1、板块简介

快闪存储器（英语：flash memory），是一种电子式可清除程序化只读存储器的形式，允许在操作中被多次擦或写的存储器。这种科技主要用于一般性数据存储，以及在计算机与其他数字产品间交换传输数据，如存储卡与U盘。闪存是一种特殊的、以宏块抹写的EEPROM。早期的闪存进行一次抹除，就会清除掉整颗芯片上的数据。

闪存是一种非易失性存储器，即断电数据也不会丢失。因为闪存不像RAM（随机存取存储器）一样以字节为单位改写数据，因此不能取代RAM。

闪存卡（Flash Card）是利用闪存（Flash Memory）技术达到存储电子信息的存储器，一般应用在数码相机，掌上电脑，MP3等小型数码产品中作为存储介质，所以样子小巧，有如一张卡片，所以称之为闪存卡。根据不同的生产厂商和不同的应用，闪存卡大概有SmartMedia（SM卡）、Compact Flash（CF卡）、MultiMediaCard（MMC卡）、Secure Digital（SD卡）、Memory Stick（记忆棒）、XD-Picture Card（XD卡）和微硬盘（MICRODRIVE）这些闪存卡虽然外观、规格不同，但是技术原理都是相同的。

NAND FLASH 和 NOR FLASH 是闪存的两大主要产品。NAND 擦和写均是基于隧穿效应，电子穿过浮置栅极与硅基层之间的绝缘层，对浮置栅极进行充电（写数据）或放电（擦除数据）；NOR 在擦除数据时也基于隧穿效应，但在写入时采用热电子注入方式。这一不同点也驱动 NOR 的工作功耗高于 NAND。

2、产业链

中国半导体产业链由上游为半导体支撑产业，中游为存储芯片行业，下游市场参与者由众多电子整机厂组成。存储器芯片是集成电路价值量最大的产品之一，存储芯片产业是国家战略产业，直接关系到电子信息产业的发展，中国正逐渐在全产业链各个环节中实现对进口产品的替代。

3、存储芯片分类

按照存储原理的不同，存储设备分为磁盘和存储芯片。磁盘是指利用磁能方式存储信息的磁介质设备，信息的存储、读写依靠磁性盘片的机械运动，目前磁盘主要用于PC硬盘、移动硬盘等领域。存储芯片（存储器）是通过电能方式存储信息的半导体芯片，信息的存储与读取过程通过电子的存储或释放完成，主要用于内存、U盘、固态存储硬盘、手机、平板等。

Flash（闪存芯片）是最主要的存储器，分为NAND Flash和NOR Flash。

NAND Flash存储容量大、读写速度高、读写次数多、寿命长，主要用于存储大容量、批量读写的数据，比如智能手机、平板电脑、U盘、固态硬盘等。NAND Flash芯片的主要特点是非随机存储、不可执行代码，以块为单位进行数据存取，具有较高的存储速度，分为SLC型、MLC型、TLC型等。随着NAND Flash工艺制程微缩，数据块容易变坏，需要通过软件和固件来实现数据冗余备份和提升存储可靠性，技术难度较高。

NOR Flash分为串行和并行，负责存储代码和部分数据，主要用在手机、PC、DVD、TV、USB Key、机顶盒、物联网设备等需要经常执行各类程序的嵌入式领域。NOR Flash的特点主要是可随机存储，随机读取速度较快、可执行代码，能够与处理器直接连接。串行NOR Flash结构较为简单、成本更低，受益工艺进步和读写性能提升，系统方案商对串行NOR Flash的使用越来越多。

NOR型与NAND型闪存的区别很大，打个比方说，NOR型闪存更像内存，有独立的地址线和数据线，但价格比较贵，容量比较小；而NAND型更像硬盘，地址线和数据线是共用的I/O线，类似硬盘的所有信息都通过一条硬盘线传送一般，而且NAND型与NOR型闪存相比，成本要低一些，而容量大得多。因此，NOR型闪存比较适合频繁随机读写的场合，通常用于存储程序代码并直接在闪存内运行，手机就是使用NOR型闪存的大户，所以手机的“内存”容量通常不大；NAND型闪存主要用来存储资料，我们常用的闪存产品，如闪存盘、数码存储卡都是用NAND型闪存。这里我们还需要端正一个概念，那就是闪存的速度其实有限，它本身操作速度、频率就比内存低得多，而且NAND型闪存类似硬盘的操作方式效率也比内存的直接访问方式慢得多。因此，不要以为闪存盘的性能瓶颈是在接口，甚至想当然地认为闪存盘采用USB2.0接口之后会获得巨大的性能提升。

从后期发展来看，NAND 集成度高、成本较低，读写速率适中，非常适合用于消费电子设备的大量数据存储介质，随着手机、笔记本电脑等市场需求，市场规模迅速增长。而 NOR Flash 物理底层架构导致单位成本较高，因此没有大范围成为存储主流介质。而 NOR Flash 具有较高的读取效率，较低的擦/写速度，因此运用场景更像只读 ROM 的一种，特点是写入一次，基本上就不再擦写，只用于读取，且可以直接挂在数据总线上，运行程序效率异常高，用于各种嵌入式体系的基础系统存储。

4、闪存储器行业分析

FLASH MEMORY市场规模整体约460亿~480亿美元，占总体存储市场规模约26%，位列数字存储市场规模第三。其中 NAND FLASH 约为 440 亿美元，Nor FLASH 约为 20 亿美元。

NAND FLASH市场规模整体呈现上升趋势。NAND技术不断进步，2D NAND向3D NAND转变， 3D NAND堆叠层数提升，存储容量增长。随着消费类产品如智能手机以及企业SSD需求的增长，NAND市场规模呈现上升趋势。NAND FLASH市场集中度较高。2019年形成三星、铠侠、西部数据、镁光、SK 海力士、Intel 主导的 NAND FLASH 市场格局，分占市场份额的 33.5%、18.9%、14.3%、13.5%、9.7%和 9.5%，行业CR4达80.2%。

近年来，NOR FLASH市场规模逐渐扩大。当电子设备启动时，需要从存储芯片内读取系统信息并运行，该存储芯片需要满足可执行运行程序且掉电后存储的数据不丢失。DRAM 掉电后数据会丢失，而 NAND FLASH 无法执行程序，因此 NOR FLASH 应用极其广泛。以 TWS 耳机为代表的可穿戴设备、手机屏幕显示的 AMOLED 和 TDDI 技术，以及功能越来越强大的车载电子领域，成为NOR FLASH 市场空间获得重新增长的主要动力，2016 年开始，NOR FLASH市场规模逐步扩大。

新兴厂商进入，主攻NOR FLASH。不同于NAND FLASH，NOR FLASH市场出现了很多相对较小的厂商。2018年，旺宏、赛普拉斯、华邦、镁光、兆易创新分占 NOR FLASH市场闺规模的21%、21%、21%、18%、11%。2021年第一季度旺宏的市场份额上升至26%，华邦上升至25%、兆易创新上升至18%，而镁光退出前四大NOR FLASH公司。

2020年代，长江存储的自主开发3D NAND快速量产，将迎来收获期。2020年3月，大基金二期表示积极支持湖北产业发展，将投资800亿元左右于长江存储。此外2020年，长江存储宣布128层TLC/QLC 两款产品研发成功，且推出致钛系列两款消费级SSD新品。据日经社报道，长江存储有望在2021年底占据全球NAND市场份额的7%。

5、存储器“挖矿”或助推大容量闪存涨价

21年二季度以来，受益PC持续热销、服务器回暖等需求拉动，闪存市场已渐呈供给紧张态势，相应价格也已开始逐季上涨。近期区块链市场的加密货币 Chia（未上市交易）引起虚拟货币市场的较高关注，不同于比特币、以太币等靠的是矿机、显卡挖矿，Chia需使用较大容量的存储空间进行挖矿。

机构认为Chia的升温或将助推存储器尤其是大容量闪存价格的上涨，SSD相关上下游产业链如Flash/HDD制造厂商、主控芯片、SSD模组等有望直接受益。