关键词：Smart Power Stage；DrMOS；PWM信号；多相控制器；故障检测；IMON；TMON
圣邦微电子推出内部集成电流检测的90A Smart Power Stage（DrMOS）产品——SGM25890，该器件主要面向AI服务器及传统计算市场。
随着数字时代的深入发展，通信与计算系统能力持续增强，AI技术也从云端、局端逐步向边缘计算与本地化应用拓展。多种策略和架构的CPU、GPU、GPGPU等不断迭代，AI应用逐渐从大型企业客户团队延伸至中小企业及个人用户。这一趋势对电源供应提出了更高要求。AI的快速发展，特别是大模型与高性能计算的兴起，正在推动电源领域实现根本性变革。电源设计不再仅追求“稳定供电”，而是驱动着一场从芯片级到数据中心架构级的全面能源效率革命。
DrMOS（集成驱动级金属氧化物半导体场效应管）技术伴随AI算力需求的爆发，正迎来快速演进的发展和革新。它已从提升个人电脑能效的解决方案，成长为支撑数据中心、人工智能等高算力场景的关键组件。
为应对日益多元化和普及化的市场需求，圣邦微电子聚焦核心处理器供电领域，推出了最大电流能力达90A的功率级DrMOS——SGM25890。搭配8相数字控制器，可实现连续320A电流输出；配合新款16相控制器，更可支持连续720A负载与峰值1000A电流。
SGM25890通过多Die合封（Co-Packaged）技术，将Buck电路的上管、下管与驱动控制电路集成于一体，通过外部PWM信号的三态控制实现对芯片的控制。上、下管与驱动电路之间采用短路径连接，保证高功率密度的同时，还能优化时序控制并有效减小开关振铃。SGM25890主要面向CPU、GPU和DDR等低压大电流应用场景，合理的上、下管面积分配使其在该类应用中有更好的表现。除优秀的效率特性外，SGM25890还集成了高精度的瞬时电流检测上报（IMON）与温度上报功能（TMON），满足配套的多相控制器对关键信息的获取需求。此外，芯片支持OCP、OTP、HSS等多种故障检测与保护机制，并具备特殊的故障上报方式，以应对使用过程中的极端情况。芯片采用符合环保理念的TQFN-5×6-39L绿色封装，工作温度范围在-40℃至 125℃。
图1 SGM25890典型应用电路
SGM25890核心优势
SG Micro Corp
优秀的效率表现
SGM25890采用圣邦微电子自研的SGT-MOS，通过优化的多Die合封（Co-Packaged）技术、合理的面积分配、极致的死区时间与驱动速度优化，在12V母线低压大电流场景下实现了的优秀效率表现。
图2 SGM25890的效率表现
内置电流检测（IMON）
SGM25890采用先进的电流镜方案，将内部的电流信息以5μA/A的比例关系通过IMON输出至多相控制器。IMON可支持的电压范围为：0.8V至2.35V，因此推荐的IREF（IMON的参考电压）使用范围为1.1V至1.9V。SGM25890配合多相控制器的Load-Line系统应用表现如图3所示。
图3 SGM25890配合2063016 Load-Line应用表现
故障检测与故障上报
SGM25890具备逐周期过电流保护（OCP）、过温保护（OTP）、上管短路（HSS）检测以及VDRV欠压锁定（UVLO）等保护功能，并能通过TMON PIN与IMON PIN的不同电平组合，配合多相控制器进行故障上报。故障上报类型与TMON PIN和IMON PIN的对应关系如表1所示。
表1 SGM25890故障上报
SGM25890典型特性
SG Micro Corp
内部集成驱动器以及Buck电路的上、下管；
5μA/A比例转换的MOSFET电流上报（IMON）；
输入电压范围：4.25V至16V；
VCC和VDRV电压范围：4.5V至5.5V；
输出电压范围：0.225V至5.5V（VIN = 12V）；
最大输出电流能力：90A；
具备故障的识别与上报；
温度上报（TMON）：8mV/℃；
过温保护（OTP）；
逐周期过电流保护（OCP）；
上管短路（HSS）检测；
VDRV欠压锁定（UVLO）；
3.3V三态PWM输入；
深度睡眠模式（EN为低）；
采用符合环保理念的TQFN-5×6-39L绿色封装。
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