AI带动先进封装技术快速演进，联电积极布局硅中介层（Interposer）之外，也投入下世代TGV（玻璃穿孔）封装技术，全面抢食先进封装商机。

业界分析，TGV并非单一制程，而是涵盖玻璃基板加工、重布线层（RDL）、玻璃载板贴合、薄化及后段封装等多道制程。

其中，联电布局重点并非前段玻璃穿孔或镀铜填孔，而是聚焦玻璃基板完成TGV后的关键整合制程，包括Front-side RDL、Temporary Bond（暂时贴合）、研磨（Grinding）、化学机械研磨（CMP）及后续玻璃载板处理等技术，属于先进封装的重要环节。

法人指出，相较于传统硅中介层，玻璃基板具备低讯号损耗、高平坦度及尺寸稳定等优势，更有利于高频、高速传输及大尺寸封装，被视为下一世代AI芯片封装的重要发展方向，因为在AI GPU、高频宽记忆体（HBM）及大型芯片封装需求持续增加趋势下，玻璃基板有望逐步导入高效能运算（HPC）及AI伺服器应用。

联电聚焦的RDL、玻璃载板贴合及薄化等制程，均属玻璃基板进入封装前的核心技术，也是决定封装良率与可靠度的重要关键。

业界认为，若联电后续完成相关制程布局，意谓已提前卡位玻璃基板供应链，未来可望随AI封装技术演进，进一步拓展特殊制程业务版图，为成熟制程开创新成长动能。

受惠高通、英特尔、闪迪（Sandisk）等美系大客户订单强劲，硅中介层（Interposer）、深沟槽电容（DTC）、硅光子等先进封装与AI特殊制程订单爆满，联电传出评估扩建南科12AP7厂区，大啖AI商机。

高通、英特尔等美系大客户持续加单之余，联电同步搭上AI带来的电源管理芯片（PMIC）需求热潮，PMIC代工接单同步畅旺，呼应台积电董事长魏哲家上周于法说会指出，目前成熟制程真正供不应求的产品，主要集中在与AI相关的应用，尤其是PMIC与感测器（Sensors）等两大领域的说法。

联电昨（19）日不评论市场传闻，强调目前AI需求确实相当强劲，正持续评估客户未来需求，不仅台湾厂区具备扩充空间，新加坡及日本生产基地亦仍有发展空间，将依市场需求审慎规划后续产能布局。

消息人士透露，联电顺利搭上这波由AI需求热潮带动的成熟制程需求列车，正积极深化与美系大厂合作，逐步由传统成熟制程代工，延伸至前段晶圆制造与先进封装整合。

联电已切入高通AI资料中心及边缘运算生态系，提供硅中介层、DTC及晶圆对晶圆混合键合等整合制造技术。

联电并与英特尔采共同开发模式，携手打造12奈米鳍式场效电晶体（FinFET）制程平台，锁定WiFi、物联网、网通及行动通讯基础建设等应用，结合英特尔在美国亚利桑那州的制造资源，以及联电在成熟及特殊制程的量产经验，预计2026年交付制程设计套件，目标2027年量产。

晟碟方面，联电合作重点在采用混合键合技术的记忆体堆叠架构。业界说明，Hybrid Bonding可在不使用传统微凸块的情况下，直接进行晶圆或晶粒间的铜对铜互连，具备缩小接点间距、提高互连密度、降低讯号延迟及功耗等优势，有助提升记忆体堆叠后的频宽、容量与传输效率。

因应AI相关应用接单热潮，供应链透露，联电正规划南科12AP7厂区扩建方案，新增月产能上看5万片，主要锁定55、65奈米以上特殊制程，并强化DTC、硅中介层、TGV及硅光子等AI相关应用。据了解，12AP7现阶段有三种扩建方案，除扩充既有P7厂区外，也预留P8发展空间，业界认为，主要就是为了因应AI伺服器、高速运算及先进封装需求快速成长。

业界分析，联电积极强化在硅中介层、DTC、Hybrid Bonding及硅光子等技术量能，将成熟制程能力延伸至AI封装供应链，伴随相关订单持续放量，若12AP7扩产计划顺利推进，可望提高高附加价值特殊制程比重，并成为未来营运成长重要新动能