长鑫科技集团股份有限公司（英文名称 CXMT Corporation）是我国规模最大、技术最先进、布局最全的 DRAM 研发设计制造一体化企业。公司注册资本 60.19 亿元，法定代表人赵纶，董事长为朱一明。自 2016 年成立以来，公司始终专注于 DRAM 的研发、设计、生产及销售，主营业务与经营模式从未发生重大变化。根据 Omdia，按出货量和销售额统计，公司已是中国第一、全球第四的 DRAM 厂商。

公司的发展历程代表了中国大陆 DRAM 产业从无到有的突破过程。 前身合肥智聚成立于 2016 年 6 月，2017 年更名睿力集成，2023 年 6 月整体变更为股份公司并定名长鑫科技。2019 年 9 月，公司推出自主设计生产的 8Gb DDR4，实现了中国大陆 DRAM 量产从无到有的突破；此后凭借“跳代研发”策略，快速完成从第一代到第四代工艺技术平台的量产，以及 DDR4、LPDDR4X 到 DDR5、LPDDR5/5X 的产品覆盖与迭代，核心产品及工艺目前已达国际先进水平。

公司以 IDM 模式经营，产品覆盖 DDR、LPDDR 两大主流系列。公司两大系列均能提供当前市场主流的第四代、第五代产品：DDR5 提供 16Gb/24Gb/32Gb 容量、速率达 8000Mbps，面向服务器与个人电脑；LPDDR5/5X 速率达 10667Mbps，面向中高端移动设备、笔记本与 AIoT。

在芯片之外，公司还基于自产芯片提供 DRAM 模组，涵盖 RDIMM、MRDIMM、UDIMM/CUDIMM、SODIMM/CSODIMM、LPCAMM 等类型，其中 RDIMM、MRDIMM 面向服务器，LPCAMM 面向高性能笔记本与移动工作站。需要强调的是，公司自有 DDR4 产品已于 2024 年底停产，产能全面转向 DDR5 与 LPDDR5/5X 等高价值代际。

工艺上，公司已实现第一代到第四代平台的量产，第五代平台处于研发阶段。 其中第三代平台（国内领先）与第四代平台（国际先进）均已量产，第四代平台采用低漏电、高性能控制晶体管器件设计与多种精细化薄膜沉积工艺。产品技术方面，DDR5 的信道反馈均衡、四组 Bank Group 与 ECC 纠错，LPDDR5/5X 的 On-die ECC、DVFS 动态调频调压等，均达国际先进水平并已量产。面向未来，公司在存内计算、近存计算、CXL 等新型应用方向积极布局。

研发团队方面，公司以曹堪宇（主导研发战略与技术路线图，2023 年获评首届“国家卓越工程师”）、李红文、陈德鸿、王丹、唐衍哲为核心技术人员，研发由产品设计中心（PDC）与技术研究和开发中心（TD）两大部门统筹。生产模式上，公司晶圆制造自主完成，封装环节委外，测试与模组加工以自主为主、委外为辅。

长鑫的财务表现呈现重资产存储厂的典型路径：下行周期固定成本前置形成亏损，上行周期营收放量后利润快速释放。

2024 年是营收放量的起点，2025 年是利润转正的拐点：2024 至 2025 年主营业务收入复合增长率达 160.02%，综合毛利率由 -1.93% 升至 40.99%，归母净利润由亏损 163.40 亿元转为盈利 18.75 亿元，扣非归母净利润转正至 53.16 亿元。2026 年一季度增长进一步加速，单季营业收入 508.00 亿元、同比增长 719.13%，相当于 2025 全年营收的八成；单季综合毛利率升至 79.16%，归母净利润 247.62 亿元。管理层进一步预计2026年上半年营业收入 1100-1200 亿元、归母净利润 500-570 亿元。归母与整体口径的差异主要来自长鑫新桥、长鑫集电的少数股东权益。

从净利率看，公司 2025 年整体净利率（含少数股东损益）为 11.56%；2026 年一季度整体净利率升至 64.98%，盈利能力在涨价周期中快速抬升。

从季度节奏看，公司净利润的路径为：2025Q1 亏损 28.25 亿元、2025 上半年亏损 40.88 亿元、2025 全年盈利 71.44亿元、2026Q1 盈利 330.12 亿元。拐点发生在 2025 年下半年，与 DRAM 合约价自 2025 年下半年起的持续上涨在时间上一致。招股书敏感性分析原本预计公司 2026 年方能盈利，在四季度产品单价逐月快速上涨的带动下，公司提前一年实现扭亏。

公司早期的大额亏损，本质是重资产存储厂的固定成本前置。 主要有三方面原因：一是产能快速爬坡期折旧持续攀升，2023-2025 年固定资产折旧分别达 105.55 亿元、148.75 亿元、246.80 亿元；二是研发投入高企，2023-2025年研发投入分别为 46.70 亿元、63.41 亿元、95.93 亿元，三年累计 206.05 亿元、占累计营收的 21.67%；三是行业深度下行，2022 年下半年至 2023 年上半年 DRAM 价格较周期前跌幅达 50%，三星、SK 海力士、美光亦出现历史罕见的亏损与负毛利。随着涨价与放量，营收对固定成本的覆盖能力快速改善，这是重资产存储厂在周期上行期利润弹性较大的根源。

横向对比看，公司盈利能力已与国际原厂基本对标。 2025 年公司综合毛利率 40.99%，与三星电子（39.38%）基本相当，显著高于南亚科技（22.51%），行业内仅次于 SK 海力士（60.41%）；而 2023、2024 年公司毛利率因产能爬坡期折旧较大、规模效应未显而低于同业均值。

期间费用率的快速摊薄，是公司经营杠杆释放的直接体现。 2023 年公司期间费用率（四费合计）高达 97.95%，随营收放量，2024 年降至 38.85%、2025 年进一步降至 31.58%，2026 年一季度仅 7.69%。

分项来看：销售费用率始终维持低位（2025 年 0.55%），与经销为主的直供模式相符；研发费用率由 2023 年的 49.75% 降至 2025 年的 15.52%，研发投入绝对额仍在增长（2025 年研发费用 95.93 亿元），费用率下降完全由收入放量驱动；财务费用率由 21.29% 降至 4.78%，主要受益于收入基数扩大与自身造血能力增强；管理费用率 2025 年回升至 10.73%，主要系公司对部分符合条件的第二期员工持股计划激励对象取消服务期安排、以及向董事长授予股权激励，使股份支付金额增加所致，属一次性因素。

分地区看，公司主营收入历史上大部分来自中国香港（半导体国际贸易集散地、便于美元结算），2025 年境内收入占比大幅提升至 42.79%（2024 年为 29.34%），主要因经销客户出于融资便利转向境内人民币交易、以及境内直销规模增长；分渠道看，公司以经销（买断式）为主，2025 年经销、直销占比分别为 85.38%、14.62%。收入的季度分布呈现下半年集中特征，2025 年一至四季度营收占比分别为 10.03%、14.82%、26.93%、48.23%，与价格上行节奏一致。

经营造血由负转正，扩张投入仍在高位。 公司经营活动现金流量净额由 2023 年的 -72.72 亿元，转为 2024 年的 68.97 亿元、2025 年的 365.20 亿元。与此同时，公司维持高强度资本投入，2023-2025 年购建固定资产等长期资产支付的现金分别为 436.58 亿元、712.30 亿元、497.39 亿元，截至 2025 年末已签约未履行的长期资产采购承诺仍有 171.29 亿元。经营造血能力与扩张力度同步走强。

资产负债方面，截至 2025 年末公司资产总额 3367.85 亿元、负债总额 1826.85 亿元，资产负债率（合并）54.24%、高于可比公司均值，主要因公司尚未上市、以银团借款等债务融资为主（长期借款余额 1188.25 亿元）。公司账面货币资金 519.90 亿元，管理层评估认为不存在偿债风险。需要提示的是，尽管 2025 年已扭亏，公司截至 2025 年末合并报表仍有未分配利润 -366.50 亿元，累计未弥补亏损尚未消除。

公司的制造体系由合肥两座、北京一座共三座 12 吋晶圆厂构成，分别由长鑫存储、长鑫新桥、长鑫集电三家核心经营主体承载，另在上海规划 HBM 封装产线。三座工厂的建设呈梯次推进格局：合肥一期已满产运行，合肥二期在建工程大部分转固、进入产出释放期，北京厂仍在持续建设。

合肥一期（长鑫存储）是公司的起点，也是中国大陆首条自主 DRAM 量产线。项目主体长鑫存储成立于 2017 年 11 月，厂区位于合肥经开区“长鑫 12 吋存储器晶圆制造基地项目”。据公开报道，项目 2017 年 3 月开工建设，2018 年 1 月厂房建成并搬入设备，2019 年 9 月 20 日在世界制造业大会上宣布正式投产，自主设计生产的 10nm 级第一代 8Gb DDR4 同期首度亮相；项目总投资约 1500 亿元，设计产能 12 万片/月。合肥一期生产线在建余额 2023-2025 年末维持在 39.76 亿-50.85 亿元区间，说明产线在满产运行的同时仍持续进行设备更新与技术升级改造。

合肥二期（长鑫新桥）是当前产出释放的主力增量。 项目主体长鑫新桥成立于 2021 年 1 月，厂区位于合肥经开区。合肥二期生产线在建工程余额由 2023 年末的 305.34 亿元大幅降至 2024 年末的 201.75 亿元、2025 年末的 55.60 亿元，表明产线设备已大规模转固投产、进入产能爬坡阶段；据每经网 2026 年 7 月报道，12 英寸存储器晶圆制造基地二期项目仍在继续建设中。

北京厂（长鑫集电）是产能版图的第三极，建设周期处于中段。 项目主体长鑫集电成立于 2016 年 8 月，厂区位于北京经开区。招股书显示，北京生产线在建工程余额由 2023 年末的 166.28 亿元降至 2025 年末的 119.96 亿元，转固进度慢于合肥二期、仍处持续投入期；支持该项目的银团贷款（中国工商银行等 9 家银行、合同金额 294 亿元）期限至 2035 年，与产线的长建设周期相匹配。

上海方面，公司规划建设 HBM 封装产线。 据公开资料，该封装厂预计 2026 年底完工，规划用于第四代 HBM（HBM3）产品，是公司切入 HBM 赛道的关键布局。

理解这个行业，需要同时把握它的两个基本属性：强周期性决定利润的波动节奏，成长性决定长期空间。本节依次回答四个问题：DRAM 的周期如何运行、本轮周期与以往有何不同、市场空间有多大、竞争格局中长鑫处在什么位置。

DRAM 的强周期性，根植于供给对需求的响应天然滞后。 厂商依据需求调控产能，但新建产线的产能爬坡通常需要数个季度，新建晶圆厂从资本开支到产能释放更长达数年；当需求超预期时供给无法即时跟上、价格上行，当需求转弱时在建产能仍持续释放、价格下行。

以季度销售额刻画，DRAM 过去十五年经历了数轮完整周期，当前上行周期的高度已超越以往任何一轮。 2016-2018 年的服务器缺货周期中，DRAM 季度销售额于 2018 年三季度见顶（280 亿美元）；2020-2021 年疫情驱动的上行周期高点未能超越前高；2022-2023 年深度下行，2023 年一季度探底 96.6 亿美元、同比下滑 59.82%。本轮自 2023 年下半年启动，逐季回升，2026 Q1达 970 亿美元、同比增长263%、环比增长 81%，规模乃至增速均创历史新高；年度维度（TrendForce 口径），2024 年 DRAM 销售额 974 亿美元、同比增长 86.43%，2025年销售额1533亿美元、同比增长57.42%。

本轮周期与以往消费电子驱动的周期存在本质差异：需求主导力量由波动性强的消费电子，切换为确定性高、持续期长的 AI 算力建设。

按市场规模，2024 年服务器已以 38% 的占比超越移动设备（35%）成为 DRAM 第一大下游，2025年服务器占比更是提升至50%，Omdia 预计其占比 2026 年升至约 60%、2030 年达 71%；按搭载量，服务器 DRAM 搭载量由 2025 年的 19953 MGB 增至 2030 年的 69340 MGB，同期移动设备仅由 11111 MGB 增至 13776 MGB。

TrendForce 的分下游预测进一步印证“AI 强、消费弱”的结构：AI 服务器 2025、2026 年出货量增速为 25%、24%，单机 RDIMM 容量增速 31%、21%、LPDDR 容量增速 67%、15%；而智能手机出货量增速仅 2%、-2%，笔记本电脑为 5%、-3%，消费终端对 DRAM 需求的贡献主要来自单机容量的温和提升（手机  9%/ 8%，笔记本  14%/ 10%）。

量价共振之下，DRAM 市场规模正处于台阶式抬升的起点。 根据 Omdia，全球 DRAM 市场规模 2024 年 976 亿美元（同比  86.26%）、2025 年 1505 亿美元（同比  54.2%），2026 年预计跃升至 3722 亿美元、同比增长 147.3%——一年之内接近再造两个 2025 年的市场；此后涨价的一次性抬升效应消退，增长回归量与结构驱动，2027-2030 年分别为 4634、5402、5562、5710 亿美元，对应 2025-2030 年年均复合增长率 30.56%。

全球 DRAM 市场高度集中，进入壁垒极高。 根据 Omdia，按销售额测算，2025 年三星电子、SK 海力士、美光科技的全球份额分别为 33.96%、34.48%、23.41%，三家合计占据九成以上；南亚科技等台系厂商份额有限。壁垒来自资金与技术双重密集：单座 DRAM 晶圆厂投资规模已超过百亿美元，且随制程演进持续攀升；DRAM 设计与制造工艺耦合复杂，新进入者需长期积累方能形成量产能力。高壁垒既保护了在位者，也意味着一旦有新厂商跨过量产门槛，其份额提升的阻力主要来自产能而非资质。

作为需求大国，中国的国产化空间尤为广阔。根据 Yole，2024 年中国 DRAM 市场规模约 250 亿美元、占全球比重超过四分之一，却长期高度依赖进口，这正是长鑫作为链主企业的战略价值所在。

产品代际迁移为国产厂商提供了切入窗口。 2023 至 2025 年，DDR4 市场占有率由 64% 降至 27%、DDR5 由 32% 升至 71%；LPDDR4 由 47% 降至 27%、LPDDR5 由 52% 升至 72%。当行业整体向新代际迁移时，掌握新代际量产能力的厂商可获得超额收益。长鑫恰在这一窗口完成了 DDR5、LPDDR5/5X 的量产：在服务器 DDR5 各容量段，公司与三星、SK 海力士、美光同处“已量产”梯队，领先于仍在部分容量段开发中的南亚科技；自有 DDR4 于 2024 年底停产、产能全面转向高代际产品，与行业迁移方向同步。

测算的关键，是把供需两侧统一折算到同一个可比口径——“万片/月”的晶圆产能。 框架如下：

需求侧：终端数量 × 平均单机搭载容量 → 总容量需求（亿 GB）→ 除以单位晶圆容量 → 产能需求（万片/月）

供给侧：分厂商产能逐年加总 → 产能供给

其中“单位晶圆容量”是两侧换算的枢纽，由单芯片容量、die 面积、每片晶圆芯片数（DPW）与良率共同决定。以 12 吋晶圆、单颗 die 面积 76mm² 计，每片晶圆可切割约 700 颗芯片，按 95% 良率折合有效产出（KGD）665 颗：1y 级制程单颗容量 16Gb（2GB），单片晶圆产出即 665×2GB = 1330GB；上一代 21nm 制程单颗 8Gb（1GB），单片产出 665GB。

当期需求：2025 年全球 DRAM 需求折合产能约 216 万片/月。

①  逐下游自下而上加总：智能手机按单机 7.8GB、年出货 12.4 亿部，容量需求 96.72 亿 GB；个人电脑按单机 14.5GB、年出货 2.74 亿台，容量需求 39.73 亿 GB；服务器按单机 620GB、年出货 0.16 亿台，容量需求 99.20 亿 GB——服务器以不到手机 1.3% 的出货量，贡献了与手机相当的容量需求，620GB 对 7.8GB 的单机容量量级差，是理解“服务器主导 DRAM 需求”最直观的入口。 三大下游合计 235.65 亿 GB、约占总需求的 87%，加计智能汽车、工业等其他类下游后，全球容量需求合计 270.86 亿 GB，其中国内 73.63 亿 GB、海外 197.23 亿 GB。

②  按国内以 21nm（665GB/片）、海外以 1y（1330GB/片）为主的制程结构折算，全球产能需求约 215.85 万片/月（国内 92.27、海外 123.58）。

中远期需求：折合产能约 293 万片/月，较 2025 年提升约 36%。

① 保守起见，假设各终端出货量维持当前水平，增长全部来自单机搭载容量的提升：智能手机由 7.8GB 升至 12GB（AI 端侧化）、个人电脑由 14.5GB 升至 20GB、服务器由 620GB 升至 1500GB（AI 服务器占比提升带动）。三大下游容量需求合计升至 443.60 亿 GB，加计其他类后合计 466.95 亿 GB，较 2025 年增长 72%。

② 按制程全面升级至 1y（1330GB/片）折算，全球产能需求约 292.57 万片/月（国内 84.07、海外 208.50）。

价格是供需缺口的兑现形式，涨价已从行业数据传导至公司报表。 根据 TrendForce（HTS 2026 存储产业趋势研讨会）的价格预测，2025 年以来 DRAM 全线进入涨价周期，其中服务器 DRAM 涨幅最为凌厉——在 AI 服务器需求拉动下，原厂产能优先倾斜至 Server 与 HBM，Server DRAM 合约价在 4Q25 单季环比涨幅高达 50%–65%，成为本轮涨价的核心引擎。供给的结构性挤压随之外溢，带动 PC、Mobile、Graphics、Consumer 等其他品类同步跟涨，3Q25–4Q25 各主流产品普遍录得 30%–40% 以上的环比涨幅，涨价从服务器向全品类扩散。展望 2026 年，TrendForce 预测涨势仍将延续，各品类在 1Q26 继续保持双位数环比上涨、全年维持高位。

更值得注意的是，近期数据显示 2026 年的实际涨价幅度正大幅超出此前预期：据 TrendForce 2026 年 6 月最新调查，1Q26 一般型（conventional）DRAM 合约价环比暴涨约 93%–98%，远超原先双位数的预测区间。这反映 AI 驱动的需求强度与供给紧张程度均显著强于原先判断，存储涨价周期的高度与持续性有望进一步上修。

方法核心：用可比公司的市值反解出“每 1% 远期全球份额对应多少市值”，再乘以长鑫的远期份额。 由于 DRAM 与 NAND 的估值水平不同，我们将两类业务分开估值。

第一步，设定远期份额格局。 以 2026 年一季度的实际份额为起点，假设长鑫 DRAM 份额由 8% 提升至远期的 17%、长江存储 NAND 份额由 13% 提升至 18%；其余公司在扣除长鑫、长存后的剩余份额中占比不变，即按公式 其他公司远期份额 = 当前份额 ×（1 − 长鑫/长存远期份额）/（1 − 长鑫/长存当前份额） 等比例稀释。例如美光 DRAM 远期份额 = 22%×(1−17%)/(1−8%) = 19.85%，NAND 远期份额 = 13%×(1−18%)/(1−13%) = 12.25%。

第二步，用可比公司反解单位份额市值。 美光与闪迪（SanDisk）的 NAND 份额恰好相等（均为 13%），意味着二者市值中对应 NAND 的部分相等，因此美光市值减去闪迪市值，即等于美光 DRAM 业务对应的市值——10220 − 2308 = 7912 亿美元。将其除以美光 19.85% 的 DRAM 远期份额，得到 DRAM 每 1% 远期份额约值 398.6 亿美元（即每 100% 份额对应约 39863 亿美元）；闪迪为纯 NAND 标的，其 2308 亿美元市值除以 12.25% 的 NAND 远期份额，得到 NAND 每 1% 远期份额约值 188.4 亿美元（即每 100% 对应约 18836 亿美元）。

第三步，回测验证并得出结论。 以“测算市值 = DRAM 远期份额 × 39863   NAND 远期份额 × 18836”反算各可比公司并与其 7 月 16 日实际市值比对：海力士反算市值 13625 亿美元、较实际偏高 9.44%，铠侠反算 2485.54 亿美元、仅偏高 0.66%，美光与闪迪作为锚点偏差为零，回测结果与实际市值基本吻合。据此，长鑫作为纯 DRAM 标的、远期份额 17%，对应市值 = 39863 × 17% = 6776.76 亿美元（以美元汇率6.77计算，市值为45879亿元）。

晶圆制造是典型的重资产标准化制造业，任何一家晶圆厂的盈利均可从“收入−制造成本=毛利润”这一恒等式出发进行拆解。收入端由平均销售单价（ASP）与晶圆出货量共同决定；成本端则划分为固定与可变两部分：固定成本以折旧摊销为主，由资本开支所形成的产能规模决定；可变成本涵盖原材料、人工及水电气等制造费用，随实际产量线性变动。

通过产能、稼动率、产销率可估算销量，销量与ASP相乘即为营收；折旧摊销可以通过历史固定资产投资进行估算；单位可变成本（Unit VC）则相对固定或可预测，整体可变成本=单位可变成本×出货量。通过上述方式，可以对晶圆厂未来收入、成本、毛利润进行完整预测。

实际操作中，由于招股书未披露产能/销量数据，我们以固定资产原值作为代理产能，乘以稼动率、产销率计算得到代理销量，进而构建长鑫科技的收入、成本模型。

对长鑫科技未来营收进行测算：

如下表所示，以固定资产原值作为产能的代理变量，乘以稼动率、产销率得到代理销量。营收/代理销量得到ASP（注：此处ASP为营收与固定资产原值口径代理销量之比，是无量纲的相对指标，并非真实晶圆单价，仅用于刻画单位产能的收入弹性），2024-2025年ASP大幅提升主要系DRAM价格大幅上涨、技改后单片晶圆产出GB增加。下面对26、27年营收进行预测：1）参照前文给出的未来产能增速，可估计2026、2027年代理产能；2）考虑到2026年DRAM价格继续大幅上涨、长鑫技改继续推进，而2027年DRAM涨价放缓，我们假设2026、2027年ASP分别提升至1.06和1.40，计算得到两年营收分别为2638亿元、4716亿元。

对长鑫科技未来成本进行预测：

VC（可变成本）相对易于预测。我们以每年折旧作为FC，以每年成本拆分表中的“直接材料 直接人工 制造费用”作为TC，TC-FC即可得到VC。以2025年为例，TC为381.11亿元，FC为246.80亿元，VC为134.31亿元。

FC（固定成本，主要是折旧）是预测难点，难在扩产期的折旧节奏。 长鑫处于快速扩产期，每年新增固定资产占存量的比例大，而一笔资产当年只按购入后的月份数计提折旧、次年才折满 12 个月，折旧节奏对当期成本影响显著。这使每年的折旧增量天然分成两块：1）效应 A：上一年购入的资产，上年只计提了部分月份的折旧，今年折满全年——补齐的差额；2）效应 B：今年新购入的资产，今年计提的部分月份折旧。

据此构建折旧拆解模型——假设全部资产按 8 年折旧，本年折旧 = 上年折旧   δ，其中 δ = A   B。以 2023 年为锚定：当年折旧较上年增加 55.73 亿元，其中效应 A 的上限为 31.52 亿元（假设 2022 年新增的 157.59 亿元固定资产按 5 年折旧、且上年完全未计提）、下限为 22 亿元，取中值 A = 25 亿元，则 B = 55.73 − 25 = 30.73 亿元；由此可逐年递归外推此后各年的 A、B。对 2026、2027 年，假设产能分别增至 35、45 万片/月，且当年新增固定资产只计 6 个月折旧。

综上所述，一方面以固定资产原值作为产能的代理变量，计算得到代理销量，进而对营收进行预测；另一方面，通过线性外推单位可变成本预测未来可变成本，通过公司Capex节奏对未来固定成本（折旧）预测；最后假设期间费用率，即可获得2026、2027年净利润的估计。

按万得一致预期，美光、SK海力士对应2027年PE分别为7.51倍和7.94倍，反映市场对成熟存储厂商的定价范式，海外长期占据全球DRAM九成左右份额，份额已基本没有上行空间，盈利弹性主要来自价格周期而非量的扩张。长鑫所处的阶段与之截然不同，2026年一季度全球DRAM市占率约8%，在国家战略支持与国产化采购的确定性需求下，公司远期份额预计将提升至30%左右，而海外三家的份额则整体趋于下行。这意味着未来数年长鑫的产能增速与业绩增速都将显著高于海外三家。综合成长溢价，给予长鑫2027年10-15倍PE，对应3.75~5.62万亿人民币市值。

三星电子、SK海力士、美光在2026Q1的少数股东损益占比均不足1%，长鑫科技2025年少数股东损益占比为73.76%，远高于同业水平，估值需要剔除该部分影响。

2026年Q1长鑫科技归母净利润为247.62亿元、少数股东损益为82.49亿元，少数股东损益占比为24.99%；2026年H1公司预计实现净利润660-750亿元，归母净利润500-570亿元，少数股东损益占比约为24%。假设2026、2027年少数股东损益占比维持24%不变，剔除少数股东损益长鑫科技合理估值水平在3-4万亿人民币：

1） 市场份额相对估值法给出约 3.49 万亿人民币市值；

2） 盈利拆分PE估值法给出约 2.85~4.27 万亿人民币市值；

3） 单位产能相对估值法给出3.22~3.99万亿人民币市值。

下游需求不及预期：DRAM 行业具有强周期属性，若 AI 服务器建设放缓或消费电子复苏乏力，需求或不及预期，价格波动将增加厂商在生产规划、存货管理与资本开支决策上的难度；

DRAM 价格周期性下行：存储行业价格波动剧烈，2022-2023 年曾出现价格较周期前跌幅达 50%、三巨头集体亏损的深度下行，价格若见顶回落将直接压制盈利与估值；

产能扩张与技术迭代不及预期：公司产能爬坡、第五代工艺平台及更高代际产品的研发若滞后，将影响量与价的兑现；

国际贸易摩擦与供应链受限：公司在获取部分国际供应链资源、开展国际化合作及融资渠道方面面临一定限制，地缘政治升温可能加剧产业链不稳定。