Yole表示,先进封装市场在2025年达到550亿美元,预计到2031年将增长到1200亿美元以上。
先进封装技术正在超越传统封装技术,成为半导体封装行业的主导领域。
定价权已经回归,但并不均衡:AI封装、HBM封装、内存测试和高端基板掌握着定价权,而成熟的封装仍然受到外汇、黄金和铜通胀以及商品化的压力。
少数几家企业掌握着供应链的守门人:台积电的 CoWoS 产能、味之素的 ABF 基板以及 Nittobo 在 T 型玻璃领域的统治地位,使得日本和台湾成为人工智能封装的关键咽喉要道。

日月光、PTI、安靠、台积电、SK海力士、Ibiden和优尼美光都在扩大产能,但完工时间集中在2027-2028年左右,短期内市场供应紧张。
先进封装市场已进入新周期。传统的后端模式正被系统扩展模式所取代,在这种模式下,封装决定了人工智能计算的可用性、内存带宽、供电、散热和系统成本。
到 2031 年,先进封装预计将占半导体封装总收入的大部分,成为创造系统性能的物理层。
Yole公司的Bilal Hachemi表示:“先进封装不再是事后的后端考虑因素。它已成为决定人工智能计算可用性、内存带宽、电源供应和系统成本的物理层。这是一种结构性转变,而不仅仅是一个增长周期。”
因此,市场中可投资的部分不是一般的“封装”,而是与人工智能计算、HBM、内存测试、高速基板、CPO 和 IDM 外包相关的后端能力子集。
Yole公司的陈益义表示:“定价权已经回归,但并非处处如此。那些拥有资质和产能护城河、AI封装、HBM、高端基板等技术的企业才是定价者。其他企业仍在进行成本竞争。”

竞争格局反映了这种集中度。台积电的CoWoS产能实际上是领先AI加速器集成的关键环节,而味之素的ABF优势和日东纺的T型玻璃地位使日本成为AI基板材料的咽喉要道。
产能响应范围广泛但不均衡:日月光、PTI、安靠、台积电、SK海力士、Ibiden、Unimicron以及多个区域性OSAT项目都在扩张,但项目完成时间集中在2027-2028年左右,而测试产能比封装产能滞后约一年。
地缘政治正在重塑格局:美国、印度、日本、越南、马来西亚、韩国和欧洲都在有针对性地建设后端或基板产能。中国则在出口管制压力下,正在扩大国内外包半导体组装和测试(OSAT)业务及设备供应商的规模。
但领先的先进封装技术仍然集中在中国台湾、韩国和日本。这不仅仅是资金问题,而是一个完整的生态系统,包括材料、化学、工具和训练有素的劳动力。
先进封装,空前重要
先进封装已从后端工艺转变为人工智能计算周期的核心产能瓶颈。市场趋势在于封装如何成为人工智能硬件输出的物理控制层。在上一个半导体周期中,瓶颈通常是晶圆产能、领先的前端节点准入或光刻技术。而在这个周期中,瓶颈已转移到将逻辑、HBM(高密度基板)、IC(集成电路)基板、中介层、桥接层、RDL(粗糙分类层)、散热解决方案和测试集成到一个高良率系统中的能力。这是市场的关键转折点:封装已成为计算供应的单元。
最重要的市场信号是台积电的AP需求正以高复合年增长率增长,而CoWoS产能实际上仍被英伟达、超大规模数据中心和领先的ASIC开发商占据。这使得CoWoS产能成为一项战略资产。人工智能加速器的需求不再仅仅取决于英伟达、AMD、博通、谷歌、亚马逊或微软能否设计芯片,也不再仅仅取决于台积电或三星能否制造晶圆。它取决于是否存在足够的2.5D和HBM封装产能来将这些芯片组装成系统。这正是OSAT厂商扩大产能、采用先进封装技术以及FOPLP技术普及的原因所在。
市场正进入高资本支出阶段,同时也呈现出更加分化的趋势。人工智能/高性能计算 (AI/HPC)、HBM、定制ASIC、AI服务器、CPO以及高端基板均面临短缺。与此同时,移动、消费电子以及部分汽车和工业领域仍然具有更强的周期性,且对价格更为敏感。这导致后端市场呈现出双速发展态势。传统OSAT的产量与先进封装的价值并不相同。最终的赢家并非仅仅是那些拥有最大组装能力的公司,而是那些在2.5D封装、混合键合、HBM测试、扇出型RDL、大尺寸基板处理、KGD、CPO贴装以及高功率SLT/老化测试等领域拥有稀缺能力的公司。

供应链日益受到关键瓶颈的制约,例如台积电CoWoS产能、集成电路基板原材料、日东纺T-Glass、HBM封装以及先进测试。台湾、日本和韩国在关键领域占据主导地位,而美国和中国则大力投资以建立国内能力。此外,印度在转向先进封装领域之前,曾投资超过6家OSAT(外包半导体封装测试公司)进入传统封装领域。先进封装领域的总资本支出接近170亿美元,反映了集成器件制造商(IDM)、晶圆代工厂和OSAT在先进封装领域的贡献,预计这一数字还将继续增长。因此,先进封装已成为一个具有战略意义、资本密集且地缘政治意义重大的环节,它决定了有多少人工智能计算能力能够真正进入市场。

先进封装技术路线图由三个同步集成方向构成:通过 2.5D/3D 和光纤 (FO) 向外扩展,通过 3D 堆叠和混合键合向上扩展,以及通过共封装光学器件摆脱铜箔。这些并非独立的技术趋势,而是对同一系统问题的不同应对方案:人工智能硬件需要更高的带宽、更近的内存距离、更高的芯片灵活性、更低的延迟、更低的每比特能耗、更优的供电能力以及更易管理的散热。如今,封装已成为解决这些权衡取舍的架构。
2.5D/3D 仍然是人工智能加速器时代的核心技术。CoWoS 集成是参考平台,因为它解决了在高带宽互连基板上放置大型逻辑芯片和多个 HBM 堆叠的迫切需求。硅中介层可提供高密度布线、均匀的 HBM 访问和高性能,但同时也带来了成本、光罩、面积和容量方面的限制。因此,技术争论的焦点已从“是否需要 2.5D”转向“哪种 2.5D 架构扩展性最佳”。台积电的 CoWoS 仍然占据主导地位,日月光的 FOCoS 和安靠的 2.5D/HDFO 产品线正在扩展,而英特尔的 EMIB/EMIB-T 正在成为最可靠的基于桥接技术的替代方案。关键的技术转变在于选择性硅:在带宽承载需求的地方使用高密度硅,而在有机布线、桥接布线或扇出布线能够满足需求的地方,则避免构建完整的大面积硅中介层。



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