日本NAND闪存行业第三大厂商铠侠(Kioxia)正瞄准下一代人工智能(AI) NAND市场。该公司 计划今年陆续量产针对AI数据中心和终端AI行业优化的最新标准NAND解决方案。基于此，铠侠有望加快与三星电子、SK海力士等国内存储厂商的竞争步伐。

据业内人士3日透露，日本铠侠计划今年量产最新的标准NAND解决方案，包括“PCIe（PCI Express）6.0”和“UFS（Universal Flash Storage）5.0”。

据市场研究公司TrendForce的数据显示，今年第一季度铠侠（Kioxia）的全球NAND闪存市场份额为13.9%，排名第三，位列三星电子（31.6%）和SK海力士（17.6%）之后。

尽管铠侠的销量与国内存储器行业相比规模较小， 但其技术发展速度却非常快 。尤其是在人工智能行业需求激增的高性能、高效率NAND闪存领域，铠侠今年取得了显著的成绩。

铠侠（Kioxia）于上月初在日本岩手县北上工厂（K2）开始量产第十代（BiCS 10）3D NAND。

NAND闪存技术的发展是通过将存储单元垂直堆叠成层层结构来实现的。铠侠（Kioxia）的第十代NAND闪存拥有332层堆叠结构。三星电子和SK海力士目前已成功量产至第九代NAND闪存。虽然由于各公司每代NAND闪存的层数不同，无法进行简单的比较，但这仍然意义重大，因为它们已经开始量产超过300层的高堆叠NAND闪存。

基于此，铠侠（Kioxia）推出了支持 PCIe 6.0 的数据中心级 eSSD“CM10”。PCIe 6.0 SSD 是最新的接口标准，已于今年开始量产。铠侠表示，与之前的产品相比，CM10 的顺序读取性能提升高达 92%，随机读取性能提升约 85%。

该公司还计划于今年年底前开始量产面向设备端人工智能市场的UFS 5.0闪存。UFS 5.0是今年最新商业化的嵌入式存储标准，主要用于移动NAND闪存。其数据处理速度约为上一代UFS 4.1的两倍。铠侠的UFS 5.0采用自主研发的控制器和第八代NAND闪存。

为此，国内存储器产业也在加速研发尖端的NAND解决方案。行业领军企业三星电子正发起猛烈攻势。

三星电子上月初开始量产 PCIe 6.0 eSSD“PM1763”。该产品采用第九代 V-NAND 闪存和基于 4nm 工艺的新型控制器。

UFS 5.0 闪存的研发工作已于去年 6 月完成，并将于今年第四季度开始量产。三星电子的 UFS 5.0 闪存基于第九代 NAND 闪存技术，其特点是同时实现了业界最高的 10.8 GB/s 数据传输带宽和卓越的能效。

三星电子宣布，将于本月开始量产其下一代第十代（V10）NAND闪存。据估计，三星V10 NAND闪存将拥有约430层。从第十代产品开始，该公司将首次采用混合键合和三层堆叠技术，即将闪存单元堆叠三层。

一位半导体行业人士解释说：“三星电子似乎已正式宣布了V10 NAND闪存的量产计划，此前该公司已完成内部PRA（产品生产批准）。然而，由于尚未开始对生产设施进行全面投资，实际产量预计不会很高。