2026-08-06 07:25

存储再迎两大风口，长鑫拒绝苹果压价，华为预警内存涨价推升手机成本

A股核心受益公司新品也即将研发完成。今日重要性：✨✨

2026-08-06 04:46

周三（8月5日），美股存储芯片与硬件供应链指数跌2.87%，报197.07点。 美股盘初冲高回落、北京时间21:50刷新日高至206.67点，随后长时间保持在平盘附近，03:00以来持续下跌。 成分股闪迪收跌5.4%，西部数据跌5.36%，泰瑞达、拉姆研究、Rambus、应用材料、希捷科技至多跌3.51%，美光科技涨0.06%。 此外，SK海力士ADR跌2.17%

2026-08-06 04:00

标普500指数收跌12.92点，跌幅0.17%，报7723.55点，临近结束交易时显著下挫，脱离收盘历史最高位。 道琼斯工业平均指数收涨263.24点，涨幅0.49%，报54349.12点，继续创收盘历史新高。 纳斯达克综合指数（纳指）收跌221.554点，跌幅0.83%，报26363.439点。 纳斯达克100指数收跌245.37点，跌幅0.83%，报29487.79点。 纳斯达克科技市值加权指数收跌0.75%，报2970.9421点。 费城半导体指数收跌170.379点，跌幅1.40%，报12008.

2026-08-05 20:40

估值5000亿！国产大模型超级独角兽重启新融资，还在计划建设千兆瓦级AI数据中心，这家华为产业链公司已完成模型深度适配；存储再迎两大风口，长鑫拒绝苹果压价，华为余承东预警内存涨价推升手机成本，这一A股核心受益公司新品也即将研发完成丨8月6日早知道

今日晚报覆盖DeepSeek融资、半导体硅片、存储内存和信创打印四大主线。DeepSeek重启500亿第二轮融资估值5000亿，模型性价比与开源生态构筑资本护城河；硅片方向关注全球三大龙头产线满载、年内两轮提价累计超15%，AI算力驱动硅片需求倍增；存储方向跟踪长鑫拒绝苹果压价、华为预警内存涨价，DRAM供应缺口逐季放大；信创方向商务部发起进口打印设备国家安全调查，国产化市场加速扩张。

2026-08-05 17:39

内存：存储再迎两大风口，长鑫拒绝苹果压价，华为余承东预警内存涨价推升手机成本，这一A股核心受益公司新品也即将研发完成

长鑫存储拒绝苹果LPDDR5X降价要求，华鑫证券指出三星、美光转产HBM为国产DRAM创造窗口期，平安证券判断存储供应缺口逐季放大，产业链盈利水平持续提升。

2026-08-05 16:48

苹果考虑将中国长鑫存储纳入新的供应链，但压价失败

据韩国IT媒体《Digital Daily》引述业内人士报道，苹果此前为了降低成本，曾考虑将中国长鑫存储纳入新的供应链，但如今在进一步压低采购价格的谈判中遭遇阻力。苹果近期为了缓解下一代iPhone及其他智能设备的制造成本压力，与长鑫存储就LPDDR5X等移动DRAM的供货价格进行了谈判，但其降价要求遭到拒绝。据了解，长鑫存储坚持的报价甚至高于三星电子、SK海力士，或者至少与二者处于相近水平。（中国基金报）

2026-08-05 16:40

机构：DDR颗粒涨幅趋缓，NAND价格反弹动能不足

据TrendForce集邦咨询最新发布的存储现货价格趋势报告，DRAM现货价格上涨势头自7月下旬以来有所减弱，4Gb DDR4和2Gb DDR3价格在交易量有限的情况下小幅上涨。NAND闪存方面，尽管本周512GbTLC Wafer的现货价格上涨了4.55%，但由于缺乏强劲的购买需求，价格反弹势头依然疲软。

2026-08-05 05:54

美股存储芯片指数收涨超6.7%，闪迪、泰瑞达涨超10%，超大规模云服务商板块四天涨约16%

周二（8月4日），美股存储芯片与硬件供应链指数涨6.74%，报202.90点。成分股闪迪收涨10.84%，泰瑞达涨10.32%，Rambus、拉姆研究、美光科技至少涨7.62%，应用材料、西部数据至少涨4.05%，希捷科技涨1.72%。此外，SK海力士ADR涨8.17%。 美国科技股七巨头（Magnificent 7）指数涨1.10%，报226.64点，最近四个交易日累计上涨9.25%。 “超大”市值科技股指数涨2.13%，报449.76点，最近四天累涨11.13%。 美股超大规模云服务商（Hyperscalers）涨0.15%，报100.82点，最近四天累涨15.98%。 信息科技指数涨6.56%，报419.77点。 人工智能（AI）赢家指数涨5.63%，报404.93点。 AI软件先驱指数涨5.14%，报124.02点。

2026-08-05 03:49

三星公布全新3D内存路线图，力争在AI技术领域取得领先

三星电子正大力宣传其最先进内存硬件在性能和能效方面的提升，以期在竞争中超越SK海力士和美光科技。三星在一份声明中表示，这一名为zHBM的新系统将高带宽内存垂直堆叠在AI加速器之上，其性能约为下一代HBM5的八倍。作为成为AI时代端到端基础设施提供商努力的一部分，三星还推出了其他新技术，包括zNAND-O和V10 BV-NAND架构。

2026-08-04 22:58

AI存储新赛道，首套高带宽闪存（HBF）标准规范推出

SK海力士与闪迪推出HBF行业首套标准规范，标志着这项技术从概念走向标准化和产业化。今日重要性：✨

2026-08-04 14:42

机构：2027年DRAM供给持续紧张，英伟达评估下调Rubin Ultra HBM配置

根据集邦咨询最新存储器产业研究，由于DRAM供不应求格局将延续至2027年，而且原厂HBM4e的验证进度存在变量，自2026年第三季起，NVIDIA（英伟达）对Rubin Ultra的HBM配置已从HBM4e 12hi，改为并行评估HBM4e 8hi、HBM4 12hi、HBM4 8hi等设计，目前尚未定案。除了NVIDIA外，部分云端服务供应商（CSP）也正考虑调降下一代自研ASIC的HBM容量设计。

2026-08-04 12:14

机构发布二季度DRAM市场格局，长鑫存储增长迅速

Counterpoint Research发布最新全球存储追踪报告显示，2026年第二季度，三星以39%的市场份额重回全球DRAM市场榜首，恢复至2024年水平，SK海力士、美光紧随其后，市场份额分别26%、25%。而长鑫存储成为全球增长最快的DRAM厂商，营收同比增长716%，主要受益于中国市场传统DRAM需求旺盛及产能持续扩张。Counterpoint Research研究副总裁Neil Shah表示表示，2026年下半年，如果长鑫存储能够扩大产能，满足国内外市场需求，其市场份额有望进一步提升，市场格局也可能随之发生变化。

2026-08-02 22:44

国网"十五五"特高压规模翻倍，新型电网投资超5万亿，配网量价齐升拐点初现，这家产业链细分领域龙头企业，海外业务收入迎来显著提升；或为150年来最强！超强厄尔尼诺正在形成，这几类农作物减产确定性高，这只A股是全球天然橡胶产业龙头，年产量在10万吨以上丨8月3日早知道

今日晚报覆盖特高压电网、数据要素词元经济、厄尔尼诺和半导体四大主线。电网方面，国网十五五特高压规模翻倍，新型电网投资超5万亿，配网量价齐升拐点初现；数据要素方面，数博会首次以词元为展题，Token经济升格国家数据战略锚点；厄尔尼诺方面，或为150年来最强，橡胶棕榈油减产确定性高；半导体方面，长鑫LPDDR6进度追平三星海力士，国产DRAM替代空间广阔。

2026-08-01 04:24

周五（7月31日），美股存储芯片与硬件供应链指数跌1.58%，报189.63点，本周累跌5.30%，7月份累计下跌29.25%、整体持续下挫。 2026年1-7月，成分股闪迪累积上涨411.77%，西部数据涨216.5%，希捷科技涨211.64%，美光科技涨188.53%，应用材料涨98.04%，泰瑞达涨90.11%，拉姆研究涨71.50%，Rambus跌0.94%。此外，最近美国IPO的SK海力士ADR跌14.45%

2026-08-01 04:00

标普500指数收涨52.09点，涨幅0.70%，报7489.72点，本周累计上涨1.05%，7月份累计下跌0.13%。 道琼斯工业平均指数收涨276.97点，涨幅0.53%，报52485.03点，本周累涨1.04%，7月份累涨0.32%。 纳斯达克综合指数（纳指）收涨251.676点，涨幅1%，报25373.853点，本周累涨1.59%，7月份累跌3.20%，7月1-15日主要维持微幅下跌状态、16-29日持续下挫、之后略微收复失地。 纳斯达克100指数收涨167.849点，涨幅0.60%，报28274.