【三星因AI芯片需求激增上调代工价格 部分先进制程涨幅最高达15%】 财联社8月19日电，据报道，随着人工智能（AI）芯片需求推高产能紧张程度，三星电子已针对部分先进晶圆代工服务的新订单上调价格，涨幅最高达到15%。这一变化发生在长期由台积电主导的晶圆代工市场，三星正受益于AI芯片需求外溢带来的产能紧缺。 三星于7月提高了采用4纳米制程（SF4）生产芯片的价格。客户的SF4订单价格较上月上涨10%至15%。此外，三星5纳米SF5制程晶圆价格上涨10%至15%，较老的8纳米制程价格上涨近10%。 三星预计，今年先进制程将贡献晶圆代工业务超过一半的收入，而AI和高性能计算（HPC）应用占比将超过30%，高于2025年末的15%至20%。由于台积电产能趋紧，三星获得了更强的价格谈判能力。一名熟悉三星运营情况的人士表示，三星位于韩国平泽工厂的SF4生产线自去年年底以来一直满负荷运行。 【海力士拟大规模回购股票 美股存储盘前上涨】 8月19日，海力士宣布290亿美元股票回购计划，以缓解投资者对AI支出可持续性的担忧。周三提交的监管备案文件显示，该公司称其将在周四至11月19日期间回购并注销至多2400万股库存股份。 截至目前，SK海力士ADR盘前上涨3.81%（消息出后盘前一度涨7.1%）。 【大摩：成熟制程DRAM或涨价50%】 据财联社8月19日消息，第三季度的全球内存涨价情况仍然严重。根据摩根士丹利的最新预测，2026年第三季度，DDR4等成熟DRAM的价格将上涨50%，第四季度将再涨10%。 摩根士丹利表示，成熟的DRAM和NAND芯片的供应紧张局面，即将进一步恶化。而造成这一局面的主要原因在于供应端的产能转移，存储器制造商正持续将产能转向HBM、DDR5和更高层数的NAND闪存。而新型DDR5芯片的零售价格也丝毫没有降温的迹象，据美国银行的数据，8月，DDR5-5600/640024GB的现货价格环比上涨了8%，同比涨幅高达483%。 大摩还强调，SLCNAND闪存的价格涨幅可能将更加激进，该机构预计该品类在今年剩余的两个季度中每个季度都将上涨50%。 HBM消耗的硅晶圆数量大约是传统DRAM的三倍。这是因为其垂直堆叠的层结构，且由于每颗裸片都要内置成千上万个硅通孔 (TSV) 以及相应的禁布区，大大降低了有效存储阵列面积。 与此同时，人工智能行业对HBM的需求还在不断增长。瑞银最近预测，到2027年，仅英伟达一家就将消耗约251亿GB的HBM，而整个行业需求总量约为615亿GB。 这种情况下，DDR4、SLC NAND和NOR Flash的新增供应非常有限。摩根士丹利指出，这导致成熟内存的长期合同较少，这实际上可能使供应商在短期拥有更大的定价权。 大摩因此上调了旺宏电子、华邦电子、力积电以及兆易创新的盈利预期，而台湾爱普科技仍然是大摩的首选股。