800VDC是供电架构升级迭代的重要催化

800VDC通过提高母线电压、降低传输电流、缩短供电路径，推动AIDC供电由交流入柜向直流入柜演进；根据NVIDIA、Google及主流电力设备厂商的产业链进度，27-28年是800VDC验证到渗透的关键窗口。

柜外：交流输出走向直流输出，价值量提升主要在电源主机

柜外电源由交流输出向直流输出迭代，既带来电源形态的改变，也伴随着价值量提升。（1）传统交流供电方案，计入UPS及备电后价值量约1.5元/W；（2）800V直流供电时代，分布式Power Rack方案HVDC价值量约3-5元/W（含内部CBU、BBU等），过渡至集中式HVDC（巴拿马电源等方案）约2-4元/W，最终方案SST产业化初期约3-5元/W。

柜内：PSU功率密度提升，直流入柜后增设800V DC/DC环节

从Blackwell一代GPU迭代至Rubin一代，NVL72标准机柜中的Power Shelf从33kW提升至110kW，促使单W价值量提升。采用800V直流入柜后，柜内还将增设800V DC/DC Shelf。PSU（Power Shelf）与800V DCDC Shelf占VR NVL72以及后续800V入柜后价值量最大成分，达到8万美元/柜、5-6万美元/柜，折合单W约1.2元/W、0.6-0.8元/W。

板级：价值量集中在50V-12V、12V-1V两级降压环节

目前主流板级电源方案为50V→12V（IBC），12V→1V（VRM）两级降压。经测算，VR NVL72中板级电源占柜内电源价值量约40%，其中12V-1V环节（VRM）价值量最高，由DrMOS（80%）、功率电感及多相控制器构成，占柜内电源价值量26.5%左右；其次为50V-12V环节（IBC）和其他被动元器件等，分别占7%左右。

投资建议：把握800V趋势下电源价值量集中环节

供电架构演进趋势：从480VAC到800V/±400VDC

NVIDIA 800V供电方案白皮书明确指出，AIDC供电由交流向直流演化已是大势所趋。随AI机柜功率进入百kW级、甚至MW级，传统415/480VAC入柜方案面临电流过大、铜排/线缆/接插件占用上升、转换环节复杂和供电效率下降等问题；同等功率下，提高供电电压、降低传输电流已成为必然趋势。

±400VDC/800VDC方案可通过提升母线电压，显著减少铜耗，压缩IT机柜内供电模块，并为储能、BBU及直流配电接入创造条件。短期看，800VDC会先通过侧柜方式渗透白区，后续演变为设施级HVDC、巴拿马电源等进阶方案。长期看，SST能直接将13.8kV/35kV中压交流转化为800VDC，为AIDC供电终局方向。

从NVIDIA与Google两条迭代路线看，27-28年是800VDC验证到渗透的关键窗口。一方面，英伟达机柜功率将随着每年一代机柜推出持续上行，Google TPU路线同样指向更高功率密度（按SuporPod高密度集群，单柜功率也可达到MW级）。

另一方面，英伟达官方及黄仁勋多次强调：26年Rubin不会延期，27年Rubin Ultra仍按计划推进，Kyber/NVL144仍是目标形态，而不会推迟至28年/28年底。

柜外演进趋势：交流入柜到直流入柜，供电链路不断简化

1、800VDC推动柜外电源由交流向直流迭代，结构简化、效率提升是追求方向

柜外从交流向直流的演进趋势大致可分为三个阶段：第一阶段仍为交流供电，主要柜外供电设备为UPS，通过将电压提升至中压UPS可以释放部分灰区空间；第二阶段通过边柜（sidecar）在白区完成AC/DC转换，实现初步的800VDC入柜；第三阶段将整流功能前移至灰区，替代低压UPS、交流输配电设施，减少转换级数与设备占地；最终阶段使用SST，进一步省去工频变压器。

整个演进过程不断释放灰区空间、缩短供电路径并提升系统效率，同时电源技术中心也转向高频变换、高压直流关断、绝缘、故障保护及系统控制等。

Power Rack / Side Car：本质上为部署在IT机柜近端的独立电源柜，在基本保留灰区配电链路基础上，通过在白区末端供电环节改造，实现480VDC转±400VDC或800VDC。内部集成PDU、Power Shelf以及保护设备等，并按需配置BBU、CBU，将IT机柜内电源模块部分外置，释放IT机柜内算力空间。

HVDC（集中式/巴拿马）：进一步将AC/DC整流环节从边柜前移至灰区，通过集中式大功率整流形成800VDC，并开展设施级高压直流配电。巴拿马电源（整流不间断电源方式）柔性集成10kV AC配电、移相变压器、整流器等环节，通过移相变压器替代普通工频变压器，使供电链路更短、集成度更高。

SST：AIDC供电最终形态，约束在于工程可靠性与产业化验证。架构上，SST能直接连接中压电网与800VDC母线，减少整流、变压等设备层，释放灰区空间并降低转换损耗，为支撑高功率密度AIDC的最简洁路径。但目前仍需解决可靠性、保护、接地、故障隔离和长期运行验证等工程问题。

供电链路价值量：（1）传统链路：计入UPS及备电系统后，单位价值量在1.5元/W。

（2）800V HVDC：Power Rack为第一阶段，整体价格在3-5元/W，上限取决于BBU、CBU配置需求；后续过渡至HVDC（巴拿马电源等方案）约2-4元/W，最终方案SST产业化初期约3-5元/W。

2、Power Rack：800V HVDC第一过渡阶段，是目前云厂与电源厂的主流

目前多数电源厂商更倾向于优先布局Power Rack，并已推出较多产品与解决方案。我们参考OCP、以及台达、光宝等厂商已披露的方案，绘制了Power Rack与下一代Vera Rubin Ultra NVL144（Kyber）机柜的组合示意图（Power Rack也可搭配VR NVL72）。

考虑到NVL144未来可能部分采用Power Rack供电模式，机柜结构参考目前披露的设计，采用竖向计算刀片布局，上下各配置18个计算刀片，每个刀片集成4颗GPU和2颗CPU，整柜合计144颗GPU；相邻Power Rack则集成480VAC输入，通过母排或线缆向NVL144机柜提供800VDC或±400VDC电力。

Power Rack价值量测算：我们根据台达、光宝典型的最近一代660kW Power Rack配置进行拆分。系统配置8个110kW Power Shelf（冗余配置），每Shelf由6个18kW PSU组成，IT机柜内进一步配置180kW的800V-50V DC/DC Shelf，由8个22.5kW模块组成。备电分别配置BBU，CBU，用于断电穿越和GPU瞬态负载缓冲。

经拆分测算，Power Shelf为价值量最大环节，约0.2美元/W，占Power Rack系统40%；其次为DC/DC shelf；BBU、CBU通常根据备电时长、负载波动及客户冗余要求灵活选配，配置容量和价值量弹性较大。

柜内演进趋势：PSU功率提升，800V走向柜外，柜内增设DC/DC 

PSU单体功率随AI机柜功率密度提升。GB200/GB300 NVL72采用5.5kW PSU，通常由6个模块组成33kW Power Shelf；下一代方案中，PSU单体功率将提升至18—18.5kW，6个模块可组成约110kW Power Shelf，并应用于660kW Power Rack及Vera Rubin NVL72等高功率机柜。

未来随着800VDC架构进一步演进，PSU将逐步从IT机柜外置至Power Rack/Sidecar，单体功率有望提升至约30kW，成组后的Power Shelf功率进一步提高至约180kW。

PSU迭代带动Power Shelf功率提升。GB200/GB300 NVL72配置8个33kW Power Shelf，每个Power Shelf由6个5.5kW PSU组成；Vera Rubin NVL72预计升级为4个110kW Power Shelf，每个Power Shelf由6个约18-18.5kW PSU组成。

未来随800VDC架构演进，Power Shelf功率将继续提升，同时外置于Power Rack中，释放柜内IT空间。

800VDC入柜将引入高压DC/DC环节。过渡阶段，800VDC通过柜内DC/DC Shelf降压至54VDC，再进入Compute Tray，通过IBC、VRM两级降压至1V为GPU供电，可兼容Vera Rubin、Rubin Ultra等平台。

板级800VDC降压后续有望进一步简化柜内结构：未来方向为通过800VDC直降12V或6V，800VDC将通过柜内高压Busbar直接进入Compute Tray。DC/DC环节从柜级下沉至托盘内，进一步减少中间电压层级和转换环节。

板级演进趋势：50V-12V和12V-1V两级降压设备为关键

板级供电架构：50V→12V→1V两级降压

目前主流板级供电方案为50V-12V、12V-1V两级降压架构。50VDC进入Compute Tray后，先由IBC降至12V，再通过PoL（多相VRM）将12V降至1V及以下的芯片核电压，形成两级降压路径。

具体来看，Vera Rubin计算托盘采用50VDC入Tray，并在托盘内部完成分布式供电。左右两侧Strata板直接接收50VDC，并在板上完成50V→12V→1V以下的两级降压。

板底部IBC先将50VDC降至12VDC，再由多相VRM降至Rubin GPU和Vera CPU所需的核心电压。相较Grace Blackwell由PDB向Bianca板提供12VDC，Vera Rubin将50V→12V转换环节下沉至高功率Strata板附近，可显著降低板间传输电流及导通损耗。

IBC、VRM分别是完成50V-12V、12V-1V的关键设备

二次电源（IBC）是连接50V级中间母线与低压负载的关键DC/DC环节，负责将50VDC降至12V/6V。AI服务器中，IBC（当前为Si方案）通常靠近计算板部署，为后级多相VRM提供中间母线电压。

英飞凌下一代IBC方案采用GaN器件与混合开关电容（HSC）拓扑。HSC结合开关电容与LLC的特点，可实现零电压导通和近零电流关断；GaN器件则凭借低栅极电荷、高开关速度和较低损耗，支持更高开关频率，从而缩小磁性器件与模块体积，进一步提升IBC效率和功率密度。

三次电源（VRM）紧贴GPU、CPU及ASIC，负责将12V低压降至1V及以下。随AI芯片功率提升，电流将呈指数级提升，VRM需同时满足高效率、高功率密度和快速瞬态响应要求。

当前主流方案仍是基于Si DrMOS的多相Buck架构。每相通常由DrMOS和功率电感组成，并由多相控制器统一调度；下一代将逐步向TLVR拓扑演进，通过改变电感耦合方式，以改善动态响应。

随AI芯片功率持续提升，供电架构将由横向供电逐步向垂直供电（VPD）演进，将供电模块VRM布置在GPU/CPU封装下方位置，使较高电压直接进入封装附近完成降压，显著缩短大电流传输路径，降低PDN损耗和PCB空间占用，并提升供电密度与瞬态响应能力。

VR200 NVL72单柜电源价值量测算：我们根据英伟达VR200 NVL72配置，对单柜电源价值量进行拆分测算（BBU选配省略），整体可分为柜内电源与板级电源两部分，电源总价值量在14-16万美元左右。

柜内电源中，Power Shelf为价值量最大环节；板级电源中，三次电源VRM价值量最高，主要由DrMOS、功率电感及多相控制器构成，其中DrMOS占比最大（80%）；其次为二次电源IBC。

投资建议：聚焦800VDC架构下柜外、柜内、板级价值量集中环节

我们系统梳理了800VDC架构下柜外、柜内及板级三层供电体系的演进方向。柜外：由交流入柜转向直流入柜，从机柜末端（白区）改造到灰区配电链路压缩，释放灰区空间、缩短供电路径并提升系统效率。柜内：电源模块功率持续提升，从AC/DC Power Shelf迈向DC/DC Shelf，供电链路加速精简，下沉至计算托盘侧。板级：随芯片功率提升用量大大提升，并由Si基器件向GaN基器件迭代，电感、电容等被动元器件同步升级。