7月27日上午9时30分,国内DRAM存储芯片绝对龙头长鑫科技集团股份有限公司(股票简称:长鑫科技,代码:688825)登陆上海证券交易所科创板,这场上市盛宴直接改写A股历史,一连刷新十余项A股及科创板历史第一,成为A股IPO史上含金量、热度、体量均登顶的标杆级上市。
长鑫科技开盘大幅高开471.59%,报49.50元/股,开盘总市值直冲3.31万亿元,收盘市值稳定在3.28万亿元,不仅成功登顶A股市值榜首,甚至反超美股英特尔同期市值,跻身全球存储芯片头部阵营。

上市首日,创多项A股IPO纪录
此次上市最具里程碑意义的突破,是长鑫科技成为A股有史以来首家登顶总市值榜首的科技企业。其彻底打破过去数十年传统金融巨头、消费蓝筹对A股市值第一席位的长期垄断;同时,创下A股首只开盘市值突破3万亿元的科技股纪录,单家企业开盘体量近乎两个贵州茅台,刷新A股科技企业市值天花板,坐稳科创板有史以来市值最高上市公司的位置。
市场交投热度更是创下空前绝后的历史极值,演绎了A股史上最火爆的新股交易行情。长鑫科技上市首日引爆市场资金,不仅刷新多项尘封多年的成交纪录,更诞生了多个独一无二的A股交易历史。
上市仅十余分钟,公司成交额便快速攀升,9:49率先刷新A股上市首日成交额历史纪录,10:04突破900亿元关口,超越东方财富创下的历史峰值,上市首小时成功突破千亿成交额,成为A股史上首只单日成交额破千亿的个股,全天最终成交额高达1411亿元,再度刷新A股个股单日成交额最高纪录。
极致的交投活跃度还缔造了全新历史,首日换手率最高达53.72%,45亿股流通盘实现过半换手,成为A股达成千亿成交额叠加50%以上超高换手率的新股,空前的资金涌入量甚至造成多家头部券商交易系统盘中卡顿。
IPO募资层面,长鑫科技同样包揽多项历史之最,坐稳A股科技IPO募资头把交椅。公司首发基础募资579亿元,一举打破中芯国际保持的纪录,成为科创板开板以来最大规模IPO。在全额行使绿鞋超额配售选择权后,募资总额攀升至666亿元,位列A股历史第三大IPO,仅次于农业银行、中国石油两大巨无霸项目,也是近十年A股最大IPO、A股募资规模最高的科技企业IPO,创下国内半导体赛道上市募资的终极纪录。
作为科创板首单获受理的“预先审阅”项目,长鑫科技创下大型国产存储原厂最快IPO审核纪录——从2025年12月30日正式受理,到2026年5月27日顺利过会,全程仅耗时148天,为国内科创企业IPO审核树立全新标杆。
申购阶段市场参与热情空前高涨,本次发行网上有效申购户数高达942.88万户,0.4714%的中签率创下科创板历史新高。亮眼的打新收益也同步刷新年内水平,投资者单签仅需缴款4330元,开盘后单签浮盈便高达2.04万元,成为年内收益表现最突出的新股之一。
掀起资本浪潮,各路投资回报创纪录
长鑫科技本次战略配售亦堪称A股科技IPO史上顶配阵容,落地战略配售总金额达144.37亿元,汇聚全产业链核心龙头资本。战配投资者阵容涵盖全国社保基金、国家级产业投资基金等长线核心资本,囊括中微公司、拓荆科技、安集科技、通富微电、澜起科技等一众半导体设备、材料、封测、芯片接口领域的行业龙头,同时深度绑定阿里云、腾讯、小米、TCL科技、蔚来等算力、消费电子、智能汽车下游终端巨头,形成从上游芯片制造到下游终端应用的全产业链资本加持,为公司长期发展筑牢产业与资本双重壁垒。

而随着长鑫科技登陆资本市场,一场史诗级的财富兑现如期上演,国家基金、地方国资、产业资本、企业员工纷纷收获丰厚回报,多项投资回报纪录被刷新。
其中,国家大基金二期创下成立以来单笔最大账面盈利。2021年首轮47.6亿元入局,后续持续追加,持股8.73%对应开盘市值2889.63亿元,账面浮盈超2600亿;若仅计算首轮投入,投资回报接超50倍,远超大基金过往项目。
合肥国资书写地方政府产业投资传奇。10年累计投入260亿至300亿元,开盘对应账面资产1.22万亿元,浮盈超1.19万亿元,回报超40倍,成为政府产业投资标志性案例。
创始人与员工层面同样诞生多项纪录。朱一明推出A股史上规模最大个人股权激励,7.68亿股无偿授予员工,对应开盘价值约380亿元,设置长达20年减持约束。第二期员工持股成本仅0.108元每股,开盘回报约458倍,377名员工参与配售,至少237人开盘即成为千万富翁。
阿里累计投入约76亿元,发行后持股约4.52%,对应账面约1496亿元,回报约20倍;兆易创新是前十大股东中唯一的A股上市公司,持股1.8%(发行后约1.64%),对应账面约542亿元;累计投入仅23亿元,回报约24倍。
繁荣背后亦有遗憾。2024年12月,汇碧五号(碧桂园创投关联方)将其持有的长鑫科技1.56%的股份以20亿元的价格转让给合肥建长,转让价格为2.22元/股。按午盘价计算,汇碧五号错失了超470亿元的浮盈。
全天涨幅465.82%,板块虹吸效应显现
截至7月27日收盘,长鑫科技报49.00元/股。上市首日,长鑫科技全天涨幅465.82%、成交额达1411亿元,创造A股个股单日新高。此外,总市值达到约3.28万亿元,登上A股市值榜首位置。
2016年,长鑫科技在安徽合肥成立,是我国规模最大、技术最先进、布局最全的动态随机存取存储器(DRAM)研发设计制造一体化企业。长鑫科技董事长朱一明在此前上市路演中指出,登陆资本市场,对长鑫科技而言,既是新的起点,更意味着新的责任。希望通过本次募集资金投资项目,进一步提升公司技术研发能力和产业化水平,发挥龙头企业的带动作用,促进产业链协同发展,为中国集成电路、产业生态建设贡献更大力量。
2025年下半年以来,算力基础设施在AI浪潮下加速扩容,成为拉动DRAM市场需求增长的核心引擎,三星、SK海力士、美光将近八成的先进制程产能倾斜至HBM(高宽带内存)、DDR5等高附加值产品。2026年一季度,通用DRAM合约价环比涨幅高达93%至98%。
行业景气度大幅上行也直接传导至长鑫科技经营端。财务数据显示,2026年1—3月,长鑫科技实现营业收入约为508亿元,同比增长719.13%;对应实现归属净利润约为247.62亿元,同比扭亏。此外,长鑫科技预计今年1—6月实现营业收入1100亿—1200亿元,同比增长612.53%—677.31%;预计实现归属净利润500亿—570亿元。
放眼全球市场,在半导体超级周期提振下,海外存储巨头同样交出亮眼业绩。公开数据显示,三星电子2026年第二季度营业利润预估约89.4万亿韩元,第一季度实际营业利润达57.2万亿韩元,同比暴增756%;SK海力士一季度营业利润37.61万亿韩元,营业利润率高达72%,连续四个季度创新高。
但业绩景气未能持续支撑股价表现,与A股长鑫科技上市首日大涨形成反差,海外存储龙头前期已显现调整压力。当然,海内外存储标的估值存在天然差异,两地投资者风险偏好、产业定价逻辑、资金结构完全不同,长鑫科技A股相较海外存储企业存在估值溢价具备合理性;国内内资机构、产业资本长期看好存储国产替代空间,内资持有公司绝大部分核心股权,长期海内外存储资产估值有望逐步收敛。
市场持续高景气,DRAM全球份额第四

根据Omdia数据,全球DRAM市场规模有望从2025年的1505亿美元增长至2030年的5710亿美元,年均复合增长率为30.56%,为存储厂商们打开增长空间。
此前,全球三大DRAM巨头已陆续披露最新经营与市场份额数据。三星一季度DRAM销售收入达382.14亿美元,环比增长98.4%,市场份额为40.5%,进一步拉大和其他供应商的份额差距,排名第一;SK海力士一季度DRAM销售收入达279.25亿美元,市场份额为29.6%,排名第二;美光一季度(2025年12月—2026年2月)DRAM销售收入达187.68亿美元,环比增长73.6%,市场份额19.9%,排名第三。
2026 年一季度,长鑫存储DRAM销售收入达73.09亿美元,环比增长115.1%,市场份额进一步提升至7.7%,稳居全球第四,是国内唯一具备DRAM大规模量产能力企业,但营收体量远不及前者。
但是,长鑫科仍与国际龙头存在明显差距。工艺与高端产品层面,海外巨头已推进10nm以下多代存储制程迭代,HBM2E、HBM3、HBM4等产品大规模供应全球AI算力厂商;长鑫科技目前仍以主流DRAM为主,2025年LPDDR系列占其收入的66.43%,DDR系列占31.87%,其在HBM相关技术层面较海外头部企业仍存在代差。
从行业发展历史看,DRAM行业自20世纪80年代发展初期的数十家企业,发展到三星电子、SK海力士及美光科技三家DRAM厂商长期占全球90%以上的市场份额,“存储三巨头”常年维持巨量资金投入。长鑫科技招股书在风险因素中表示,与国际头部厂商相比,公司在整体规模、技术积累、客户资源等方面仍然存在一定差距。

此次,长鑫科技上市募集资金将重点投向三大板块——“存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目”总投资75亿元,全额使用募资;“DRAM存储器技术升级项目”总投资180亿元,其中募资投入130亿元;“动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目”投资90亿元,全额使用募资。
长鑫科技在招股书中指出,项目实施后,能够满足公司在DRAM行业进一步提高技术及研发实力和加快产能建设与升级的需要,是公司持续深化工艺技术开发与积累、不断开拓前沿技术、加速产能建设、提升核心竞争力的重要举措。


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