摘要

投资逻辑

投资逻辑

公司成立于2016年6月13日，是中国大陆少数实现DRAM规模化量产的IDM企业，专注于DRAM芯片的研发、设计、生产与销售，据招股说明书公司25Q2全球市场份额近4%，位列全球第四、国内第一，公司致力于推动国产存储产业自主可控，是国家集成电路产业战略布局的关键载体。公司已形成以DRAM为核心的DDR系列（占比31.60%）、LPDDR系列（占比65.86%）业务矩阵，终端客户包括互联网巨头、主流PC与手机厂商，覆盖服务器、移动设备、个人电脑等应用场景。公司26H1预计实现营收1100-1200亿元，同增613%-677%。实现归母净利润500-570亿元，同增2244%-2544%。

每轮存储大周期（08年、16年等）的开启都是由新兴技术推动产品升级和创新，进而催生新产品的总量、渗透率和存储器价值量的提升，推动存储器市场规模上升一个台阶，随着AI驱动需求提升，当下我们走在新一轮存储大周期的起点。我们看好模型和应用落地后对存储需求长期且大量的拉动。根据公司招股说明书的数据，2030年全球存储芯片市场规模有望增长至5710亿，25-30年市场规模CAGR达30.56%

长期以来全球DRAM市场被三星、SK海力士、美光三大厂商主导，占据全球90%以上市场份额，形成高度集中的寡头竞争格局。根据Counterpoint Research的数据，公司按2026年一季度收入计，占全球份额增长至8%，成为全球第四大DRAM厂商。公司作为中国大陆少数具备DRAM自主制造能力的企业，正凭借技术突破与产能爬坡，逐步改变全球市场的竞争版图。

风险提示：

市场竞争加剧；产品迭代不及预期；下游需求不及预期。

目录

一、中国DRAM龙头，技术与产能双线突破. 

1.1 深耕存储领域，构建自主研发体系

1.2 产能稳步扩张，规模化优势逐步显现

1.3 业绩受行业周期波动，25年开启景气周期

二、存储周期高景气上行，国产替代空间广阔

2.1全球存储市场景气度上行，需求向高附加行业转移

2.2 行业集中度较高，冉冉升起的国产新巨头

2.3政策与需求双轮驱动，国产替代正当时

三、技术紧追海外龙头厂商，构筑核心竞争力

四、盈利预测与投资建议

4.1盈利预测

五、风险提示

正文

1.1 深耕存储领域，构建自主研发体系

长鑫科技成立于2016年6月13日，是中国大陆少数实现DRAM规模化量产的IDM企业，专注于DRAM芯片的研发、设计、生产与销售，据招股说明书公司25年全球市场份额近4%，位列全球第四、国内第一，致力于推动国产存储产业自主可控，是国家集成电路产业战略布局的关键载体，2025年底科创板IPO申请获受理。

公司已形成以DRAM为核心的完整产品矩阵，覆盖DDR4、DDR5、LPDDR4X、LPDDR5/5X等全世代主流规格，可提供颗粒、芯片及模组三大类形态的产品，满足PC、服务器、智能手机、AI终端、车载等多场景需求。终端客户包括阿里云、字节跳动、腾讯等互联网巨头，以及联想、小米、传音、荣耀、OPPO、vivo等主流PC与手机厂商，覆盖服务器、移动设备、个人电脑等各领域头部客户。

在技术研发层面，公司构建了覆盖芯片设计、制程工艺、封装测试的全链条研发体系，突破了存储芯片架构设计、10nm级制程优化、良率提升等多项核心技术，部分产品性能已接近国际主流水平。同时，公司通过“研发-量产-迭代”的闭环机制，快速响应市场需求，推动技术转化与产品升级。截至目前，公司产品已批量进入小米、OPPO、vivo、联想、腾讯、字节等头部企业供应链，并同步推进车规、AI、可穿戴等新兴场景的产品验证，持续完善应用生态布局。

公司的主营业务（按产品）可分为LPDDR系列、DDR系列、其他产品及服务三大类。25年LPDDR系列营收占比达66.43%，是第一大收入来源；DDR系列营收占比31,87%，两者合计贡献了公司98.3%的营业收入，构成核心营收支柱；其他产品及服务合计占比仅1.7%。

1.2 产能稳步扩张，规模化优势逐步显现

作为国内DRAM领域龙头企业，公司凭借清晰的产能规划、高效的产线爬坡及精细化运营管理，实现产能规模有序扩张、运营效率持续优化，规模化生产优势逐步凸显，不仅为营收增长提供核心支撑，更强化了公司在成本控制与市场份额抢占中的竞争壁垒。

公司于2019年9月推出自主设计生产的8Gb DDR4产品，自此实现了中国大陆DRAM产业“从零到一”的突破。公司始终积极进行产业迭代，已完成DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X等产品覆盖和迭代升级，可提供DRAM晶圆、DRAM芯片、DRAM 模组等多样化的产品方案。

产能端，公司依托合肥一期、二期及北京三座12英寸DRAM晶圆厂的梯度建设与投产，实现产能规模持续跃升，带动营收体量跨越式增长。财务数据显示，2022-2024年公司营业收入从82.87亿元增长至241.78亿元，三年间营收规模接近翻倍增长；2025年公司营收已达617.99亿元，产能释放对营收的拉动作用显著。与此同时，公司持续逆势扩张，公司产能利用率呈稳步提升态势，从2022年的85.45%持续攀升至2025年的96%，连续四年保持增长。

规模化扩张的背后，是公司对研发投入的持续加码，形成“研发驱动产能升级、产能反哺研发迭代”的良性循环。2022-2024年，公司研发费用从24.86亿元增长至46.07亿元，累计研发投入超116亿元，为产线技术升级、良率提升及高端产品落地提供坚实保障。研发费用率随营收规模扩大呈现阶段性波动，2023年因产能爬坡期营收基数相对较低，研发费用率达49.74%的阶段性高点；2024年伴随营收大幅增长，研发费用率回落至19.05%，2025年为15.66%，整体仍维持高于行业平均水平的投入强度，确保公司在制程工艺、产品规格等方面的技术竞争力。2022-2025年公司的研发费用率显著高于行业平均水平及主要竞争对手。

1.2 产能稳步扩张，规模化优势逐步显现

全球存储芯片行业的强周期性特征对公司业绩表现产生显著影响，但公司凭借技术迭代与产品结构优化，展现出较强的盈利韧性。

存储板块进入上行周期，公司营收同比高增。2025年公司营业收入617.99亿元，同比增长155.60%，2026年第一季度实现营收508.00亿元，同比高增719.13%。2026年第一季度实现净利润330.12亿元，同比暴增1268.45%。高速增长主要归因于全球算力需求持续增长、全球主要厂商产能调配等因素影响，全球DRAM产品供不应求，价格自2025年下半年以来持续呈现大幅上涨趋势，同时，随着公司产销规模的持续增长、产品结构的持续优化，公司营业收入及净利润迅速增长。

公司毛利率与行业周期高度绑定，整体呈现显著的触底回升态势，盈利韧性凸显。2025年，公司综合毛利率已修复至37.80%，盈利水平持续改善；分业务来看，受益于人工智能驱动存储周期上行，DDR系列凭借高端DDR5产品放量和产品价格大涨，毛利率成功转正至41.89%，LPDDR系列受益于消费电子需求回暖、产品结构优化及价格上涨，毛利率亦大幅转正至37.15%，而其他产品及服务受新兴业务投入影响，2025年上半年毛利率为-17.23%，呈现阶段性波动。

从运营效率看，公司与可比公司存在一定差异，应收账款周转率显著高于行业平均水平，2022-2025年分别为21.35次、34.63次、21.44次、36.49次，远高于行业均值，反映公司应收账款回收能力较强，现金流管理较为稳健；而存货周转率显著低于行业平均水平，2022-2025年分别为1.13次、0.78次、1.29次、1.44次，低于行业均值，主要系存储芯片行业库存周期较长、公司产能扩张阶段备货增加所致。

2.1 全球存储市场景气度上行，需求向高附加行业转移

半导体行业是一个分工较为精细的行业，产业链自下而上的环节分别为：终端客户-渠道及分销商-IC设计公司（Fabless）/IDM-晶圆代工厂（Fab）/封测厂-半导体设备/材料，这么长的链条导致在终端需求发生变化时，容易发生上游不同环节反应不及时，因此也导致了半导体行业呈较为明显的周期性。但其周期性背后的根本归因是：供需关系。存储板块作为半导体最大的细分领域之一，存储的周期与半导体板块的周期既有相似的地方，也具有不同的特色。

根据世界半导体贸易统计组织（WSTS）的数据，2025年全球半导体的市场规模为7009.8亿美元，同比增长30%。其中，存储器细分赛道市场规模达2300.4亿，同比增加39%，占比约为33%。从历史上看，半导体以及存储细分赛道呈现出趋同的周期性，但存储板块在一定程度上放大了行业整体波动性。2000年以来，全球存储行业已经历多轮周期，每一轮完整周期大概会历时3-5年。随着AI驱动需求提升，当下我们走在新一轮存储大周期的起点。

颗粒价格与存储价格也息息相关。当行业开始上行周期，下游需求走高，行业新增产能有限的情况下，市场格局逐渐从供过于求走向供不应求，原厂会有意识的去推高现货价格，以此抬升公司盈利能力。当新增产能被大幅度开出，行业重新走向供过于求，渠道和终端库存开始走高，现货价格开始下跌。原厂会通过缩减资本开支以及降低稼动率的方式减少晶圆产出，同时等待下游库存去化以及新需求的出现，周而复始形成存储周期。

每轮存储周期亦有不同，需求驱动的周期通常持续性更长及弹性更大。2008年移动互联网周期和2016年4G手机周期皆充分印证了这一点。移动互联网爆发催生高清音视频等应用，用户侧对手机存储的需求从最初的16GB，逐步向 64GB、128GB 乃至更大容量升级。这种增长并非短期技术迭代推动，而是随应用场景深化持续释放持续提升的过程。2023年AI时代开始落地，我们同样看好模型和应用落地后对存储需求长期且大量的拉动。

终端需求层面，消费电子换机潮与新兴场景渗透形成共振。智能手机、PC等传统终端向大容量、高性能存储升级，LPDDR5/5X成为中高端机型标配；车规存储、AI终端、可穿戴设备等新兴场景快速放量，推动存储需求从消费级向工业级、车规级延伸，需求结构更加多元。在此背景下，全球存储市场不仅迎来规模层面的周期性复苏，更在需求结构优化驱动下，开启高质量增长新阶段，为具备技术迭代能力与高端产品布局的厂商提供了广阔成长空间。

公司已与上游供应商和下游客户建立了紧密的战略合作关系，积极整合产业生态资源，为后续持续发展并积极参与全球竞争奠定了坚实的基础。一方面，经过长期发展，公司与上游 EDA 厂商、材料厂商、设备及零部件厂商等供应商建立了稳固的合作关系，并通过深化产业链合作，积极推进供应链的多元化、本土化，增强供应链的安全保障能力，为公司产能持续扩充和技术工艺升级提供了有力保障。另一方面，公司与业内领先的移动端厂商、服务器厂商、存储模组厂商等下游客户建立了紧密的合作关系，并取得了众多客户的高度认可，树立了良好的市场品牌，为公司加强市场渗透，提升全球市场份额奠定了坚实的基础。

2.2 行业集中度较高，冉冉升起的国产新巨头

当前，全球DRAM产业正处于供需关系、技术迭代与地缘格局的多重驱动之下，市场格局迎来深度重塑期。DRAM作为存储芯片的核心品类，在全球半导体市场中占据关键地位。根据公司招股说明书的数据，集成电路占全球半导体市场的88%，存储芯片在集成电路中的占比达33%，其中DRAM更是以65%的份额成为存储芯片的绝对主导品类，这一市场结构凸显了DRAM在全球半导体产业中的核心价值。

存储芯片市场正处于高增长轨道上。根据公司招股说明书的数据，2019-2021年受益于消费电子、服务器需求放量及技术迭代红利，全球存储芯片市场规模从622亿美元快速攀升至952亿美元，2021年同比增速高达53.05%，创下阶段性高点。2022-2023年，行业进入库存调整与供需再平衡阶段，终端需求疲软叠加产能过剩导致市场承压，2023年市场规模回落至524亿美元，同比下降35.07%，完成周期底部调整。2024年行业触底回升，市场规模重回976亿美元，同比增长86.26%，标志着复苏周期正式开启。AI驱动下，2030年全球存储芯片市场规模有望增长至5710亿，25-30年市场规模CAGR达30.56%

本轮复苏并非简单的周期轮动，而是叠加结构性需求升级的“超级周期”启动信号，需求结构呈现显著优化特征。从驱动因素来看，AI算力需求爆发成为核心引擎，全球数据量呈指数级增长，IDC预计2025年全球将产生213.56ZB数据，到2029年将增长一倍以上达到527.47ZB，有望带动服务器存储、HBM等高附加值产品需求激增。同时存储原厂将产能向HBM等高端型号倾斜，导致传统DRAM产品供给收紧，推动价格持续上行。

DRAM产业链呈现典型的垂直分工特征。上游环节以半导体IP、EDA工具、设备及材料为核心，技术壁垒高且呈现寡头垄断格局，直接决定行业技术上限与产能扩张节奏；中游涵盖DRAM设计、晶圆制造、封装测试等核心环节，兼具资本与技术密集属性，对企业资金储备、工艺积累与良率管控能力提出严苛要求；下游需求呈现“双轮驱动”特征，服务器、移动设备、个人电脑构成主流市场，贡献绝大部分出货量，而通信、工业控制、智能家居等利基市场则成为差异化需求的重要来源，尤其在AI算力爆发的背景下，服务器DRAM需求的指数级增长正在重塑下游需求结构。

长期以来，全球DRAM市场被三星、SK海力士、美光三大厂商主导，占据全球90%以上市场份额，形成高度集中的寡头竞争格局。根据Counterpoint Research的数据，2026年Q1三星电子在全球DRAM市场的占有率为38%，排名第一；SK海力士、美光科技在全球DRAM市场的占有率分别为29%、22%，排名第二、第三；公司按2026年一季度收入计，占全球份额增长至8%。但近年来，多重变量正在打破原有平衡：全球半导体供应链的区域化趋势，促使各国加速推动本土存储产业建设，为新进入者创造政策与市场窗口；从DDR4到DDR5的技术升级，以及HBM在AI场景中的快速渗透，既带来技术红利，也为具备后发优势的企业提供换道超车的可能；行业周期性的产能过剩与短缺交替出现，叠加下游需求结构变化，使得原有价格竞争模式面临挑战，具备成本与技术双重优势的企业将在新一轮周期中脱颖而出。

在这一轮格局重塑中，长鑫科技作为中国大陆少数具备DRAM自主制造能力的企业，正凭借技术突破与产能爬坡，逐步改变全球市场的竞争版图。公司通过自主研发掌握DDR4、LPDDR4等主流技术，并推进DDR5、LPDDR5等相关技术布局，在本土供应链支持下持续提升产能规模与良率水平，不仅在国内市场实现关键领域的进口替代，更在全球市场中成为不可忽视的新生力量，为全球DRAM产业格局注入新的变量。

2.3 政策与需求双轮驱动，国产替代正当时

在全球半导体产业重构的大背景下，DRAM市场正迎来政策扶持与需求增长的双重红利，行业规模持续扩容，为本土企业创造了历史性发展机遇。

从政策端来看，我国自2014年起便将存储芯片列为集成电路产业的核心发展方向，通过《国家集成电路产业发展推进纲要》明确战略定位，并依托国家集成电路产业投资基金（大基金）一期、二期、三期的持续投入，为DRAM产业提供了充足的资本保障。科创板上市支持政策、《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》等专项举措，进一步从财税减免、投融资支持、研发激励到市场应用等多维度构建了完善的产业生态。在“十四五”规划等顶层设计的推动下，DRAM技术研发与产业化被纳入关键核心技术攻关清单，持续的政策护航为公司等本土企业突破技术瓶颈、实现产能扩张筑牢了坚实基础。

需求端的结构性增长则成为拉动市场扩容的核心引擎。根据公司招股说明书的数据，2025年服务器、移动设备、个人电脑合计贡献了全球DRAM需求的91%，其中服务器以50%的占比成为第一大应用场景。在AI算力爆发的驱动下，服务器DRAM需求呈现高速增长态势，预计2025-2030年搭载量将从19,953 MGB增至69340 MGB，年复合增长率超28.29%，到2030年其需求占比将进一步提升至71%，成为拉动行业增长的核心动力。移动设备DRAM需求保持稳健增长，预计2030年搭载量将达13776 MGB，年复合增长率约4.39%。个人电脑DRAM需求虽增速放缓，但仍保持扩容态势。同时，智能汽车等新兴场景的需求也在快速崛起，其DRAM搭载量预计2025-2030年将实现14%以上的年复合增长，成为行业增长的重要补充。

政策红利与需求扩容的共振，不仅推动全球DRAM市场规模持续攀升，更在技术迭代与国产替代的双重逻辑下，为长鑫科技等本土企业打开了广阔的成长空间。随着产能规模的持续提升与产品结构的优化升级，公司有望深度受益于行业扩容红利，进一步巩固其在全球DRAM市场中的地位。

AI算力爆发驱动存储价格暴涨。从全球DRAM现货价格走势看，根据iFind的数据，2023年3月至2024年下半年，DDR5 16Gb、DDR4 8Gb及DDR4 16Gb价格长期处于低位窄幅波动，行业供给过剩与需求疲软压制价格。2025年四季度起，DDR4 16Gb价格率先大幅攀升，至2026年中接近80美元，DDR5 16Gb与DDR4 8Gb价格同步温和上行。这一趋势反映行业供需格局反转：上游厂商在AI服务器、数据中心等下游需求爆发与产能收缩的背景下，将产能转向DDR5和HBM（高带宽内存），导致DDR4供应缺口急剧扩大。与此同时，AI服务器、工控设备等对DDR4的刚性需求未减，供需失衡推动价格持续攀升，且短期内无降温迹象。推动DDR4 16Gb等第四代高容量产品价格弹性相对于DDR5更显著，行业景气度进入上行周期。

政策红利与需求量价齐升的共振，不仅推动全球DRAM市场规模持续攀升，更在技术迭代与国产替代的双重逻辑下，为长鑫科技等本土企业打开了广阔的成长空间。随着产能规模的持续提升与产品结构的优化升级，公司有望深度受益于行业扩容红利，进一步巩固其在全球DRAM市场中的地位。

工艺技术覆盖全流程，追赶全球行业先进水平。公司自成立以来，始终以技术自主为核心战略，通过持续高强度研发投入，构建了覆盖芯片设计、晶圆制造、测试与封测的完整技术体系，并已经大量应用于公司产品的批量生产中。目前，公司实现了DRAM工艺技术的快速迭代与产品矩阵的全面突破，正加速向全球行业先进水平靠拢。

在制程技术演进方面，公司已完成三代自主工艺技术平台的迭代与量产。第一代工艺技术平台通过埋入式字线、马鞍状梯形有源区等创新结构，实现了存储阵列性能的显著提升；第三代工艺技术平台则依托多对重自对准曝光、精细化化学机械抛光等关键技术，进一步缩小了产品体积并提升了良率；当前量产的第四代工艺技术平台，已具备低漏电控制体栅管、精细化薄膜沉积等国际先进技术能力，其过程控制与先进量测技术可满足先进DRAM制造的严苛要求，标志着公司在核心工艺上已达到国际先进水平。

从产品布局来看，公司的DRAM产品矩阵已实现与国际龙头企业的全面对标。在应用于服务器、消费电子以及个人电脑的DDR4、DDR5、LPDDR4X、LPDDR5/5X等主流产品线中，公司已完成从基础容量到高阶容量的全系列覆盖，各容量规格均实现量产，这一能力已与三星、SK海力士、美光等全球一线厂商持平，显著领先于南亚科技等其他二线厂商。在生产制造环节，公司聚焦于芯片设计、晶圆制造与核心测试等技术壁垒最高的环节，将部分封装测试环节进行委外加工，通过这种“核心自主 高效协同”的模式，既保证了技术可控性，又实现了资源的优化配置。

始终聚焦DRAM赛道，逐步突破先进制程。凭借扎实的技术积累与高效的迭代能力，公司不仅在本土市场实现了关键技术的自主可控，更在全球DRAM产业竞争中建立起独特的技术优势，为后续向更先进工艺节点与高端产品突破奠定了坚实基础。公司聚焦DRAM赛道，始终以技术迭代为核心，逐步突破先进制程与产品品类的双重壁垒。

公司汇聚国内 DRAM 领域顶尖人才，搭建起经验深厚、结构完善的核心技术团队。以曹堪宇、李红文、陈德鸿、王丹、唐衍哲为代表的核心技术人员均具备头部院校博士等高学历背景，拥有多年全球半导体产业实战积淀，覆盖工艺研发、芯片设计、量产运营、前沿预研等全链条关键环节。核心团队主导搭建第三代、第四代自主 DRAM 工艺平台，完成 DDR4/LPDDR4X、DDR5/LPDDR5/LPDDR5X 系列存储芯片从研发到量产的全流程突破，同时推进第五代工艺技术平台与 LPDDR6 等下一代产品预研；团队成员先后斩获国家卓越工程师、中国专利优秀奖、全国发明专利金奖等多项国家级、省部级重要荣誉，主持、参与多项国家级、省部级重大科研项目，拥有大量自主发明专利，构建形成完整自主的 DRAM 技术创新体系，支撑公司持续推进工艺迭代与新一代存储产品研发，是国内少数实现 DRAM 设计制造一体化自主突破的核心人才底座。

长期承担重大科研项目，获诸多荣誉奖项。作为我国规模最大、技术最先进、布局最全的 DRAM 研发设计制造一体化企业，公司在相关业务领域具有强大的科研实力和技术创新能力，并长期承担及参与各类重大科研项目。报告期内，公司参与了多项重大科研项目，在2021-2025年期间，获得三项国家级及诸多省级荣誉奖项。

风险提示

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