AI Agent加速推理算力与存力扩容，自主可控链国产化再加速

我们认为，2026年AI产业正从大模型预训练切换至AI Agent商业化落地，推理算力需求进入加速增长通道。我们看好三条主线：AI链方向，国产算力闭环加速形成，超节点互联与存储升级共振，推理需求拐点明确，AI端侧上折叠机、AI眼镜等新品周期将至，结构性创新机遇值得重视；功率与被动元件方向，AI功耗驱动MLCC、电感、电容、功率半导体量价齐升，涨价周期与国产替代共振；自主可控方向，上游制造、设备以及零部件国产化进程加速，同时先进封装价值量系统性提升。

AI链：AI Agent驱动推理算力高增，国产算力 运力 存力加速发展

我们看好AI Agent商业化落地驱动推理算力进入加速增长阶段。据国家数据局统计，2026年3月国内Token日均调用量已超140万亿次，推理端算力需求正迎来快速增长阶段，国产大模型与国产算力形成Day 0适配闭环，国产AI芯片替代持续加速。互联侧，大厂超节点方案陆续落地，Scale Up网络驱动交换芯片用量实现显著增长，PCB方面AI架构迭代驱动高端产品量价齐升。存储侧，我们预计2H26合约价延续上行，AI强劲需求下供给缺口短期难以补足，Agent长记忆场景推动高容量内存及企业级SSD需求迈入新量级。端侧方面，我们看好AI驱动消费电子结构性创新，苹果折叠屏、AI/AR眼镜、OpenAI硬件等新品密集涌现，2027年iPhone 20周年有望迎来硬件创新集中释放周期。

功率与被动元件：AI功耗驱动元件升级，MLCC与功率等多维共振

我们看好AI服务器功耗持续攀升驱动被动元件与功率半导体量价齐升。MLCC方面，AI服务器用量指数级跃升，全产业链进入涨价通道，海外高端产能挤占效应凸显，我们看好本轮超级周期延续至2027年，国内龙头有望受益于国产替代机遇。电感方面，垂直供电有望于2H26上量，TLVR耦合电感单颗价值量从0.5美元向1-2.5美元跃升。铝电解电容方面，AI牛角电容ASP从传统10元级别大幅提升，供给端产能切换存在刚性缺口，供需紧张具备持续性。功率半导体受益AI挤占效应扩大，叠加传统市场经历三年去库存后进入补库周期，我们看好功率公司从收入修复迈入盈利修复。

自主可控：制造封测加速追赶，上游设备与零部件国产化加速

我们认为上游制造与设备是半导体产业链最关键的卡脖子环节，国内正加速追赶。制造端，台积电2nm已量产，国内距全球龙头约3-4年差距，但成熟制程受益于AI挤占效应，ASP有望持续提升；先进封装侧，OSAT厂2.5D产能2026年起进入规模投放期，3D封装已在手机SoC落地，玻璃基板与CoPoS远期趋势明确。设备端，下游存储、逻辑扩产需求旺盛，全球WFE进一步上修，本土厂商订单高增，凭借交期优势有望承接海外外溢订单。零部件需求持续拉升，我们看好真空阀、静电卡盘、EFEM等低国产化率环节在产能紧缺与国产替代双轮驱动下的持续突破。

风险提示：中美贸易摩擦升级风险，电子产品渗透率不及预期风险，AI技术发展不及预期，半导体行业周期波动风险，本研报涉及的未上市或未覆盖个股内容，均系对其客观信息的整理，并不代表团队对该公司、该股票的推荐或覆盖。

AI链：AI Agent带动算力 运力 存力加速发展

AI芯片：AI Agent驱动推理算力高增，自主可控持续加速

Token调用量加速增长，国内AI芯片市场规模广阔。2026年初，国内大模型应用进一步深化，Agent商业化落地加速，国家数据局统计显示，2026年3月，中国国内Token日均调用量超过140万亿次，较2024年初增长超过千倍，同时，OpenRouter数据显示，截至2026年6月第一周，中国模型的Token调用量已连续6周位居全球第一。国产模型Token调用量快速上量，或将拉动推理端算力需求快速增长，叠加海外高端算力芯片出口受限，国产AI芯片替代或将持续加速。据弗若斯特沙利文数据预测，2029年中国人工智能芯片市场规模将从2024年的1425亿元增长至13368亿元，对应的CAGR达56.5%。

国产大模型快速发展，叠加政策自主可控需求，共同推进国产AI芯片加速渗透。4/24，DeepSeek正式上线并开源DeepSeek-V4预览版，当日即实现寒武纪、华为昇腾等国产芯片的Day 0适配；此外，6/17，智谱上线并开源GLM-5.2，模型上线首日亦立即完成与多家国产算力平台的推理适配，彰显国产大模型与国产算力的深度协同能力。政策端，5/26，中国信息安全测评中心与国家保密科技测评中心联合发布的《安全可靠测评结果公告（2026年第2号）》，首次将人工智能训练推理芯片纳入安全可靠测评体系。AI模型应用持续深化， token调用量已出现明显加速拐点，我们看好，在国产大模型快速发展以及政策自主可控需求共同推动下，国内AI芯片采购需求快速攀升、国产采购比例持续提升。

短期供给格局相对分散，国产先进制程产能释放或将驱动份额向头部集中。根据IDC数据，从出货量来看，2025年中国AI加速芯片市场中，英伟达和AMD占据58.7%的市场份额，其中英伟达以55%的份额占据主导地位。在此背景下，受益于国产替代趋势及供应链安全要求，本土AI芯片公司正快速发展，其中，华为海思依托其深厚的技术储备与渠道优势，占据20%的市场份额，平头哥、寒武纪、昆仑芯、海光、沐曦、天数等厂商份额较为领先，反映国内AI芯片显著供不应求的背景下，短期供给格局相对分散。2026年，在Token消耗量大幅提升背景下，我们观察到国内互联网客户选择导入多家AI芯片公司产品，因此，从导入厂商数量角度看格局相对分散，但从采购量看格局仍较为集中。伴随国内先进制程代工逐步成熟，我们预计2027年往后国产AI芯片供给能力有望进一步改善，下游客户采购考核权重中，产品性能评分重要性将大幅提升。因此，中国AI 芯片市场格局有望向海外市场靠拢，“强者恒强”定律或将重新生效。

互联：大厂超节点方案陆续落地，交换芯片打开新成长曲线

AI集群的互联结构主要包括Scale out和Scale up。1）Scale out的特点是横向扩展，指的是跨节点、跨服务器的分布式互联方式，主要通过InfiniBand网络或基于RoCEv2的高性能以太网等协议实现拓展。其本质是使用高性能的网络拓扑将成千上万个计算节点连接成一个整体，负责处理大规模分布式训练中的数据并行与流水线并行通信，以高速、无损、高吞吐的大规模组网架构打破单点物理极限，提升整体集群的算力规模；2）Scale up的特点是纵向扩展，指的是在单节点或单机柜内部，通过NVLink、UALink等高带宽、低延迟的专用协议将多颗XPU进行直连或交换互联。其本质是将多卡融合成一个共享内存的超大规模算力虚拟单机，提高节点内部的显存带宽和实际算力使用效率，以支撑大模型在进行张量并行或专家并行等高频交互时微秒级的通信要求。

国产超节点迎来加速落地阶段。超节点核心思想即通过高速互联技术将数十、数百甚至数千颗AI 芯片形成规模化计算单元，具备高带宽、低时延特点，并通过内存统一编址，实现设备间基于内存语义的直接访问，大幅提升数据交互效率。国内AI芯片厂商和互联网大厂现正在陆续落地并深化其超节点方案：2025年9月云栖大会上，阿里云发布磐久AL128单机柜超节点服务器，单机柜128卡紧密耦合互联，芯片间P2P通信时延低于150纳秒，单机柜带宽达到Pb/s级，可承载海量Agent并发请求，有效打通传统算力集群的通信墙瓶颈。此外，2025年华为开发者大会上，华为亦宣布基于CloudMatrix 384超节点的新一代昇腾AI云服务全面上线，CloudMatrix 384超节点单卡推理吞吐量达2300 Tokens/s，与非超节点相比提升近4倍。

超节点快速发展驱动底层网络中交换芯片价值量迎来非线性增长。传统数据中心扩容推动我国商用以太网交换芯片市场规模有望从2020年的90亿元增长至2025年的171.4亿元，数据中心占比提升至70.2%，需求加速集中。更具弹性的是，大模型对超节点内高带宽、低延迟互联的需求催生了Scale Up网络，单颗GPU配套交换芯片的用量较传统Scale Out网络可达10倍量级。过去多GPU通信受限于PCIe低带宽与高延迟，无法满足千亿、万亿参数大模型集群通信要求，若仅依赖主板点对点连接，带宽碎片化将导致有效速率剧烈衰减并引发算力孤岛。因此，通过高带宽Scale Up Switch实现GPU全互连紧密耦合，成为扩展AI集群的核心，也驱动Scale Up网络侧的交换芯片与GPU配比率远高于Scale Out网络侧。

具体配比上，Scale Up网络侧，交换芯片与GPU的配比率远高于Scale Out网络侧。1）Scale Out网络侧：以NVIDIA 4SU DGX H100 SuperPOD为例，最大支持127个DGX H100节点，共1016颗GPU。其Scale Out网络采用Rail-Optimized拓扑，配置32台Leaf交换机和16台Spine交换机（交换容量均为64 × 400Gbps = 25.6Tbps），GPU与Quantum-2交换芯片=1：0.05。在字节跳动MegaScale 12288 GPU集群中，采用三层CLOS拓扑连接，三层均基于Broadcom Tomahawk4交换芯片，收敛比为1：1。按照已知端口数和端口速率，我们推测集群中ToR Leaf Spine交换机数量或达到480台，GPU：Tomahawk4=1：0.04。2）Scale Up网络侧：在英伟达DGX A100和DGX H100的8卡服务器中，分别采用6颗7.2Tbps和4颗12.8Tbps NVSwitch，GPU：NVSwitch=1：0.75/1：0.5；而在DGX B200的8卡服务器以及GB200 NVL72机柜方案中，分别采用2/18颗28.8Tbps NVSwitch4，GPU：NVSwitch4=1：0.25，仍远高于在Scale Out网络侧的配置率，交换芯片在数据中心的价值占比正在大幅提升。需要重视的是，在英伟达Vera Rubin NVL72（2026）配置中，NVLink6 Switch的用量或提升至36颗（9个Switch Tray×4颗NVSwitch/Tray），GPU：NVLink6 Switch=1：0.5。

存储：看好2H26存储价格持续上行，LTA有望平滑周期波动

2H26存储合约价或将延续上涨趋势，原厂长期供货协议有望平滑周期性波动。25年下半年以来，受益于AI强劲需求拉动，存储价格呈现快速增长态势；展望后续，供给缺口短期无法补足，我们预计2H26大宗DRAM/NAND合约价格将进一步上涨，但因目前价格已达较高水平，涨幅或较1H26有所收敛。同时，由于原厂持续将产能规划倾向于HBM、高容量DRAM以及高层数3D NAND等高附加价值产品，NOR Flash、SLC NAND等利基型存储产能受挤压，而需求相对稳定，2H26价格亦有望进一步抬升。据美光、三星与SK海力士等原厂近期公开的业绩会表述，在AI基础设施扩容的强劲需求支撑下，本轮存储周期已展现出“超级周期”特征，CSP等大厂正密集通过签订长协来锁定未来供货安全。美光3QFY26业绩会上，公司披露已与客户签署16份SCA协议，以5年期为主，并覆盖期间约20%的DRAM出货量和1/3的NAND出货量；SCA采用Take-or-Pay机制，并引入价格上下限设计，上限将对应CY26Q2市场价格水平，下限也可确保毛利率高于历史峰值。长协锁价普及有望较好平滑存储周期波动。

全球存储原厂扩产相对节制，26年海外存储原厂资本支出仍较保守，主要向HBM、高容量DRAM倾斜。展望2026年，海外存储原厂资本支出仍较保守，根据TrendForce（3月）数据，2025年DRAM产业资本支出约537亿美元，预计2026年为719亿美元，同比增长幅度为34%，NAND Flash资本支出将从2025年的211亿美元提升至236亿美元，同比增长12%。据三星、SK海力士及美光公开投资规划表明，原厂当前追加的资本开支绝大部分全额倾斜于HBM高层数封装产线的扩建与先进制程工艺技术升级。其中，NAND Flash端，各大原厂的产能扩张显得极其克制，缓解市场对于产能快速转向过剩进而拖累周期见顶的担忧。

AI发展从大型模型训练转向以推理为核心的AI Agent应用，将进一步带动存储需求快速增长。AI大模型训练及推理对高速存储需求显著提升，既需要高容量DDR5及HBM存储巨量参数和中间计算数据，又需要企业级SSD存储大量数据集（LLM训练语料、图片、视频等）。AI Agent场景下，长上下文与持久化记忆将进一步带来巨量数据吞吐，推动高容量内存及企业级SSD需求加速增长。TrendForce（5月）预计2026年全球存储产值将达到8893亿美元，同比增长296%，2027年将进一步增长至1.28万亿美元，同比增长44%。

PCB：AI算力架构迭代驱动高端产品量价齐升，CCL进入涨价周期

行业总量持续扩张，AI算力是核心增长引擎

近年来，随着生成式AI和高性能计算的快速发展，数据中心服务器成为PCB行业最具活力的下游领域。根据胜宏科技招股书，2024年全球AI及高性能计算领域PCB市场规模为60亿美元，预计2029年将达到150亿美元，24-29年复合增长率高达20.1%，远高于整体PCB市场复合增速4.6%。同时，AI服务器对PCB的性能要求全面提升。根据沙利文研究预测，14层及以上高多层板、高阶HDI等高端产品市场份额持续增长，2024-2029年复合增速均显著高于行业均值。展望未来，看好AI服务器平台升级驱动板侧价值量持续提升，助推高多层PCB与高阶HDI成为行业核心增量，并带动高频高速覆铜板及其前端材料迎来行业扩容。

工艺迭代：CoWoP封装、1.6T光模块引领新一轮升级，mSAP产能缺口扩大

mSAP工艺正成为1.6T及以上高速光模块PCB的必选路径。相比传统减成法（线宽极限约30μm，阻抗容差±10%），mSAP工艺可将线宽/线距压缩至20-40μm，阻抗容差收窄至±5%，满足224G PAM4高速传输需求。1.6T光模块PCB层数达14-18层，材料升级至M8等级，单位面积价值量较800G提升2-3倍。在需求非线性增长的背景下，由于mSAP产能扩张周期较长，且具备较高的工艺壁垒，整个行业供给缺口将持续扩大。看好具备成熟mSAP产能的厂商受益于1.6T光模块需求增长。

CoWoP封装同样带动mSAP工艺，我们认为PCB环节价值量有望大幅提升。我们认为英伟达有望在后续GPU封装中尝试CoWoP方案，简化CoWoS的中间层，直接使用PCB取代载板，将芯片封装于PCB上。该方案目前处于研发阶段，我们预计2028年后推出，加工方式倾向于采用SLP工艺。SLP作为更高规格的HDI，其线宽/线距介于ABF载板和传统HDI之间，最低可达15-18μm，BGA pitch约110μm。从价值量而言，为满足CoWoP封装标准，我们认为PCB价值量将大幅提升。

上游材料：CCL涨价周期与高端化升级共振

CCL作为PCB核心基材，其性能直接决定PCB的信号传输速度、损耗和可靠性。业界常用松下Megtron系列作为CCL材料性能标杆，主要衡量指标为介电常数Dk和损耗因子Df，指标越低越适用于高频高速场景。AI算力提升驱动PCB向更高层数和更精细线路发展，传统CCL材料无法满足低损耗要求，而M8/M9是当前最高等级材料，可支持单通道224Gbps传输需求。CCL材料升级将推动行业产业链向高附加值材料和配套供应转移，上游原材料商（高纯树脂和石英纤维生产商）受益，中游铜箔、玻纤布生产商也需推出HVLP4铜箔等配套产品，PCB成本结构倾向于上升，市场格局趋于集中。我们预计随着2H26 英伟达和ASIC新一代平台走向量产，高端CCL升级进展将更为明确。除了结构升级之外，由于CCL环节受上游挤压，本身供给扩张相对刚性，从年初开始看到供需持续紧张，行业涨价逻辑持续演绎，预计2H26 CCL仍将维持较高景气。

AI端侧：存储涨价压制终端需求，AI端侧引领结构性创新

2H26消费电子：存储成本压力与终端创新驱动并存

从消费电子行业整体景气度来看，2H26将延续存储成本压力与终端创新驱动并存的局面，看好AI端侧带来结构性机遇。

品牌端，存储涨价叠加国补退坡，2026年消费电子终端出货量承压，且预计下半年结构性分化明显。根据TrendForce，1Q26全球智能手机生产总量约2.84亿，同比小幅下降约1.7%。由于上半年品牌端仍有低价存储库存，叠加市场端涨价预期推高消费者购机需求，因此Q1手机市场供需受存储涨价影响尚不显著。进入2H26，随着部分品牌低价存储库存告罄，加上连续数季的超额涨幅已全面冲击品牌获利结构，迫使多数品牌在2Q26进入生产调节期。展望2026全年，TrendForce预估全球智能手机生产总量将降至10.51亿，同比下降约16.2%。若存储价格涨势未见收敛，考虑到品牌厂商将通过涨价方式抵消部分存储涨价影响，全年智能手机销量同比降幅或将进一步扩大。同时，我们认为各品牌下半年新机销售策略将显著分化，具备高端产品溢价能力的品牌倾向维持稳定甚至扩大市占；部分以中低端为主的品牌，在成本压力与市场竞争的双重夹击下，或将采取更保守的生产计划。

供应链层面，由于下游终端品牌普遍面临“涨价影响出货量、不涨价承担成本上行”的两难困境，部分非存储类零部件环节利润率将受压缩。相比之下，由于存储器件占苹果机型BOM比例相对较低，且苹果终端创新力度较大，因此我们判断存储涨价对安卓链影响大于苹果产业链。

关注折叠机、AI/AR眼镜、OpenAI硬件等端侧新催化

尽管存储对产业链造成压力，但我们认为26/27年大型硬件有望涌现，为产业链公司带来业绩预期差。苹果方面，26/27年折叠屏手机和全面屏手机有望推出，同时戴摄像头的耳机、桌面机器人、监控等家居类产品、AI眼镜/AR眼镜类产品也有望推出。OpenAI方面，公司推出的类徽章硬件有望于26年底推出，有望给产业链公司带来业绩新增量。除此之外，AI/AR眼镜新品也有望持续迭代。

我们认为苹果产业链未来两年有望进入新品发布密集迭代期。2027年是iPhone发布20周年重要纪念，手机、Mac、可穿戴、眼镜、家居类产品有望密集推出，或将迎来硬件创新超级大年。

新产品或为产业链公司带来迭代机会。折叠屏产品涉及UTG（Ultra-Thin-Glass）、铰链等多个环节零部件的新增。

除折叠屏之外，平板机VC均热板、可变光圈、钢壳电池等迭代也有望为行业带来新增量。我们认为2H26开始，苹果直板机型主要创新方向包括：1）散热方案有望升级至VC均热板产品。2）摄像头或陆续升级可变光圈、高端潜望镜等。3）电池有望普及钢壳电池。

在AI新终端方面，关注OpenAI硬件、AI/AR眼镜等新品催化。根据此前The information报道，OpenAI正与供应商讨论制造多款硬件产品，包括无显示屏的智能音箱、可穿戴徽章（类似AI pin）、眼镜、数字录音笔等一系列产品。我们估计OpenAI首款硬件产品可能将在26年底推出，有望在27年出货量继续保持增长。建议关注产品在消费者端接受程度。相关产业链环节包括整机、声学、马达、天线、电芯、结构件、PCB/FPC。

2026年起，Meta、字节、小米、亚马逊、苹果等更多新产品线仍待推向市场，AI眼镜行业有望迎来“量产大年”。同时，部分企业已率先研发智能眼镜的终极形态，即带显示的 AR 眼镜。光波导作为 AR 眼镜中技术难度和价值量占比排前列的核心组件，是下一阶段 AR 眼镜规模量产与体验提升的关键。随着 Meta 等头部企业协同歌尔、水晶等核心供应链加速入局，光波导技术有望逐步突破瓶颈，使得 AR 眼镜在显示效果、模组重量以及模组成本上得到优化，带动 AI AR 眼镜拐点加速到来。

建议关注 Meta 供应链以及AR核心增量环节。当前持续看好AI眼镜板块机会，建议关注两大主线：其一，Meta新品发布或将带动25-26年销量预期上修，对其核心供应链带来潜在催化；其二，AR 眼镜产品拐点将至，关注具有量价齐升逻辑的光学显示等环节，包括光波导及上游玻璃晶圆、碳化硅衬底环节、显示、镜片及贴合等。

功率与被动元件：AI服务器功耗驱动被动元件与功率需求增长

MLCC：AI算力驱动超级周期，量价齐升格局确立

AI服务器MLCC用量呈指数级跃升，单机价值量大幅提升，开启结构性超级周期。MLCC（多层片式陶瓷电容器）被称为电子电路的“大米”，是用量最大的被动元件。从下游来看，消费电子、工业与汽车电子三大领域占据主力，长期以来MLCC市场跟随消费电子行业周期波动，但2024年以来AI需求正深刻重塑行业格局。根据村田和日电贸数据，通用服务器主板MLCC用量约1,800-2,500颗，而8卡AI服务器主板用量达15,000-25,000颗，GB200 NVL72的MLCC用量更高达44.1万颗，蕴含价值量达4,635美元。根据TrendForce数据，英伟达下一代VR200 NVL72服务器将使用约60万个MLCC，比现有GB300平台高出30%以上。同时，由于AI服务器对于超高容和小尺寸等特殊品的需求大幅上升，生产高端MLCC对产能的消耗远超普通产品，最终或带来全球中高容供需的全面紧张。

高端产能挤占效应凸显，全产业链进入涨价通道，我们看好本轮周期有望延续至2027年下半年。1）从涨价覆盖面来看，看好MLCC全容值料号涨价。由于AI算力需求非线性上涨，海外龙头均已采取转产策略从而更快增加高容产能。由于低容、常规高容、超高容之间堆叠层数的显著差别，转产高端对于叠层机的工时消耗大幅增加，叠加良率损失，我们测算转产高一级别容值的产能损耗在1:5至1:8之间。随着下半年新一代AI服务器大规模量产以及消费电子备货季来临，海外龙头厂商或还将再次进行转产，这或将带来超高容对高容、高容对中容的产能挤压，我们认为这一轮超级周期将迎来低容到高容的全面涨价。2）从持续性来看，高容MLCC扩产需2年左右，设备交期正在显著拉长，海外龙头稼动率维持满产状态，系2021年以来供应最紧张阶段，看好本轮涨价行情延续至2027年下半年。

供给刚性叠加需求非线性增长，看好MLCC产业链受益三重产业逻辑。1）AI驱动MLCC进入类似存储的涨价周期，原厂和代理商盈利弹性有望大幅提升。由于2026年初 MLCC价格处于历史低点，以风华高科为例，1Q26毛利率约20%，而2018年前后单季度毛利率曾接近50%，稼动率修复叠加涨价，盈利弹性空间显著。2）海外高端AI MLCC供不应求，日韩厂商或将出让部分消费、工控乃至车规级高容市场份额，看好国内拥有高端产品大规模量产能力且具备成本优势的龙头受益于本轮国产替代机遇。3）面向村田、三星等海外大厂供货的上游材料企业，直接受益海外高端需求。产业链相关标的包括MLCC原厂、经销商以及MLCC上游。

铝电解电容：AI服务器功耗和用量持续提升，带动铝电解电容需求增长

铝电解电容：AI高功率机柜推升一次侧滤波需求，牛角型电容迎来用量跨越式提升。牛角型铝电解电容凭借高容量、耐大纹波、低ESR和高可靠性的综合优势，主要用于AI服务器一次侧滤波环节，在AC-DC或高压直流转换后承担滤波提纯、电压稳定和削峰填谷作用。相较于MLCC/MLPC更多用于板卡端高频去耦，牛角电容更直接绑定电源侧大功率、大容量、高耐压需求，其用量与机柜功率、冗余设计和高压直流架构渗透率高度相关。AI服务器电源架构升级正在带动铝电解电容从传统工控、新能源、消费类周期品，向AI电源核心配套器件重估。随着GPU/ASIC单柜功率持续提升，数据中心供电链路由传统PSU架构逐步向高功率密度、高压直流化方向演进，800V HVDC、SST等新型电源形态加速渗透。而在AI服务器场景下，单柜功率从100kW级别向300kW、600kW甚至1MW以上演进情况下，服务器电源PSU也从5.5kW往12kW、18.3kW等高功率方向升级，均带动铝电解电容的用量大幅提升，牛角电容在主要承担基础滤波功能基础上，加强了对于直流母线稳定性、纹波抑制能力和瞬态功率支撑能力的更高要求。

价格端看，AI场景产品规格显著升级，牛角电容ASP有望从传统10元级别大幅提升。传统消费、汽车、新能源、工控类牛角电容约10元左右/只，而AI服务器用牛角电容主流规格和平均单价显著高于传统市场，一方面由于高耐压、高容值规格要求较高，如475V/2600μF等规格，另一方面AI服务器场景下电容失效可能带来远高于器件本身价值的停机和数据损失，因此客户采购逻辑从“成本优先”转向“可靠性优先”，价格敏感度显著下降，AI高端电容的定价体系和盈利能力均明显优于传统产品。

供给端看，AI牛角电容并非传统产线简单转产，短期供需紧张具备持续性。AI用牛角电容对耐大纹波能力、电压跌落稳定性、容量一致性和失效率要求远高于传统产品。传统牛角电容失效要求约5PPM，而AI场景要求降至1PPM甚至零失效；同时高容量、高耐压和70-120mm大尺寸规格对卷绕、浸润、老化等环节提出更高要求。传统产线转产AI产品需要更换工装夹具、静置设备和老化设备，并重新适配材料体系和客户认证，并非无缝切换。我们看好下半年开始大功率PSU上量以及HVDC逐步出货后，潜在需求快速增长或有望导致存在较大供给缺口，具备技术积累、材料自供和客户认证优势的国内龙头有望加速切入。

电感：垂直供电有望于2H26上量，芯片电感迈入通胀阶段

伴随AI芯片功耗持续上行，GPU电流突破千安级别，要求供电的传输损耗进一步降低，垂直供电应运而生。在三次电源侧（12VDC降压至0.6-1VDC），背部垂直供电成为关键技术变革方向。背部供电是指将DRMOS、电感、电容、PCB封装成一个电源模块，放置于GPU正下方（母板背面）供电。相较原先水平供电模式，垂直供电方式：1）大幅缩短传输路径，PDN阻抗下降超90%，让供电损耗显著降低；2）同时释放正面散热与布线空间，可以实现正面走信号背面走电源的合理布局形式，减少信号串扰；3）提高电源模块反应频率，从kHz级别往MHz级别升级。

从产业落地节奏看，相比英伟达等通用GPU，以谷歌、亚马逊为首的自研ASIC公司有望更快导入垂直供电方案。核心原因在于垂直供电是芯片、封装、载板、PCB、电源模块及整机散热协同优化的系统级架构变化，云厂商自研ASIC通常由自身，而非多个终端客户主导定义芯片规格、板级架构和整机系统，应用场景相对集中，负载特征和功耗边界更可控，因此更具备从芯片设计阶段同步导入新型供电方案的条件，无需兼容更广泛的客户平台、主板设计、散热条件和生态标准。我们看到谷歌TPUV7有望于今年下半年率先采用垂直供电模块方案，随着AI芯片功耗和电流密度持续提升，垂直供电的技术演进，让三次电源由传统水平排布式架构加速向芯片背部/正下方供电演进，对电源模块的体积、高度、瞬态响应和电流承载能力提出更高要求。

垂直供电趋势下，芯片电感开启通胀曲线。区别于传统的汽车、工业、消费等市场采用的铁氧体系电感，三次电源专用芯片电感通常采用金属软磁或纳米晶粉末制程，以应对三次电源更高的过载大电流需求。但随着单芯片功耗在逐步提升，一方面电感过载大电流的要求也在加强，另外因为垂直供电模块的高度限制，电感的高度从原先9-10mm被局限在4-5mm左右甚至更薄，芯片电感的在饱和电流、动态响应及空间适配性方面均面临瓶颈。

在此情况下，TLVR耦合电感凭借多相磁耦合架构，可实现多相电流同步响应，显著改善负载瞬态性能；同时，通过磁通抵消设计提升饱和电流和抗饱和能力，增强高电流工况下的供电稳定性。形态上，TLVR电感可实现约4–5mm超薄设计，更好适配背部供电的高度限制，并有助于缩减PCB占用面积、降低去耦MLCC用量。后续伴随垂直供电方案演进，TLVR电感有望成为供电架构升级中的关键被动元件。

TLVR市场有望受益于：1）大算力芯片出货量的快速增长；2）单芯片功耗持续提升，过载电流需求加大导致单芯片对应的电感需求增加；3）垂直供电下，芯片电感向TLVR升级，带来价值量从原先0.5美元/颗往1-2.5美元以上快速提升，从而在未来三年实现市场规模的高速增长。

受益于新技术快速迭代，以及供应链商业模式演变，国内电感企业存在导入海外算力链的契机。一方面，当前大量DRMOS芯片厂商如英飞凌、MPS、瑞萨、TI等开始向上升级成为三次电源模块方案商，此外台达、伟创力等公司也逐步往三次电源模块业务布局。但由于各家三次电源模块设计方案和封装形式不一，电感需要定制，受限于芯片与电源企业均不具备电感自研自产能力，各家存在培育专属电感供应商的需求；2）以乾坤为代表的台达系电感厂商受母公司商业模式层面的竞争约束，难以全面覆盖所有布局三次电源模块的主流客户，为众多独立电感厂商打开切入窗口。我们认为，在芯片电感这类新型金属软磁及纳米晶粉料为基底的电感中，原先的电感主流供应商如日企等欠缺相关材料布局且研发起步晚，国内厂商凭借材料自研、快速响应客户需求的优势，在芯片电感赛道已经占据先发优势。

功率：AI带动功率板块需求向上，挤出效应加速补库周期向上

日渐提升的算力需求推动服务器电源向大功率、高效率方向升级。AI大模型训练与推理算力呈指数级增长，带动AI芯片功耗持续攀升，单机柜功率密度由传统几十千瓦向百千瓦、甚至兆瓦级迈进。从供电架构上，大致演进形式如下：

从UPS输入的220V AC（不同地区市电电压不一致），经由一二三次电源架构给服务器供电。

（1）一次电源PSU（位于机架Powershelf）：目前一个GB300 Powershelf搭载6颗5.5KW PSU，一共6组Powershelf。进行220V AC转48V DC。

（2）二次电源IBC/PDB：经过PSU输出的48V直流电通过Busbar流进Compute Tray服务器内部，经过一个板载电源模块IBC将电流降压为12V。

（3）三次电源VRM：GPU旁边附着多个电流轨路，经过IBC的电流通过多个VRM轨路分流进入GPU，完成12V-0.4/0.8/1V的降压流程，最终给GPU/CPU/DDR等供电。

根据NV白皮书，后续数据中心供电链路将随着单机架功耗增加而变化，HVDC/SST分别是机架外核心电路演进架构，或对应Rubin Ultra/费曼在2027/2028年开始渗透。

（1）UPS→HVDC:将数据中心机架外传输电压通过HVDC机架（Sidecar），从220/415V AC先升压成800V DC，服务器机架再将经HVDC提升过的800VDC 降压至48V再转成12V再到1V给XPU供电。后续也存在800VDC直转12VDC形式。

（2）HVDC→SST：将高压电网侧原先以工频变压器铁芯绕组式输电架构变成电子电力器件变压，将柜外电路体系延展至高压电网侧，从电网侧13.8KV AC直接通过SST输出800V DC以减少数据中心供电链路的电能转换环节。

我们认为功率半导体作为AI电力最核心的半导体器件，有望随着单机柜功耗提升以及电源转换效率的要求加强，实现单瓦价值量逐步提升，对于硅基中低压器件以及SiC、GaN等三代半器件的需求快速增长。据英飞凌2Q26业绩会，英飞凌指出每千瓦电源半导体需求约100美元-250美元，目前平均价格175美元（随着垂直电源模块和sst上量逐步增加）。

海外功率半导体自2022年高点以来经历近三年下行周期，行业核心矛盾从“供不应求、交期拉长”切换为“客户去库存、价格年降、稼动率下行”。从收入端看，英飞凌、安森美、意法半导体合计季度收入在2022-2023年达到高位后持续回落，至2024-2025年进入底部震荡；利润端则受到低稼动率、价格调整和产品结构压力共同拖累。英飞凌1Q26业绩会表示尽管汽车业务仍存在下滑，部分来自客户库存水位管理，部分来自电动车动能放缓、中国市场动能和美国关税的不确定性；工业业务方面，除电网基础设施外多数需求尚未完全恢复，仍处于复苏的早期阶段。

转至2025年末至2026年，我们看到AI数据中心逐步上量后，对成熟功率产能的挤占效果逐步放大，催生传统市场迈入补库周期。 一方面，AI服务器电源架构升级带来低压MOS、DrMOS/Power Stage、SiC/GaN、整流器件、电源管理IC等需求快速增长，头部厂商将更多产能优先分配至AI相关高毛利产品，逐步压缩汽车、工业、消费等非AI领域的可用供给，英飞凌预期2026年AI直接收入达到15亿欧元，较25年翻倍以上提升，据英飞凌2Q26业绩会，目前英飞凌AI相关的功率器件料号交付紧张。另一方面，经历过前三年行业持续去库存后，渠道和大客户库存水位已处于偏低区间，终端客户重新关注交付安全保障，部分品类缺货情况下带动行业系统性补库周期上行，推动行业价格开始从“价格年降”转向“结构性上调”。据各公司涨价函公告，目前行业厂商分别在2026年3-4月以及7月陆续进行了一轮和二轮调价，代表行业系统性进入供需紧张。

我们看好在此前产业过剩背景下，供给端普遍扩产谨慎且半导体扩产周期漫长、而需求端2026年开始受到AI挤占以及长协锁产情况下，导致与传统补库加速共振。我们判断海内外功率公司正从收入修复进入价格与盈利能力修复阶段，下半年若汽车/工业需求继续边际改善，三次涨价的假设条件有望进一步强化。

自主可控：上游制造与设备为卡脖子环节，国内加速追赶

制造封测：先进制程持续推进，先进封装价值量系统性提升

全球代工市场维持AI具备较强的结构性增长趋势，同时在挤占效应的带动下非AI代工同样呈现快速增长。从全球主要代工厂营收与市场份额变化上看，以台积电为主的具有AI较高占比的厂商Q1仍维持淡季不淡的增长，而台积电凭借在先进制程上的独占地位，成为主要代工厂中市场份额唯一仍在上升的厂商，展望未来，我们仍看好AI链需求赋予先进制造环节的稀缺性，先进制程产能将持续处于供不应求的状态，结构性高景气仍将持续，我们也看好先进制程加速投放的厂商以及AI配套芯片如服务器电源管理占比较高的代工厂维持相对更快的增长。

先进制程上，台积电已量产2nm，并已公布A14、A13 roadmap，国内距全球龙头在先进工艺上尚有3-4年左右的差距，国内企业加速追赶。目前全球晶圆代工龙头台积电已在2018年/2020年/2022年分别量产领先业界的7/5/3nm制程技术，并且2nm工艺节点在4Q25实现量产。中国大陆方面，中芯国际已在2019年量产14nm FinFET工艺。未来随着国产设备陆续突破，有望逐步追赶全球龙头。

成熟制程上，主线在于AI挤占效应带来的ASP增长。在全球非AI领域2024年开始逐季修复的带动下各代工厂的稼动率水平陆续修复，除1Q26的季节性因素外，全球主要代工厂稼动率水平在产能陆续投放的同时也已基本维持满载，同时在AI相关制造挤占传统产能的作用下，非AI的代工产能同样出现了供需失衡导致的涨价，中芯国际与华虹的ASP水平也已能体现部分涨价，我们认为未来有希望在AI结构占比提升、产业链增速加快的带动下，AI挤占效应将持续对传统产能形成挤压，涨价幅度与范围都有望进一步扩张，我们看好未来成熟制程节点与代工厂仍将维持较高景气度，稼动率有望维持满载，涨价也将进一步在报表端体现。

全球2.5D封装产能加速投放，结构上将从台积电等晶圆厂向OSAT迁移，国内OSAT厂扩产规划从2026年开始规模投放。自台积电推出CoWoS技术以来，2.5D先进封装主要为台积电方面主导，2025年及之前台积电占据全球2.5D产能的大部分份额，而从2026年日月光&矽品2.5D产能加速落地后，先进封装产能结构将向OSAT开始迁移。国内先进封装产线同样在加速投放，在2026年均有新投资项目落地，我们看好国内封装厂同样受益AI带来的先进封装需求，先进产能陆续释放将带来封装厂盈利拐点逐渐兑现。

国内OSAT厂加速2.5D产能投放的同时，也看到先进封装技术迭代在加快，目前有看到两个新的产业趋势：1）国内3D封装节奏在加速；2）玻璃基板与CoPoS远期应用确定性较高，产线也在加速投放。

3D封装开始在手机SoC上应用，未来2.5D/3D先进封装应用范围从算力卡往其他领域泛化为一大产业趋势。根据华为何庭波发布的论文《A Time Scaling Theory for Multi-Layer Electronic Systems》，华为在2026年即将发布的麒麟2026手机SoC中将应用到LogicFolding架构，而该架构即为采用W2W混合键合的3D封装架构，这一应用也标志着3D封装在国内应用节奏的加速，同时先进封装应用范围在开始泛化。先进封装的初衷是”More than Moore”，而在国内先进制程发展较海外相对受限的背景下，先进封装的应用节奏以及产业链地位或将再上一台阶，我们看好未来先进封装应用进一步拓宽后市场需求的显著扩容，以及3D封装应用加速为国内先进封装厂打开的量价齐升的需求空间。

CoPoS作为CoWoS的下一代封装，长期替代趋势明确，Trendforce预计2028年量产。CoPoS相较于CoWoS主要区别即在于中介层，CoWoS采用纯硅或LSI局部硅 RDL有机中介层，并在硅材料上通过TSV通孔实现互联，CoPoS即将中介层替换为玻璃材料，并通过TGV通孔实现互联，而中介层外的μBump以及IC载板无变化，通过中介层材料的替换来延展中介层面积，并提高互联密度。落地节奏上，台积电将CoWoS中介层上限由9.5x提升至14x reticle size之后，CoWoS的性能提升空间进一步拓宽，CoPoS替代的必要性或将推迟，据trendforce，台积电26年6月将有望建成CoPoS中试线，而大规模量产或将到2028年之后。

玻璃基板产能投放加速，我们看好落地或快于CoPoS。Intel等厂商已在积极推进玻璃基技术，据Intel CES 2026发布及VLSI 2026论文，Intel在先进封装领域采取了与台积电差异化的技术路径。2026年1月，Intel发布了全球首款采用玻璃芯载板的商用CPU——Clearwater Forest（Xeon 6 ，18A制程），已实现高批量制造，验证了玻璃材料在封装载板层级导入量产的产业可行性。我们认为，与台积电CoPoS将玻璃用作面板级核心基板（需搭配ABF增层）不同，Intel的Glass-Core方案以玻璃芯板直接替代传统ABF有机载板芯层，整合Foveros Direct 3D混合键合与EMIB（嵌入式多芯片互连桥）技术。我们看好未来玻璃基板在AI芯片领域应用的持续扩张，据SEMI预测，玻璃基板未来2028-2040年市场CAGR将达到67.2%，从2028年量产开始快速扩张。

设备：全球半导体设备行业加速上行，本土厂商迎来新机遇

全球半导体设备行业进入加速上行周期。根据SEMI数据，2026年第一季度全球半导体设备出货金额同比增长14%，达到365.5亿美元，环比增长1%，受益于持续的AI相关投资驱动，包括支持先进逻辑芯片、DRAM和先进封装的产能扩张和技术升级。从地区上看，中国大陆设备出货金额稳居全球第一，同比增长7%。2026年7月14日，SEMI在发布《年中总半导体设备市场预测报告》（Mid-Year Total Semiconductor Equipment Forecast – OEM Perspective）中指出，预测2026年全球半导体制造设备（OEM）总销售额将创下1659亿美元的历史新高，同比增长23.2%。增长势头预计将持续至2028年，总设备销售额有望达到创纪录的2295亿美元，实现连续五年增长，AI驱动的需求正在重塑半导体制造投资格局。

全球存储半导体产能扩张再度提速。三星电子于6月29日公布未来十年2,655万亿韩元投资方案，其中2,030万亿韩元集中于龙仁与平泽存储产业集群，并计划在光州新建半导体工厂以应对首都圈产线饱和；SK海力士同期公布1,100万亿韩元计划，龙仁四座晶圆厂建设全面提速，第四座建成目标由2045年提前12年至2033年，同时在清州新建NAND闪存晶圆厂及HBM先进封装设施，在西南地区新建前端工艺工厂。两家公司在西南地区各建两座存储工厂共计四座，龙仁集群整体工期缩短约3至4年。我们认为，上述扩产涵盖DRAM、NAND、HBM后端封装等全工艺环节，刻蚀、薄膜沉积、键合及量测设备均将直接受益。

制程微缩与三维架构变革推动单晶圆设备价值量非线性增长，构成本轮设备周期的重要结构特征。在逻辑代工领域，根据SEMI数据，从65nm制程向7nm制程演进过程中，光刻步骤仅增长约30%，但刻蚀步骤增长超过300%。在存储领域，DRAM正从6F²平面架构向4F²垂直沟道晶体管架构演进，东京电子预计该技术将在2027至2028年实现量产；3D NAND当前主流量产层数处于300至400层级区间，行业正通过串堆叠工艺向500层级以上推进，长期目标指向1,000层级。上述技术变革的共同特征是产业价值从光刻环节向刻蚀与沉积环节迁移，高深宽比刻蚀和多层薄膜沉积成为决定良率与产能的重要瓶颈。我们认为，随着逻辑制程向3nm及以下节点推进、3D NAND层数持续攀升，刻蚀和沉积步骤的增量弹性将进一步释放，为国内刻蚀和薄膜沉积设备龙头提供了高预见性的长期需求。

全球半导体设备市场规模持续扩容，国内市场依托自主化需求高速发展。国内半导体设备市场规模从2013年的33.7亿美元增长至2024年的495.5亿美元，CAGR高达27.68%。2024年国内市场规模占全球份额升至42.31%，已连续五年成为全球第一大半导体设备市场。我们预计，随着国内晶圆厂、存储IDM企业持续扩产，下游设备采购需求将保持旺盛，国内半导体设备市场将延续高增长态势。叠加国内半导体产业链自主可控进程不断加快，本土设备企业以及上游相关企业有望迎来持续增长。

刻蚀、薄膜沉积与光刻三大设备国产替代空间广阔。前道晶圆制造是半导体设备投资中资本性支出最大的环节，约占半导体设备投资的80%，涵盖热处理、光刻、涂胶显影/去胶、刻蚀、离子注入、薄膜沉积、清洗等多个工艺环节，其中刻蚀设备与薄膜沉积设备和光刻设备并称三大前道晶圆制造核心设备，是前道环节中价值量最高的设备类型。在国内半导体行业快速发展和国家税收优惠等促进国产化政策的双重驱动下，国内半导体设备厂商一方面不断扩大产品种类，逐步打破国外厂商垄断；另一方面，稳步提升产品性能，逐步向中高端市场渗透。根据全球半导体观察数据显示，去胶、清洗、刻蚀、热处理、CMP设备领域已成功实现较高国产化率；先进制程CVD/ALD、涂胶显影、离子注入、量测领域渗透率仍处于初期阶段，仍需在设备性能优化、工艺稳定性提升等方面发力；光刻设备领域仍急需突破。

因设备采购需求超乎预期，订单涌入导致上游供应链出现排队，不仅客户之间形成产能排挤效应，部分设备交期更拉长至1年以上，导致晶圆厂新产能开出时程被迫延后。为缓解产能瓶颈，阿斯麦已在美国、德国、韩国扩充无尘车间产能，并计划在荷兰总部附近新建产业园区。部分海外设备已经在与客户谈判涨价机会。中国本土设备公司过去几年持续扩张产能，如中微上海临港、南昌基地，拓荆科技建立临港工厂等，本土厂商具备响应速度快，交期短等优势。在供应链持续紧张的情况下，本土设备公司或有望承接海外芯片制造商外溢订单需求。

半导体设备零部件：国产替代空间广阔，本土厂商持续扩产，有望持续放量

半导体设备零部件是决定设备核心性能与成本的关键环节，国产替代空间广阔。半导体设备零部件是一类在材料、结构、工艺精度、洁净度、可靠性与稳定性等方面均需满足半导体级标准的特殊组件，按应用领域可分为机械类、光学类、流体/真空系统类、电气类、机电一体类及仪器仪表类六大类，其中机械类应用最广、价值量占比最高。根据弗若斯特沙利文数据，国内零部件市场规模从2020年的765.4亿元增长至2024年的1,605.2亿元，CAGR达20.3%，增速显著高于设备市场整体水平。在设备厂商产能持续扩张的拉动下，预计2025E市场规模将达1,929.9亿元，2029E将达2,735.3亿元，2025-2029年CAGR为9.1%。

半导体零部件种类繁多，机械类占比最高，高端产品技术壁垒高

按产品类别半导体精密零部件具体又分为机械类、电气类、机电一体类、仪器仪表类、气体/液体/真空系统类和光学类六大精密零部件。据富创精密招股书披露，2021年全球机械类/电气类/机电一体类/仪器仪表类/气、液、真空系统类/光学类零部件市场规模占半导体设备零部件市场比例分别为25%/13%/17%/2%/19%/17%，市场份额分别为123/62/82/10/92/82亿美元，机械类零部件占比最高，市场空间最大。

1）机械类：在设备中起到构建整体框架、基础结构、晶圆反应环境和实现零部件特殊功能的作用，保证反应良率，延长设备使用寿命，具体又分为金属工艺件、金属结构件和非金属机械件。其中金属件技术要求相对较低，国产化程度较高，但应用于高制程设备的产品仍存在较高技术壁垒；而静电卡盘、密封圈等非金属机械件对密封性、真空度等要求较高，国内市场尚处于起步阶段。

2）电气类：在设备中起到控制电力、信号、工艺反应制程的作用，核心模块为射频电源，直接关系到腔体中的等离子体浓度、均匀度和稳定度。目前国产射频电源主要应用于低端工业及泛半导体设备，系电源的波形、频率和功率等参数不够稳定，精度达不到半导体级应用要求。

3）机电一体类：在设备中起到实现晶圆装载、传输、运动控制、温度控制的作用，部分产品包含机械类产品。其中温控系统、废气处理装置等国产化程度较高；EFEM、机械手等产品已实现技术突破，但稳定性及一致性较国外产品存在差距；应用于光刻机的双工台、浸液系统技术壁垒较高，尚未实现突破。

4）仪器仪表类：在设备中起到控制和监控流量、压力、真空度、温度等数值的作用，对响应速度、测量精度及稳定性要求极高。国内厂商通过收购已进入国际半导体设备供应商，但高端产品尚未实现技术突破。

5）气体/液体/真空系统类：在设备中起到传输和控制特种气体、液体和保持真空的作用，对真空度、抗腐蚀性等性能要求较高。其中泵、阀、管路等产品已经实现技术突破，进入国际半导体设备供应商，但气柜模组等高端产品尚未实现技术突破。

6）光学类：在光学设备中起到控制和传输光源的作用，对光学性能要求较高，主要应用于光刻设备和量测设备。国内光刻设备及量测设备均处于发展阶段，技术较国际龙头厂商差距较大。

零部件整体需求旺盛，产能迅速爬坡，部分环节如真空阀等环节出现涨价情况。8英寸、12英寸晶圆厂持续扩产，存量设备更新换代、新增设备配套需求双重爆发，持续扩容真空流体零部件市场规模。与此同时，海外高端密封件、高精度真空阀门产能极度紧缺，传统3个月的交货周期最长拉长至1年以上。我们看好本土零部件公司：1）过去几年产能持续扩张，有望不断提升份额；2）在真空阀、静电卡盘、EFEM等目前国产化率较低的环节逐步实现突破。

投资逻辑

我们看好2026年下半年电子行业三条投资主线。1）AI链：AI Agent商业化落地驱动推理算力进入加速增长通道，国产大模型与国产算力形成Day 0适配闭环，Token调用量指数级增长拉动推理芯片需求，超节点Scale Up网络驱动交换芯片用量数倍跃升，PCB向高端化升级、mSAP与CoWoP打开价值空间，存储合约价2H26延续上行、Agent长记忆场景推动企业级SSD需求迈入新量级，AI端侧新品周期将至、折叠屏与AI眼镜催化结构性创新。AI链建议关注寒武纪。2）功率与被动元件：AI服务器功耗持续攀升驱动MLCC进入超级周期、全产业链涨价通道延续至2027年，垂直供电TLVR电感价值量从0.5美元向1-2.5美元跃升，AI牛角铝电解电容ASP从传统10元级别大幅提升且供给存在刚性缺口，功率半导体受益于AI挤占效应叠加传统市场补库、海内外厂商从收入修复迈入盈利修复阶段。3）自主可控：上游制造与设备是产业链最关键的卡脖子环节，国内正加速追赶，成熟制程受益于AI挤占效应ASP有望持续提升，国内OSAT厂2.5D产能2026年起规模投放、3D封装开始落地手机SoC、玻璃基板与CoPoS远期趋势明确，全球半导体设备市场加速上行、中国大陆连续五年稳居全球第一，刻蚀/薄膜沉积/光刻三大核心设备国产替代空间广阔，零部件国产化率仅7.1%、真空阀/静电卡盘/EFEM等低国产化率环节有望在产能紧缺与国产替代双轮驱动下持续突破。

风险提示

中美贸易摩擦升级风险。基于2020年5月15日美国BIS宣布加大对华为限制事件，以及2024年12月2日美国再次宣布增加多家中国公司进入实体清单，国内半导体产业链或面临新品研发进程受阻、供应链供应受限以及新品需求下滑的风险。同时，国内消费电子产业链也面临因中美贸易摩擦升级所导致的需求下滑、业绩不及预期的风险。

电子产品渗透率不及预期的风险。电子行业创新性强、技术迭代快，新产品的渗透速度直接影响供应链厂商的业绩增速，而创新是否能激发消费需求往往需要市场的检验，因此具有不确定性的风险。

AI技术发展不及预期。Al 的进步可赋能行业各个环节，推动行业降本增效，但其发展受到各因素影响，存在发展不及预期的可能。

半导体行业周期波动风险。半导体行业为强周期行业，若AI产业链带动的算力、存储等周期上行环节出现需求增速放缓，或将导致供需格局松动，景气度下行的风险。

未覆盖标的不涉及推荐：本研报中涉及到未覆盖个股内容，均系对其客观公开信息的整理，不代表本研究团队对该公司、该股票的推荐或覆盖