SK海力士正在迅速扩大其10纳米级第六代（1c）DRAM的产能份额。由于1c DRAM将作为核心芯片堆叠HBM，并应用于下一代高带宽内存（HBM4E），该公司似乎正在加速其工艺转型。随着服务器和人工智能（AI）领域对高价值内存的需求不断增长，SK海力士与三星电子和美光之间向更精细工艺转型的竞争也日趋激烈。

据业内人士7日透露，SK海力士1c DRAM的市场份额从今年第一季度的约10%增长到第二季度的13%左右，预计第三季度将升至24%左右，第四季度将达到34%左右。明年第一季度，1c的市场份额有望攀升至35%左右，首次超过1b（33%左右），成为主流工艺。

1b（10纳米级第五代）DRAM的市场份额似乎在第二季度达到峰值，约为43%，之后开始下降。随着向1c工艺的转型步伐加快，传统工艺的市场份额正在逐步缩小。根据行业估计，截至今年第二季度末，三星电子的1c工艺市场份额约为16%，美光约为19%，略高于SK海力士（约为13%）。然而，随着SK海力士在下半年加速转型，预计将在第四季度超越三星电子（市场份额约为34%，而三星电子约为31%）。

在上个月的第二季度财报电话会议上，SK海力士表示，采用10纳米级第六代（1c）工艺的DRAM已于第二季度正式开始供货。SK海力士预计，随着下半年HBM4（第六代HBM）出货量的增长，基于1c工艺的通用DRAM出货量也将增长，从而推动比特增长率（产能增长率）高于上半年水平。

三星电子和SK海力士在HBM4领域的领导地位之争，关键在于1c DRAM的过渡速度。三星电子从HBM4阶段就开始应用1c DRAM，并宣称其运行速度高达11.7 Gbps左右，性能卓越。相比之下，SK海力士则选择了优先考虑量产稳定性的策略，采用成熟的1b DRAM和先进的MR-MUF封装技术，并率先将1c DRAM应用于下一代HBM4E（第七代HBM）的核心HBM芯片。

业内人士指出，这种战略差异体现在两家公司的市场份额上。包括Counterpoint Research在内的多家主要研究机构预测，基于英伟达、谷歌和AMD今年的总出货量，SK海力士在HBM4领域的市场份额将达到50%左右，三星电子将达到20%以上，美光将达到10%以上。SK海力士通过优先保证量产稳定性来维持其出货量优势，而三星电子则致力于通过更优越的技术规格来扩大市场份额。

在此背景下，有分析指出，SK海力士加速向1c架构过渡将带来除简单规模化之外的切实效益，包括成本和生产效率的提升。与上一代产品相比，每片晶圆的比特数增加，意味着相同晶圆投入下更多的输出比特数，从而提升了成本竞争力。这被视为有助于在下半年及以后捍卫DRAM业务盈利能力的关键因素。随着1c架构过渡的推进，以及服务器和HBM等高价值产品组合的增加，生产效率的提升极有可能直接转化为利润率的提高。

一位半导体行业官员表示：“1c 过渡的速度本身令人鼓舞，但只有实际的量产良率和客户认证计划能够支撑这一速度，它才有意义。”他还补充道：“从 HBM4E 开始，三星电子和 SK 海力士在精细工艺领域的竞争将变得更加激烈。”