

内存:股票市场中,DRAM(动态随机存取存储器)板块涉及生产、销售DRAM相关产品的上市企业。DRAM作为内存的主要形式,对计算机性能至关重要。
内存:AI 服务器、PC、手机需求带动内存容量升级,HBM 等高价值产品渗透率提升,叠加原厂减产、合约价上涨,国产化进展加速,产业前景向好
存储器(Memory)是用来存储数据、信息和各类程序软件的记忆部件,存储器按照电源在关断后数据是否被保存可分为 RAM(随机存储器)、ROM(只读存储器)和新型 RAM。DRAM(动态随机存取存储器,主要特指 SDRAM)是存储器细分产品中的营收占比最大的产品,DRAM基本存储单元由一个晶体管和一个电容(1T1C)构成,由于存储单元较为简单,因此DRAM 可以实现很高的存储密度和容量,被广泛应用在主机内存上。
DRAM 按照产品分类主要分为 DDR、LPDDR(低功耗)和 GDDR,其中 DDR 主要应用于服务器和 PC 端、LPDDR 主要应用于手机端、GDDR 的主要应用领域为图像处理领域。从市场的角度划分,可以将 DRAM 分为主流 DRAM 和利基型 DRAM,其中主流 DRAM市场的玩家为三星、美光和海力士,国内 DRAM 大厂长鑫存储的定位也在主流 DRAM 市场;利基型 DRAM 市场的玩家相对更为分散,除了三星、美光、海力士之外(逐渐退出该市场),还包含南亚、华邦和兆易创新、北京君正等公司。
股票相关名词解释
DRAM板块在股票市场中,主要指的是专注于动态随机存取存储器(DRAM)研发、生产和销售的上市企业集合。这些企业通常拥有先进的半导体生产技术,为计算机、服务器、智能手机等电子设备提供关键的内存组件。DRAM板块的表现往往与市场对内存需求的增减、技术进步以及行业竞争格局密切相关。
什么是DRAM(内存)的股票类百科
# 一、DRAM基础概念
DRAM,全称Dynamic Random Access Memory,即动态随机存取存储器,是现代计算机系统中不可或缺的存储组件之一。它以电容器存储电荷来表示二进制数据(0或1),具有高密度、低成本和快速访问的特点。DRAM属于易失性存储器,当电源关闭时,数据会丢失。
# 二、DRAM的市场分类
DRAM按照产品分类主要分为DDR、LPDDR和GDDR等。DDR主要应用于服务器和PC端,LPDDR则广泛应用于手机端,而GDDR则主要用于图像处理领域。从市场角度划分,DRAM可分为主流DRAM和利基型DRAM,前者市场主要由三星、美光、海力士等企业主导。
# 三、DRAM的生产与技术
DRAM的生产涉及复杂的半导体工艺技术。企业如美光科技,通过投入大量资金开发先进的工艺技术,以实现更高的数据传动率、更低的功耗、更好的读/写可靠性和更大的内存密度。这些技术的进步不仅提升了DRAM的性能,也推动了相关股票的市场表现。
# 四、DRAM的市场动态
DRAM市场受多种因素影响,包括供需关系、技术进步、行业竞争格局以及宏观经济环境。例如,当数据中心服务器和5G智能手机的需求增加时,DRAM的平均售价和需求量往往随之上升。此外,自然灾害如地震、停电等也可能对DRAM的供应造成短期影响,进而影响相关股票的价格。
# 五、DRAM板块的股票投资
投资于DRAM板块,投资者需要密切关注市场动态、技术进步以及企业竞争力。例如,美光科技作为DRAM行业的领导者,其业绩表现和技术进步往往对板块整体走势具有重要影响。同时,投资者还需关注政策环境、全球经济形势等因素对DRAM市场的潜在影响。
总结
DRAM作为现代计算机系统中的关键存储组件,对计算机性能至关重要。在股票市场中,DRAM板块涉及多家专注于DRAM研发、生产和销售的上市企业。这些企业的市场表现往往与市场对内存需求的增减、技术进步以及行业竞争格局密切相关。投资者在关注DRAM板块时,应综合考虑市场动态、技术进步、企业竞争力以及宏观经济环境等多种因素。
3月31日,存储芯片厂商铠侠(Kioxia)再次向客户发布最新停产通知,宣布部分传统浮栅式(Floating Gate)2D NAND 以及 第三代 BiCS FLASH 产品将逐步退出市场。此前,铠侠已宣布停产小容量 TSOP 封装产品。根据通知内容,这些产品的最后客户预测订单截止日为2026年9月30日,而最终出货截止时间为 2028年12月31日。(第一财经)
CFM闪存市场发布报告称,由于前期价格涨幅过大,渠道客户对于高价存储产品的抵触心理日渐强烈,市场实际成交艰难。现货贸易端欲回笼资金、获利变现,贸易端低端DDR4内存条抛售较多,进一步冲击和打压了渠道市场,本周渠道DDR4内存条领跌,尤其是8GB/16GB DDR4内存条价格跌幅高达25%,其余容量跌幅在10%上下区间;渠道SSD也出现小幅下跌。相比,今年一季度原厂服务器及PC NAND、DRAM合约价均呈翻倍式增长。预计第二季度移动端合约价将大幅补涨,服务器、PC DRAM合约价均涨幅超30%,eSSD、cSSD平均售价将涨幅分别超30%、50%。(证券时报)
根据TrendForce集邦咨询最新存储器价格调查,2026年第二季因DRAM原厂积极将产能转向HBM、Server应用,并采用“补涨”策略拉近各类产品价差,尽管终端市场面临出货下修风险,预估整体一般型DRAM(Conventional DRAM)合约价格仍将季增58-63%。NAND Flash市场持续由AI、数据中心需求主导,全产品线连锁涨价的效应不减,预计第二季整体合约价格将季增70-75%。
3月27日,据记者从CFMS|MemoryS 2026闪存行业峰会获悉,存储产品的价格已经历了连续三个季度大涨,预计2026年3季度开始涨幅会放缓,逐渐收敛,一些具体产品线上价格会有一些分化。对于客户,锁定存储产能比锁定价格更重要。相比起火热的AI市场,以手机为代表的消费类市场就进入阵痛期,成本迅速上升,预计销售量将下降约10%,部分手机降幅最高将达30%。(证券时报)
谷歌AI内存压缩技术TurboQuant横空出世,宣称将大模型缓存内存缩减6倍、性能提升8倍,瞬间引爆市场恐慌——美光科技、闪迪等存储巨头盘中重挫逾5%。然而华尔街投行却高呼"抄底":摩根士丹利援引杰文斯悖论指出,效率革命非但不会压缩硬件需求,反将激活更庞大的AI部署规模,存储需求长期基本面"中性偏正面"。
AI大模型Token消耗量爆发、全球CSP资本开支持续扩张,叠加海外原厂将产能向HBM和DDR5倾斜,存储供需缺口持续扩大。2026年全年存储价格易涨难跌,国内存储产业链企业凭借产业链配套优势加速崛起。今日重要性:✨
全球Token调用量迎来新一轮暴涨,中国AI大模型的Token调用量历史上首次全面超越美国。
Wedbush最新报告指出,在需求激增与供应紧张的双重推动下,部分存储产品价格有望出现超过100%的涨幅。Wedbush分析师在周一发布的报告中表示,DRAM与NAND存储价格正快速上涨,预计2025年第四季度基础上,2026年上半年价格涨幅将达到“三位数”水平。其中,DRAM价格涨幅有望达到130%至150%,NAND涨幅也接近这一水平,显示出存储市场正进入新一轮强劲周期。
若在生产关键阶段爆发大规模罢工,将直接影响下游人工智能厂商产品交付节奏。
3月18日晚,腾讯高管回应存储芯片涨价问题时表示,人工智能需求激增不仅带动DRAM及高带宽内存(HBM)需求回升,乃至CPU、固态硬盘、机械硬盘等需求全面回升。目前订单已需提前几个月、几个季度甚至数年预定。供应商优先保障规模最大、合作最稳定的客户,比如腾讯云。规模较小的云厂商如今已难以确保获得稳定的供应链支持。腾讯高管表示,在此背景下行业或别无选择,只能将成本上涨转嫁至售价。过去24小时内,已目睹多家中国云厂商在多方面的价格上调。(第一财经)
晶圆产能缺口超20%。今日重要性:✨
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