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股市情报:上述文章报告出品方/作者: 全球半导体观察;仅供参考,投资者应独立决策并承担投资风险。

长鑫科技科创板上市,市值达3.28万亿元

时间:2026-07-27 15:32
上述文章报告出品方/作者: 全球半导体观察;仅供参考,投资者应独立决策并承担投资风险。


7月27日,国产DRAM龙头长鑫科技正式登陆科创板。上市首日,长鑫科技开盘报49.50元/股,较发行价上涨471.6%,总市值达到约3.3万亿元。截至今日下午收盘,长鑫科技股价为49.00元,总市值达3.28万亿元。


长鑫科技成立于2016年,专注于DRAM产品的研发、设计、生产及销售。本次IPO募资总额约579亿元,超过中芯国际此前创下的532亿元科创板最高募资纪录,成为科创板开板以来规模最大的IPO。在主承销商全额行使超额配售选择权后,募资总额进一步提升至666亿元。


据招股书披露,本次募集资金主要投向三大方向:存储器晶圆制造量产线升级项目总投资75亿元,全额使用募资;DRAM存储器技术升级项目总投资180亿元,其中130亿元来自募资;前瞻技术研发项目投资90亿元,全额使用募资。


财务数据显示,长鑫科技近年来业绩持续改善。2023年度至2025年度,公司扣除非经常性损益后归属于母公司所有者的净利润分别为-167.52亿元、-78.70亿元及53.16亿元。进入2026年,公司盈利大幅跃升——一季度实现营业收入508亿元,同比增长719.13%;净利润330.12亿元,归母净利润247.62亿元,同比均实现扭亏为盈。


2026年上半年,长鑫科技预计实现营业收入1100亿至1200亿元,同比增长612.53%至677.31%;归母净利润500亿至570亿元,同比增长2244.03%至2544.19%

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