下一代高数值孔径（High NA）极紫外（EUV）光刻机的部分组件已运抵美国纽约州，将用于芯片制造研发。州政府官员称，随着芯片小型化逐渐接近摩尔定律的极限，此举是建立美国尖端光刻技术研究中心的重要一步。

州长宣布，首批组件已于7月21日送达电子研究非营利组织NY Creates，该组织运营着奥尔巴尼纳米科技中心（Albany NanoTech Complex）。这些组件构成了该设备的底部主模块，其余组件将在未来几周内陆续运抵现场并进行组装。该设备预计将于今年年底投入使用。

据纽约州创新局首席执行官Dave Anderson介绍，该纳米科技中心是北美地区同类设施中唯一的，其规模和重点与位于比利时的欧洲Imec公司类似。

纽约州州长Kathy Hochul表示：“今天的里程碑使我们离确保纽约未来成为美国半导体创新和世界一流研发中心的目标又近了一步。”她还补充说，她预见到未来几十年纽约州将成为尖端芯片设计的重要枢纽。

奥尔巴尼纳米技术中心是美国最先进的非营利性芯片研究中心之一，专注于芯片开发、先进封装和EUV光刻技术。该中心已被指定为美国国家半导体技术中心（NSTC）的首个旗舰基地，并获得联邦政府8.25亿美元的初始投资，用于建立EUV光刻加速器。

州长办公室表示，该中心High NA EUV光刻中心的建设和交付得益于州政府10亿美元的投资以及行业参与者90亿美元的资金支持。奥尔巴尼纳米技术中心的成员包括IBM和应用材料、美光科技等企业，其合作伙伴Tokyo Electron于今年早些时候向该实验室交付了一套先进的300毫米晶圆涂覆/显影系统。

每台High NA EUV光刻机造价约4亿美元，旨在满足未来先进处理器所需的芯片尺寸不断缩小的需求。据称，这项新技术能够提供所需的精度，推动半导体行业超越纳米尺度，迈入埃级时代。

High NA EUV光刻机最初由英特尔采购，该公司正努力重返先进芯片市场。随后，三星电子也增加了订单。虽然台积电原计划在2028年左右将这项技术应用于A14工艺节点，但今年早些时候，台积电与ASML之间的价格谈判破裂。