提要： 1、存储：美光科技拟收购力积电,扩充DRAM产能;美商务部长威胁：要么在美本土建设、要么支付100%关税;受存储涨价影响，手机厂商下调出货预期; 2、氮化镓等功率半导体：我国攻克芯片散热世界难题，氮化镓射频芯片性能提升。 3、半导体设备：我国已全面掌握串列型高能氢离子注入机的全链路研发技术。 【美光科技拟以18亿美元收购力积电 以扩充其存储芯片产能】 财联社1月17日电，美光科技已签署一份意向书，拟以18亿美元从力晶积成电子制造股份有限公司（力积电：中国台湾第三大晶圆代工厂）收购其位于中国台湾的一处晶圆厂设施，以扩充其存储芯片产能。 美光周六发布公告称，公司将接管位于台湾铜锣的P5厂区，并计划在交易于第二季度完成后分阶段提升DRAM产量。预计该交易将在2027年下半年带来显著的DRAM晶圆产出。并表示，双方将就美光的晶圆后段封装与组装展开合作，并支持力积电的传统DRAM产品组合。 【美商务部长威胁：关于建设存储芯片（产能）要么在美国本土建设、要么支付100%关税 】 财联社1月17日电，美商务部长卢特尼克回复“存储芯片威胁一事被认为相关表态瞄准韩国”时称，“任何想要建设存储（产能）的人都有两种选择：要么支付100%的关税，要么在美国本土进行建设。”他未提及任何具体的公司名称，仅声称“这就是产业政策。” 截至目前，三星和SK海力士发言人未立即回应置评请求。 【受存储涨价影响，四家手机厂商下调全年出货预期】 16日据界面新闻，受上游供应链存储涨价影响，多家手机厂商近日下调全年整机订单数量，小米、OPPO下调超20%，vivo下调近15%，传音下调至7000万台以下，各家下调机型主要都侧重在中低端和海外产品。对此消息，小米、OPPO、vivo、传音等厂商并未对作出回应。 【Omdia：AI 推动半导体行业收入在 2026 年首破1万亿美元大关】 IT之家1月16日消息，机构 Omdia 在英国伦敦当地时间昨日的新闻稿中表示，根据其最新市场分析，在人工智能市场的巨大需求推动下，2026 年全球半导体行业收入将首次突破 1 万亿美元，同比增长率则将达到 30.7%。 从AI需求中受益最为显著的当属存储IC，其市场规模将在2026年增长约90%。而按领域划分，计算与数据存储在2026年将出现41.4%的同比增长，总额超5000亿美元；消费电子和无线应用领域也将各自为整体增幅创造贡献。 【西电团队攻克芯片散热世界难题：氮化镓射频芯片性能提升30%到40%】 1月17日据西安电子科技大学官方消息，西安电子科技大学郝跃院士、张进成教授团队攻克芯片散热世界难题。团队将材料 “岛状” 连接转化为原子级平整 “薄膜”，基于该氮化铝薄膜技术制备的氮化镓微波功率器件，在X波段、Ka波段输出功率密度达42 W/mm、20 W/mm，将国际同类器件性能提升30%-40%，系近二十年该领域最大突破。（该难题是射频芯片功率提升的最大瓶颈。技术突破可在不增加芯片面积的前提下，延长装备探测距离，提升通信基站信号覆盖范围、降低能耗，为5G/6G通信、卫星互联网等未来产业储备核心器件能力。） 【我国首台串列型高能氢离子注入机成功出束】 财联社1月17日电，中核集团透露，由中核集团中国原子能科学研究院自主研制的我国首台串列型高能氢离子注入机（POWER-750H）近日成功出束，核心指标达到国际先进水平。标志着我国已全面掌握串列型高能氢离子注入机的全链路研发技术，攻克了功率半导体制造链关键环节。（离子注入机与光刻机、刻蚀机、薄膜沉积设备并称为芯片制造“四大核心装备”，是半导体制造不可或缺的“刚需”设备。） 【事关特斯拉FSD功能的推广速度：Ai5芯片收尾在即 Ai6已开始研发】 快科技1月18日消息，特斯拉首席执行官马斯克发文透露，公司用于完全自动驾驶系统的AI5芯片设计工作已接近完成，现处于开发下一代AI6的早期阶段，特斯拉未来还将推出AI7、AI8、AI9的芯片，目标在9个月内完成设计周期。 业内分析认为，该芯片的量产进度将直接影响特斯拉FSD功能的推广速度。生产进度方面，AI5芯片样品及小规模部署计划于2026年推进，大规模量产预计在2027年完成。AI6芯片预计于2028年推出，2028年中期实现大规模量产。