

高带宽存储器HBM:高带宽存储器HBM板块是指与High Bandwidth Memory(高带宽存储器)技术相关的上市公司股票集合。HBM技术以其高带宽、低功耗的特点,在高性能计算、数据中心等领域具有广泛应用前景,因此吸引了众多投资者的关注。
高带宽存储器HBM:英伟达推出首款提供HBM3e内存的GPU
HBM是当前GPU存储单元理想解决方案,AI发展驱动HBM放量。HBM(高带宽存储器,HighBandwidthMemory)是由AMD和SKHynix发起的基于3D堆栈工艺的高性能DRAM,适用于高存储器带宽需求的应用场合。AI大模型的数据计算量激增,需要应用并行处理数据的GPU作为核心处理器,而“内存墙”的存在限制了GPU数据处理能力,HBM突破了内存容量与带宽瓶颈,可以为GPU提供更快的并行数据处理速度,打破“内存墙”对算力提升的桎梏,被视为GPU存储单元理想解决方案,将在AI发展中持续收益。
GPU的主流存储方案有 GDDR 和 HBM 两种。但图形芯片性能的日益增长,使其对高带宽的需求也不断增加。随着芯片制程及技术工艺达到极限,GDDR 满足高带宽需求的能力开始减弱,且单位时间传输带宽功耗也显著增加,预计将逐步成为阻碍图形芯片性能的重要因素。通过 TSV 堆栈的方式,HBM 能达到更高的 I/O 数量,使得显存位宽达到1024位,几乎是GDDR 的32x,HBM 具有显存带宽显著提升,此外还具有更低功耗、更小外形等优势。显存带宽显著提升解决了过去 AI 计算“内存墙”的问题,HBM 逐步提高在中高端数据中心 GPU 中的渗透比率。
TSV技术是HBM的核心技术之一,中微公司是TSV设备主要供应商。硅通孔技术(TSV)为连接硅晶圆两面并与硅衬底和其他通孔绝缘的电互连结构,可以穿过硅基板实现硅片内部垂直电互联,是实现2.5D、3D先进封装的关键技术之一,主要用于硅转接板、芯片三维堆叠等方面。中微公司在2010年就推出了首台TSV深孔硅刻蚀设备PrimoTSV®,提供的8英寸和12英寸硅通孔刻蚀设备,均可刻蚀孔径从低至1微米以下到几百微米的孔洞,并具有工艺协调性。
ALD沉积在HBM工艺中不可或缺,雅克科技是ALD前驱体核心供应商,拓荆科技是ALD设备核心供应商。由于ALD设备可以实现高深宽比、极窄沟槽开口的优异台阶覆盖率及精确薄膜厚度控制,在HBM中先进DRAM加工工艺和TSV加工工艺中是必不可少的工艺环节。雅克科技是国内ALD沉积主要材料前驱体供应商,公司前驱体产品供应HBM核心厂商SK海力士,High-K、硅金属前驱体产品覆盖先进1bDRAM、200层以上3DNAND以及3nm先进逻辑电路等。拓荆科技是国内ALD设备的主要供应商之一,公司PEALD产品用于沉积SiO2、SiN等介质薄膜,在客户端验证顺利;Thermal-ALD产品已完成研发,主要用于沉积Al2O3等金属化合物薄膜。HBM主要应用2.5D+3D先进集成,IC载板是转接板核心材料。
HBM借助TSV技术实现2.5D+3D先进集成,而IC载板是集成电路先进封装环节的关键载体,建立IC芯片与PCB板之间的讯号连接。在目前应用较广的2.5D+3D的先进封装集成电路中,都采用IC载板作为承载芯片的转接板,如AMD2015年推出RadeonR9FuryXGPU中使用了64nm的TSVIC载板作为转接板,NVIDIA的Pascal100GPU基于台积电16nm工艺技术,连接在台积电64nmCoWoS-2转接板上,然后封装在PCB板上完成搭建。
2022年11月,Chatgpt发布,随后生成式人工智能实现了爆发式发展,国内外大厂争相竞逐AI大模型,大模型训练的过程数据吞吐量很大,HBM通过增加带宽和减少功耗有效解决了“内存墙”和“功耗墙”问题,
是目前唯一满足AI高性能计算要求的量产存储方案,因而HBM成为了AI训练芯片的标配。SK海力士公司预测,在2027年之前,HBM市场将以82%的复合增长率保持增长。
股票相关名词解释:高带宽存储器HBM板块
高带宽存储器HBM板块,简称HBM板块,是指在股票市场中,与HBM技术及其产业链相关的上市公司所组成的投资板块。这些公司通常涉及HBM存储芯片的研发、生产、封装测试以及销售等环节,其股价表现往往与HBM技术的发展趋势、市场需求以及公司业绩等因素密切相关。
什么是高带宽存储器HBM?
# 技术特点与优势
高速/高带宽:HBM通过垂直堆叠多个DRAM芯片,利用硅通孔(TSV)和微凸块技术实现高速数据传输。其单引脚最大I/O速度可达数Gbit/s,总带宽远超传统DDR内存,为高性能计算和数据密集型应用提供了强有力的支持。
低功耗:HBM在提升带宽的同时,有效降低了功耗。其堆叠结构使得芯片间的互连距离缩短,减少了信号传输过程中的能量损失,从而提高了能效比。
扩展容量:HBM通过堆叠多个DRAM芯片,可以轻松实现内存容量的扩展,满足大容量数据存储和处理的需求。
# 应用领域与市场需求
HBM技术广泛应用于高性能计算(HPC)、数据中心服务器、专业图形工作站、高端游戏显卡、机器学习加速器等领域。随着人工智能、大数据、云计算等技术的快速发展,这些领域对高带宽、低功耗存储器的需求日益增长,推动了HBM市场的快速发展。
# 产业链与上市公司
HBM产业链包括原材料供应商、封装材料公司、高性能载板生产商、工艺技术公司、封装测试公司、制造公司以及分销商等多个环节。其中,一些上市公司在HBM产业链中占据重要地位,如提供封装材料的宏昌电子、山东华鹏等;生产高性能载板的中京电子、华正新材等;以及封装测试领域的通富微电、长电科技等。这些公司的业绩表现与HBM技术的发展趋势、市场需求等因素密切相关,成为投资者关注的焦点。
# 投资前景与挑战
随着HBM技术在各领域的广泛应用,其市场前景广阔。然而,投资者在关注HBM板块时,也需关注技术更新换代速度、市场竞争加剧、原材料价格波动等风险因素,以做出理性的投资决策。
总结
高带宽存储器HBM以其独特的技术优势,在高性能计算、数据中心等领域展现出巨大的应用潜力。随着技术的不断进步和市场需求的持续增长,HBM板块将成为投资者关注的焦点之一。然而,投资HBM板块也需关注相关风险,以实现稳健的投资回报。
HBM4E将实现单引脚传输速度16Gbps、单堆栈带宽最高约4TB/s。相比此前HBM产品,它进一步提升了AI模型训练和推理所需的数据吞吐能力,被认为是支撑万亿参数模型与AI数据中心扩张的关键基础设施。三星表示,其HBM产品路线图将面向英伟达下一代AI平台进行优化,包括为未来AI系统提供完整存储解决方案。
核心措施包括增加DRAM芯片厚度以及缩小DRAM层间距,目前该技术正处于验证阶段。若成功实现商业化,这一方案有望帮助SK海力士达成英伟达对第六代HBM4设定的顶级性能指标,并为后续产品的性能提升奠定基础。
SK海力士与闪迪联手推进高带宽闪存(HBF)全球标准化,旨在填补HBM与SSD间的层级空白。HBF通过堆叠NAND实现高带宽与大容量平衡,专为AI推理优化。双方在OCP框架下成立工作组,计划2027年商业化,其市场规模有望在长期内超越HBM,成为AI存储架构的关键支撑。
英伟达或被迫放宽HBM4技术规格,在采购顶级芯片同时引入低配版本,以确保Rubin平台量产。三星虽领跑认证,但良率仅60%,SK海力士亦在11Gbps性能达标上遇阻。“双轨采购”已成定局,供应稳定性优先于极致性能。能否在放宽规格后稳定交付,将直接决定供应商份额与英伟达下一代AI芯片落地节奏。
供需缺口高达50%-60%。今日重要性:✨
SK海力士表示,DRAM库存已降至低位且下半年将持续收缩,存储供需紧张局面短期难解。以固态硬盘(SSD)为主的NAND闪存库存自去年下半年以来一直在下降,目前处于与DRAM相当的水平。公司正全力扩产HBM4,目标夺取“压倒性”份额,并坦言目前产能全开仍难满足需求。
HBM4市场竞争进入白热化,报道称SK海力士凭借良品率与客户信任,拿下英伟达Vera Rubin平台约70%的订单,超出市场预期。与此同时,三星电子通过技术反攻,利用1c DRAM工艺提升性能,实现与对手持平的定价,并即将在下月开启量产外发。
三星电子已通过英伟达和AMD的HBM4资格测试,并将于下月开始向英伟达出货。这标志着三星电子在先进存储芯片领域取得关键突破,有望缩小与竞争对手SK海力士的差距。
根据TrendForce集邦咨询最新调查,NVIDIA(英伟达)于2025年第三季调整Rubin平台的HBM4规格,上修对Speed per Pin的要求至高于11Gbps,致使三大HBM供应商需修正设计。此外,AI热潮刺激NVIDIA前一代Blackwell产品需求优于预期,Rubin平台量产时程顺势调整。两项因素皆导致HBM4放量时间点延后,预期最快于2026年第一季末进入量产。
公司发布Q4业绩指引:营业利润预计高达20万亿韩元,同比翻三倍,环比激增64%,创下历史纪录,销售额同样飙升至93万亿韩元的历史最高点。 在AI狂潮的强力助推下,三星正通过“失控式”的量价齐升,或正向华尔街宣告存储芯片最强卖方市场的到来。公司预计本月晚些时候发布完整财报。
随着全球AI算力竞争白热化,HBM等高性能内存成为关键战略资源。微软、谷歌、Meta等巨头已将采购核心团队常驻韩国,以争夺三星和SK海力士有限的产能。然而,两大韩企先进产线已满负荷运转,难以满足全部需求。为此,科技公司正加速将采购与供应链管理岗位向亚洲转移,并招聘兼具技术与商务能力的专家,力图通过贴近制造端来构建供应优势,应对日益严峻的“缺芯”挑战。
与市场担心的“AI需求放缓”截然相反,美光CEO称:2026年的HBM产能不仅没剩,而且已经被锁死。更重要的是,美光警告全行业正面临“结构性短缺”,其目前仅能满足核心客户约一半至三分之二的订单需求。同时,公司正在与客户谈判一种“史无前例”的、更有约束力和有具体承诺的多年期供货合同。
美光宣布将彻底关闭已运营近30年的Crucial品牌业务,将继续通过消费渠道出货产品至2026年2月。美光是全球第三大DRAM供应商,在用于SSD的NAND闪存领域占据13%的市场份额,其退出将在消费级存储市场留下巨大空白,在分析师警告内存短缺可能持续数年之际,尚不清楚是否有公司能够填补这一缺口。
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