先进的逻辑电路、DRAM、HBM和先进的封装技术将推动晶圆制造设备在 2031年前达到历史新高。

尽管终端市场需求不均衡，但半导体设备支出正进入受地缘政治、主权战略和技术路线图影响的新增长周期。芯片制造商的盈利能力依然面临压力，产能过剩、晶圆厂冗余和低利用率的风险依然存在。然而，晶圆厂设备（WFE）收入预计仍将增长。Yole Group 的分析师指出，市场驱动因素包括先进逻辑、DRAM/HBM、NAND 和先进封装等领域设备密集度的提高。

2025年，晶圆厂设备（WFE）销售收入达到1290亿美元，预计到2031年将接近2200亿美元，2025年至2031年的复合年增长率（CAGR）为9%。累计销售额将超过1.2万亿美元。这一增长得益于不断扩大的装机量、持续的服务合同以及日益复杂的晶圆厂自动化需求。 

市场集中度依然很高，排名前五的WFE供应商：ASML、Applied Materials、Lam Research、Tokyo Electron和KLA，预计到2025年将占据约70%的市场份额。这种市场结构反映了将特定工艺设备扩展到大规模生产所需的高准入门槛和漫长的认证周期。即便如此，这种市场集中度正日益受到中国供应商的挑战。中国供应商的进步是实实在在的，但高度依赖于细分市场：他们在沉积、蚀刻和CMP领域实力雄厚，但在光刻和计量检测工具领域仍然微不足道。

Yole表示，如今，全球每三件工具中就有一件出口到中国。真正的问题不再是他们是否购买，而是他们还能维持多久。

按设备技术划分，图案化技术在 2025 年占据 WFE 的 27% 市场份额，预计到 2031 年将以 10.9% 的复合年增长率增长至约 650 亿美元，累计价值约为 3645 亿美元，这主要得益于 EUV 和高数值孔径 (High-NA) 制备技术的推动。

预计到2025年，沉积工艺将占晶圆制造设备（WFE）的26%，年复合增长率将超过9%；蚀刻和清洗工艺将占23%，年复合增长率将达到8%；计量和检测工艺将占WFE的14%，年复合增长率将达到9.6%；晶圆键合工艺虽然在2025年占市场份额不足1%，但预计到2031年将以超过10%的年复合增长率超越整体市场增长。

Yole认为，在技前沿，复杂性才是真正的增长驱动力：每一次向 GAA 和 3D 堆叠技术的演进都会增加图案的复杂性，同时也增加了检测的难度。先进的封装技术更是加剧了这一问题，因为混合键合和3D 堆叠技术会将缺陷隐藏在光学工具无法穿透的不透明层之下。

按器件应用划分，先进逻辑器件（7nm以下）在2025年占WFE收入的27%，预计到2031年将达到约34%。在GAA、更高EUV光刻强度和背面供电技术的推动下，该细分市场正成为市场的主要增长引擎。先进封装在2025年约占WFE收入的7%，预计到2031年将增长至约9%，这主要得益于HBM、芯片组、混合键合和2.5D/3D集成技术的进步。这一发展趋势凸显了行业向更高价值、更复杂设备的转型。

据北方华创披露投资者活动记录表显示，从目前行业景气度和客户端资本开支规划来看，2026年国内逻辑、存储、先进封装等领域需求保持旺盛。公司对2026年整体订单规模保持乐观。

2026-2027年国内半导体设备整体资本开支仍会维持高位，整体处在景气扩张区间。核心驱动主要来自两大主线：一是下游新兴应用需求爆发，AI算力芯片、HBM及先进存储等领域产能扩建需求旺盛；二是国产化替代加速推进，国产设备的验证广度和导入深度均显著加快。从细分领域增速来看，存储、先进逻辑和先进封装均保持快速增长；成熟逻辑、功率及特色工艺领域设备需求保持稳健。刻蚀、薄膜沉积属于晶圆制造核心工艺设备，受益于逻辑、存储制程迭代和先进封装扩产，未来三年行业需求会保持中长期稳健增长。

据中微公司披露投资者活动记录表显示，人工智能的发展极大的提升了存储器件的需求，国内外存储客户的扩产需求旺盛。同时，存储器件从二维到三维结构的转变使得等离子体刻蚀和薄膜设备成为更加关键且市场空间持续增长的核心设备。经过近些年快速发展，国产设备已经有大量产品通过客户验证，设备国产化率将进一步提升。目前，中微公司在高深宽比刻蚀、高深宽比填充等核心工艺均已经实现机台稳定运行，并大批量出货。存储器件3D 化的趋势非常明确，公司硅锗 EPI、PECVD 等产品储备充分，将加快更多的高端刻蚀、薄膜等新品在存储客户的导入，未来的发展会充分受益于存储行业大发展。

中微公司在薄膜沉积领域已经有多年的技术积累，并且在全球半导体设备评比中连续多次获得薄膜沉积设备评比的第一。等离子体刻蚀和薄膜沉积设备都属于真空类工艺设备，两种产品有一定共通性。中微公司拥有强大的研发团队，成熟的研发体系和供应链体系，使得我们在开发新产品的周期大幅缩短。根据客户需求，公司未来将全面布局全部的 8 大类薄膜产品，开发绝大部分的薄膜设备，长期来看薄膜产品占比将持续提升。在新产品设计时，公司会深入分析市场上的现有产品特点，根据市场需求和应用痛点做差异化、自主知识产权的创新型设备。例如，中微公司新开发的 CuBS PVD 超多反应腔集成设备，配置 14 个反应腔、对称双路径设计，显著提升设备稼动率，获得多家头部客户认可并已交付至国内先进逻辑器件研发线验证。