英特尔EMIB-T先进封装良率与订单大跃进，传成本约比台积电CoWoS低50%，吸引联发科、博通、Meta等大咖跃跃欲试下单。力积电独家供应英特尔关键硅电容（Silicon Capacitor），现有产能已被客户全数扫光，正积极扩产因应，成为英特尔台厂供应链最大赢家。

另外，联电负责为英特尔代工埋设于基板内的关键元件「硅桥」，接单同步火热。

英特尔近年积极冲刺18A、14A等先进制程之余，同步扩大先进封装量能。力积电以多年布局的12吋IPD（整合型被动元件）平台切入英特尔EMIB供应体系，独家供应硅电容。

业界指出，相较传统积层陶瓷电容（MLCC），硅电容可直接整合于封装内部，不仅缩短供电路径，更能有效改善电源完整性（Power Integrity），成为AI（人工智慧）晶片、高速运算晶片不可或缺的重要元件。

随着英特尔先进封装接单强劲，力积电目前硅电容产能几乎全数被客户预定一空，力积电内部更形容「有多少、客户就拉走多少」，目前正持续扩充产能，以因应后续AI晶片及高阶封装需求。

业界认为，随着AI GPU、ASIC及高速网通晶片朝更高功耗发展，硅电容需求可望同步放大，将成为力积电未来布局特殊制程的重要成长引擎，也有助提升产品组合及获利能力。

联电则负责代工EMIB埋设于基板内的关键元件硅桥，与力积电分别掌握不同关键零组件，卡位AI、高效能运算（HPC）封装商机。

联电凭借成熟12吋制程技术切入EMIB供应链，负责制造EMIB技术中的硅桥元件。业界分析，EMIB不同于传统大型硅中介层（Interposer），系将小尺寸硅桥嵌入封装基板内，作为晶片间高速互连桥梁，在降低成本的同时，仍能提供高频宽、高密度讯号传输能力，近年逐步成为AI与HPC晶片的重要封装方案。

业界透露，联电现阶段由台湾及新加坡12吋厂生产相关产品，提供英特尔及合作伙伴使用。随着EMIB应用范围持续扩大，相关订单亦稳步增温，且由于EMIB可降低大型硅中介层成本，同时有助缓解CoWoS先进封装产能吃紧问题，在AI晶片朝多晶粒（Chiplet）架构发展趋势下，看好未来需求仍具成长空间。

外媒报导，英特尔的EMIB-T先进封装技术良率已突破九成，预计明年开始量产，成本只要台积电CoWoS的一半，轰动业界，并成功拿下联发科订单，博通、Meta等大咖也正评估采用