韩国记忆体大厂SK海力士（SK hynix）将于8月27日为美国印第安纳州西拉法叶（West Lafayette）先进封装厂举行动土仪式，总投资额达38.7亿美元，锁定人工智慧（AI）所需高频宽记忆体（HBM），预计2028年下半年开始量产。

韩联社等韩媒报导，知情人士透露，SK海力士执行长郭鲁正（Kwak Noh-Jung）将出席典礼，并邀请多家全球科技大厂高层参加，而SK集团会长崔泰源（Chey Tae-won）与辉达（NVIDIA）执行长黄仁勋是否同台现身，更成为市场关注焦点。 SK海力士与辉达近年在AI资料中心、HBM与GPU等方面是密切合作的伙伴，崔泰源与黄仁勋去年以来也多次在韩国及美国会面。

市场同时紧盯崔泰源届时是否会释出更多赴美投资计画。崔日前接受美媒访问时表示，若电力、水资源、人力及供应链等条件成熟，不排除进一步在美扩充记忆体生产布局。

美国政府已透过《芯片法案》资助SK海力士4.5亿美元，并提供5亿美元的贷款，协助在美建立先进半导体产能。随着华府持续要求韩系芯片业者扩大在美制造，SK海力士后续投资动向备受关注。

除了美国布局，SK海力士今年1月也宣布砸19兆韩元（约130亿美元）在韩国清州兴建P&T7先进封测厂，预计2027年底完工、2028年全面投产，与韩国利川M16厂、印第安纳州西拉法叶厂共同投入高阶封装产能，抢攻快速成长的AI记忆体商机。