

DRAM(内存):股票市场中,DRAM(动态随机存取存储器)板块涉及生产、销售DRAM相关产品的上市企业。DRAM作为内存的主要形式,对计算机性能至关重要。
DRAM(内存):AI 服务器、PC、手机需求带动内存容量升级,HBM 等高价值产品渗透率提升,叠加原厂减产、合约价上涨,国产化进展加速,产业前景向好
存储器(Memory)是用来存储数据、信息和各类程序软件的记忆部件,存储器按照电源在关断后数据是否被保存可分为 RAM(随机存储器)、ROM(只读存储器)和新型 RAM。DRAM(动态随机存取存储器,主要特指 SDRAM)是存储器细分产品中的营收占比最大的产品,DRAM基本存储单元由一个晶体管和一个电容(1T1C)构成,由于存储单元较为简单,因此DRAM 可以实现很高的存储密度和容量,被广泛应用在主机内存上。
DRAM 按照产品分类主要分为 DDR、LPDDR(低功耗)和 GDDR,其中 DDR 主要应用于服务器和 PC 端、LPDDR 主要应用于手机端、GDDR 的主要应用领域为图像处理领域。从市场的角度划分,可以将 DRAM 分为主流 DRAM 和利基型 DRAM,其中主流 DRAM市场的玩家为三星、美光和海力士,国内 DRAM 大厂长鑫存储的定位也在主流 DRAM 市场;利基型 DRAM 市场的玩家相对更为分散,除了三星、美光、海力士之外(逐渐退出该市场),还包含南亚、华邦和兆易创新、北京君正等公司。
股票相关名词解释
DRAM板块在股票市场中,主要指的是专注于动态随机存取存储器(DRAM)研发、生产和销售的上市企业集合。这些企业通常拥有先进的半导体生产技术,为计算机、服务器、智能手机等电子设备提供关键的内存组件。DRAM板块的表现往往与市场对内存需求的增减、技术进步以及行业竞争格局密切相关。
什么是DRAM(内存)的股票类百科
# 一、DRAM基础概念
DRAM,全称Dynamic Random Access Memory,即动态随机存取存储器,是现代计算机系统中不可或缺的存储组件之一。它以电容器存储电荷来表示二进制数据(0或1),具有高密度、低成本和快速访问的特点。DRAM属于易失性存储器,当电源关闭时,数据会丢失。
# 二、DRAM的市场分类
DRAM按照产品分类主要分为DDR、LPDDR和GDDR等。DDR主要应用于服务器和PC端,LPDDR则广泛应用于手机端,而GDDR则主要用于图像处理领域。从市场角度划分,DRAM可分为主流DRAM和利基型DRAM,前者市场主要由三星、美光、海力士等企业主导。
# 三、DRAM的生产与技术
DRAM的生产涉及复杂的半导体工艺技术。企业如美光科技,通过投入大量资金开发先进的工艺技术,以实现更高的数据传动率、更低的功耗、更好的读/写可靠性和更大的内存密度。这些技术的进步不仅提升了DRAM的性能,也推动了相关股票的市场表现。
# 四、DRAM的市场动态
DRAM市场受多种因素影响,包括供需关系、技术进步、行业竞争格局以及宏观经济环境。例如,当数据中心服务器和5G智能手机的需求增加时,DRAM的平均售价和需求量往往随之上升。此外,自然灾害如地震、停电等也可能对DRAM的供应造成短期影响,进而影响相关股票的价格。
# 五、DRAM板块的股票投资
投资于DRAM板块,投资者需要密切关注市场动态、技术进步以及企业竞争力。例如,美光科技作为DRAM行业的领导者,其业绩表现和技术进步往往对板块整体走势具有重要影响。同时,投资者还需关注政策环境、全球经济形势等因素对DRAM市场的潜在影响。
总结
DRAM作为现代计算机系统中的关键存储组件,对计算机性能至关重要。在股票市场中,DRAM板块涉及多家专注于DRAM研发、生产和销售的上市企业。这些企业的市场表现往往与市场对内存需求的增减、技术进步以及行业竞争格局密切相关。投资者在关注DRAM板块时,应综合考虑市场动态、技术进步、企业竞争力以及宏观经济环境等多种因素。
铠侠控股第二财季调整后净利润同比骤降超60%,业绩暴雷引发美股存储板块连锁反应,希捷股价下跌7.29%,西部数据下跌5.39%,美光科技下跌3.25%。分析认为,铠侠业绩不佳可能源于向苹果供应移动NAND芯片的固定价格协议。在现货价格大幅上涨的背景下,这一定价机制使铠侠未能受益于市场行情。
华为在2025年全联接大会上更新了新型磁电存储技术的研发进展。今日重要性:✨
AI服务器搭载的HBM规格从HBM3E走向HBM4,堆叠层数增加的趋势下,NOR Flash用量迎来大幅提升。
大摩称,AI驱动的内存超级周期强度和持久性可能远超市场想象。核心驱动力从价格敏感型传统客户转向对价格不敏感的AI数据中心。近期服务器DRAM报价飙升70%,现货价格涨幅达336%。建议投资者"持有不动"而非择时交易,看好拥有定价权的SK海力士、三星等内存厂商,但警惕下游PC、手机等消费电子领域将面临严重成本压力和利润挤压。
根据TrendForce最新发布的内存现货价格趋势报告,DRAM方面,尽管DDR4和DDR5现货价格因卖家持观望态度而持续攀升,但DRAM芯片报价已超过模块报价,预示着模块价格可能在短期内大幅上涨。与此同时,NAND方面,512Gb TLC NAND晶圆现货价格本周上涨17.1%,达到每片6.455美元。由于预计供应紧张的局面将持续,价格上涨势头可能会延续到下个季度。
此前闪存龙头闪迪11月大幅调涨NAND闪存合约价格。
预计2025年将达到29.4亿美元,到2034年有望增长至124亿美元。
据业内人士透露,SK海力士正在研发高带宽存储(HBS)技术,该技术最多可堆叠16个DRAM和NAND闪存模块,并通过垂直导线扇出(VFO)连接,从而提高数据处理速度,有望让未来的智能手机和平板电脑具备更强大的AI算力。(ETNews)
还有大厂表示目前缺货“30年来最严重”。今日重要性:✨✨
解禁压力也小幅提升。
多个环节涨价不停。
据TrendForce最新发布的存储现货价格趋势报告,DRAM方面,当前部分模组厂面临巨大的备货压力,为保证货源,这些模组厂不计官价与现货之间存在的巨大价差,积极在现货市场购货。受此影响,本周DRAM现货市场价格不断飞涨。其中DDR5芯片本周上涨了30%,原因是整体供应依然紧张,且Kingston等主要模组厂商继续限制出货量。与此同时,NAND方面,现货供应紧张使市场交易量趋于零星,预期后续价格将随着供应持续吃紧而进一步攀升。本周512Gb TLC Wafer现货价格上涨14.21%,单价达$5.514。
中信证券研报认为,三大存储原厂暂停DDR5报价,DDR5现货价格飙升25%,季度涨幅或达30%—50%,存储芯片涨价叠加长鑫存储大幅扩产以及HBM3产品的交付有望进一步带动上游材料端需求持续增长,同时,在外部限制或将加码的背景下,国内将加快科技自立自强步伐,国产替代与自主可控进程或将进一步加速,拉动半导体材料增量需求,建议关注长鑫产业链,重点布局国产半导体材料细分龙头。
分析师预计,基于HBM4的高利润率和通用型DRAM价格飙升,SK海力士明年营业利润可能突破70万亿韩元。其中,HBM业务整体表现预计较今年(销售额约30万亿韩元,营业利润17万亿韩元)增长40%至50%。
从华强北商家了解到,9月底 DDR4 16G内存条的价格200多元,DDR5 16G的价格在390元左右。而目前主流电商平台上,一些热销的DDR4 16G内存条价格在350元~520元之间,DDR5 16G的价格达到600元左右。业内人士认为,供应短缺的局面短期难以扭转。存储模组厂威刚董事长陈立白表示,当前DRAM、NAND闪存、SSD和机械硬盘四大存储类别全面缺货涨价的局面,在他三十余年的从业生涯中前所未见,预计第四季度才是存储严重缺货的开始。TrendForce集邦咨询许家源表示,未来DDR4供给预计持续紧缺,至少延续至2026年第一季度。(一财)
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