司收到基金管理人通知，该基金已在中国证券投资基金业协会完成备案并取得私募投资基金备案证明。

普冉股份（7月4日）：公司披露发行股份、可转换公司债券及支付现金购买资产并募集配套资金报告书修订稿相关公告。公司拟以发行股份、可转换公司债券及支付现金的方式购买珠海诺延、元禾璞华、横琴强科合计持有的珠海诺亚长天存储技术有限公司49%股权，并募集配套资金，标的资产交易价格为24,705.80万元。本次交易完成后，诺亚长天将成为公司全资子公司；本次交易不构成重大资产重组、不构成关联交易，亦不构成重组上市。

普冉股份（7月28日）：公司披露以集中竞价交易方式回购股份的回购报告书。公司拟使用自有资金或自筹资金，以集中竞价交易方式回购公司股份，回购资金总额不低于3,000万元、不超过5,000万元，回购价格不超过909.88元/股，回购期限为董事会审议通过回购方案之日起3个月内。本次回购股份基于维护公司价值及股东权益，计划按照相关规定在披露回购结果暨股份变动公告12个月后采用集中竞价交易方式出售，未能在回购完成后三年内出售完毕的股份将依法予以注销。

联芸科技（7月17日）：公司披露向特定对象发行A股股票申请获得上海证券交易所审核通过的公告。公司于7月16日收到上交所出具的审核意见，公司向特定对象发行股票申请符合发行条件、上市条件和信息披露要求，上交所将在收到公司申请文件后提交中国证监会注册。本次发行尚需获得中国证监会作出同意注册的决定后方可实施。

江波龙（7月23日）：公司披露收到控股股东、实际控制人、董事长兼总经理蔡华波提议回购公司股份的提示性公告。蔡华波提议公司使用自有或自筹资金，通过集中竞价交易方式回购部分A股股份，回购资金总额不低于4亿元、不超过8亿元，回购股份拟在未来适宜时机用于股权激励或员工持股计划，回购期限为董事会审议通过回购方案之日起12个月内。

佰维存储（7月3日）：公司披露2026年第二季度为控股子公司提供担保的进展公告，本期为广东泰来封测科技有限公司提供担保金额2.50亿元。截至公告日，公司实际为泰来科技提供的担保合同总金额为15.00亿元；公司及控股子公司2026年度预计对外担保总额为100亿元，本次担保在前期预计额度范围内，公司不存在逾期对外担保情形。

德明利（6月5日）：公司披露增加2026年度担保额度预计的公告，根据全资子公司源德（香港）有限公司业务开展情况，公司拟增加为源德提供不超过50亿元或等值外币的担保额度，用于为其向金融机构申请综合授信或其他日常经营所需提供担保。若本次增加担保额度事项获股东会审议通过，公司2026年为源德提供的担保额度总额将不超过100亿元或等值外币。

香农芯创（7月17日）：公司披露为全资子公司提供担保及接受关联方提供担保暨关联交易的进展公告。截至公告日，以本次本金最高担保额合计25.79亿元计算，公司累计为子公司提供担保合同金额116.37亿元，占2025年度经审计净资产的325.51%，其中累计为全资子公司联合创泰科技有限公司提供担保合同金额93.91亿元。公司及子公司不存在对合并报表范围外的对外担保事项，也不存在逾期担保。

代工

华虹公司（6月19日）：公司披露发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易事项获得上海证券交易所并购重组审核委员会审核通过的公告。公司拟通过发行股份方式向上海华虹（集团）有限公司、上海集成电路产业投资基金股份有限公司、国家集成电路产业投资基金二期股份有限公司及上海国投先导集成电路私募投资基金合伙企业（有限合伙）购买其合计持有的华力微97.4988%股权，并募集配套资金。上交所重组委审议认为，本次交易符合重组条件和信息披露要求；本次交易尚需获得中国证监会同意注册后方可实施。

设备

中微公司（7月7日）：公司披露发行股份及支付现金购买资产并募集配套资金实施情况暨新增股份上市相关公告。公司通过发行股份及支付现金方式购买中微众硅（杭州）电子科技有限公司64.69%股权并募集配套资金。本次募集配套资金向4名特定对象发行股份，发行价格为290.88元/股，募集资金总额15.00亿元，募集资金拟用于高端半导体设备产业化项目、高端半导体设备研发中心项目、支付本次交易现金对价及中介机构费用和补充流动资金。

拓荆科技（7月8日）：公司披露参与投资私募基金暨关联交易公告，拟作为有限合伙人以自有资金3,000万元参与投资上海海望合纵私募基金合伙企业（有限合伙），投资完成后将持有海望合纵约1.33%的财产份额。本次交易涉及与关联方中微半导体（上海）有限公司共同投资，构成关联交易，但不构成重大资产重组。

拓荆科技（7月11日）：公司披露发行股份及支付现金购买资产并募集配套资金预案，拟通过发行股份及支付现金方式购买无锡尚积半导体科技股份有限公司82.97%股份、上海泰纳微企业管理有限公司100%股权和无锡宽行企业管理有限公司100%股权，并募集配套资金。截至预案披露日，标的资产审计及评估工作尚未完成，预估值及交易价格尚未确定。本次交易预计不构成重大资产重组，预计不构成关联交易，不构成重组上市。

华海清科（6月23日）：公司披露调整2026年度向特定对象发行A股股票方案相关公告，将本次拟募集资金总额由不超过40.00亿元调整为不超过37.95亿元。调整后募集资金拟分别投入上海集成电路装备研发制造基地项目13.42亿元、晶圆再生扩产项目4.45亿元和高端半导体装备研发项目20.08亿元。

精测电子（7月16日）：公司披露发行股份、可转换公司债券及支付现金购买资产并募集配套资金暨关联交易预案，拟通过发行股份、可转换公司债券及支付现金的方式购买控股子公司上海精测半导体技术有限公司部分股权，并募集配套资金。本次交易预计构成重大资产重组和关联交易，不构成重组上市；截至预案披露日，标的资产审计、评估工作尚未完成，交易价格尚未确定。

精测电子（7月16日）：公司披露签订日常经营性重大合同的公告，控股子公司上海精测近日与客户签订销售合同，拟向客户出售膜厚系列产品、OCD设备等半导体前道量检测设备，合同总金额为2.23亿元。截至公告披露日，上海精测连续12个月内与该客户及其相关公司签订的销售合同累计金额为3.30亿元，含本次签订合同。

中科飞测（7月2日）：公司披露获得政府补助公告，全资子公司飞测思凯浦（上海）半导体科技有限公司近日收到702.00万元政府补助款。目前相关政府补助文件未对资金支出类型作出明确规定，公司将按照相关企业会计准则确认并划分补助类型，预计对公司2026年度利润产生一定积极影响，具体会计处理及对相关年度损益的影响以审计机构年度审计确认结果为准。

长川科技（7月15日）：公司披露向特定对象发行股票发行情况相关公告，本次发行价格为280.11元/股，发行数量为11,163,580股，发行对象最终确定为11名，募集资金总额为31.27亿元，扣除发行费用后实际募集资金净额为30.92亿元。本次发行对象认购的股份自发行结束之日起6个月内不得转让。

华峰测控（7月15日）：公司向不特定对象发行的可转换公司债券完成发行并披露上市相关事项，本次发行可转债总额为7.49475亿元，每张面值100元，共计749.475万张。“华峰转债”于7月17日起在上海证券交易所上市交易，债券代码为118071。

晶升股份（7月21日）：公司披露使用剩余超募资金永久补充流动资金的公告，拟在确保募集资金投资项目建设资金需求和项目正常进行的前提下，使用剩余超募资金8,342.98万元永久补充流动资金，占超募资金总额的15.45%。本次使用超募资金永久补充流动资金后，公司超募资金将使用完毕，该事项尚需提交公司股东会审议通过后方可实施。

零部件

正帆科技（7月17日）：公司披露提前赎回“正帆转债”的公告。公司股票自6月4日至7月16日的连续30个交易日中已有15个交易日收盘价不低于当期转股价格的130%，触发可转债有条件赎回条款，公司决定行使提前赎回权，按照债券面值加当期应计利息的价格对赎回登记日登记在册的“正帆转债”全部赎回。“正帆转债”发行总额为10.41亿元。

材料

江丰电子（6月29日）：公司披露使用募集资金置换预先投入募投项目及已支付发行费用自筹资金的公告。公司本次向特定对象发行A股10,650,400股，发行价格181.01元/股，募集资金总额19.28亿元，扣除发行费用后募集资金净额19.05亿元，募集资金拟用于年产5,100个集成电路设备用静电吸盘产业化项目、年产12,300个超大规模集成电路用超高纯金属溅射靶材产业化项目、上海江丰电子研发及技术服务中心项目以及补充流动资金及偿还借款。公司拟使用募集资金置换预先投入募投项目及已支付发行费用的自筹资金合计6,780.64万元。

封测

长电科技（6月24日）：公司披露对外投资相关公告，拟在上海临港新片区分两期投资建设高端先进封测工厂，项目投资总额约78亿元，其中项目公司注册资本预计40亿元，计划于2028年下半年完成项目建设。项目拟通过股权融资及公司自筹等方式筹集建设资金。

甬矽电子（6月26日）：公司披露对外投资公告，拟在中意宁波生态园投资建设“微电子高端集成电路IC封装测试三期项目”，计划总投资金额约103亿元，项目预计建设期96个月，并根据项目实施进度分阶段建设、梯次投产。

通富微电（7月4日）：公司披露向特定对象发行股票申请获得中国证监会同意注册批复的公告，公司近日收到中国证监会出具的批复，同意公司向特定对象发行股票的注册申请，批复自同意注册之日起12个月内有效。公司本次向特定对象发行股票拟募集资金用于存储芯片封测、高性能计算及通信等相关封测项目。

模拟

希荻微（7月10日）：公司披露使用部分超募资金永久补充流动资金的公告，拟使用超募资金19,000万元永久补充流动资金，用于与主营业务相关的业务拓展及日常经营。本次使用金额占公司超募资金总额63,971.84万元的29.70%；截至2026年6月30日，公司超募资金余额为23,566.13万元。

杰华特（6月30日）：公司披露质押控股子公司股权向银行申请并购贷款的公告，公司拟将持有的控股子公司相关股权进行质押，向银行申请不超过1.20亿元并购贷款，用于支付并购相关款项。

半导体

士兰微（6月13日）：公司披露对外投资进展公告，公司投资的厦门士兰集宏半导体有限公司各股东已完成实缴出资。其中，士兰微投资金额10.60亿元，其他投资方合计投资31.50亿元。

EDA/IP

概伦电子（6月11日）：公司披露发行股份及支付现金购买资产并募集配套资金暨关联交易事项获得上海证券交易所并购重组审核委员会审核通过的公告。公司拟通过发行股份及支付现金方式购买成都锐成芯微科技股份有限公司100%股权及纳能微电子（成都）股份有限公司45.64%股权，并募集配套资金。上交所重组委审议认为本次交易符合重组条件和信息披露要求，本次交易尚需获得中国证监会同意注册后方可实施。

MCU

乐鑫科技（7月31日）：公司披露回购股份方案，拟使用自有资金以集中竞价交易方式回购公司股份，回购资金总额不低于5,000万元、不超过1亿元，回购价格不超过121.28元/股，回购股份拟用于员工持股计划或股权激励计划，回购期限自董事会审议通过回购方案之日起不超过3个月。

五、估值及投资建议

1、估值分析

目前，半导体板块整体估值高于历史中位数，其中数字芯片设计、模拟芯片设计、集成电路封测、半导体设备、半导体材料、分立器件板块均高于历史中位水平，SW数字芯片设计板块当前PE-TTM约110倍，历史中位数约127倍，最大值1127倍，最小值-560倍；SW模拟芯片设计板块当前PE-TTM约181倍，历史中位数约85倍，最大值235倍，最小值33倍；SW集成电路封测板块当前PE-TTM约120倍，历史中位数约56倍，最大值323倍，最小值-232倍；SW半导体设备板块当前PE-TTM约135倍，历史中位数约100倍，最大值507倍，最小值38倍；SW半导体材料板块当前PE-TTM约663倍，历史中位数约114倍，最大值1492倍，最小值44倍；SW分立器件板块当前PE-TTM约-97倍，历史中位数约53倍，最大值458倍，最小值-1862倍。

2、投资建议

国内先进逻辑和存储扩产提速，设备国产化进入规模化提升阶段，零部件向高价值环节突破，材料由验证导入逐步转向批量放量，看好自主可控板块表现。全球CPU市场空间大幅提升，国产算力订单及营收高速增长，同时带动国内先进制程需求，看好CPU、先进制程等国产算力链。7月以来费城半导体指数有所调整，AI产业链景气度仍维持高位，2026年全球CSP合计资本开支预计约8300亿美元，带动AI产业链景气度持续提升。存储价格延续上涨但涨幅趋缓，DRAM受HBM挤占产能及AI服务器需求增长影响，2027年供需仍有望保持紧张，持续看好存储产业链。

1） 算力产业链：建议关注国产自主算力大芯片厂商以及受益于边际复苏及AI服务器需求提升的标的如****、***、****、****、****等；

2） 设备&材料&零部件：我们预计2026年国内先进逻辑产线扩产有望提速，同时伴随着长存扩产及长鑫上市，偏先进存储扩产可期，国内上游厂商将受益于下游扩产和自身新品突破。建议关注①设备：半导体设备龙头****、****、****、****、***、****等，以及****、****、****、****、****、***、***、****、****、****等；②零部件：设备零部件龙头****、****、****、****、****等，以及光刻机零部件产业链的****、****、****、****、****、****、****、***、****等；③材料：国产化率持续突破的标的如****、****、****、****、****、****、****、****、****、****、****等；

3） 存储芯片&模组&主控：受益于供需格局改善带来的涨价趋势，国内模组和芯片厂商关注存储芯片厂商****、****、****、****、****、****、****等，以及存储模组和主控厂商***、****、***、****、***等;

4） 制造和封测：关注国内制程布局领先的****，新产能持续释放的****，关注在先进封测领域布局的****、****、****、****、****以及有望受益于行业整体复苏的****、****、****、****、****、****等；

5） 模拟芯片：建议关注2025年经营改善或业绩持续增长的****、***、***、****、***、****、****、***、***等；

6） 消费类IC：SoC类建议关注受益于端侧AI落地，同时新品迭代和量产进度加速落地的***、****、****、****等；同时建议关注受益于高端新品持续突破、国产替代加速的***、****、***、****等；

7） EDA/IP：关注国产EDA软件自主可控的****、****、****和有望受益于ASIC行业趋势的****等；

8） 特种IC：行业景气度逐步触底反弹，各公司新品持续突破放量，建议关注****、****、****、****、****、****等；

9） MCU：关注有望受益于景气复苏，叠加新品和新应用放量的****、****、****、****、****、****等；

10） 功率半导体：长期关注功率在AI数据中心领域中的应用如****等，关注下游需求逐步复苏的***、****等，建议关注受行业竞争格局变化影响的****、****、****、****、***等。

风险提示

1） 终端需求不及预期。当前消费类/汽车/工业等领域半导体客户库存去化较好，但需求复苏比较缓慢，假如整体需求回暖不及预期，半导体行业增速可能受到一定不利影响；

2） 半导体国产替代进程不及预期。伴随美国数轮出口管制政策出台，国产替代迎来新契机，但假如国内半导体因产能、良率等受限，国产替代进程可能受到一定阻碍；

3） 行业竞争加剧。在如功率、模拟、MCU等偏成熟制程领域，由于下游需求复苏缓慢，叠加行业玩家增多，竞争有所加剧。假如行业竞争不能有效缓解，行业内玩家价格和盈利能力可能持续承压。