投资逻辑

根据WSTS，2026年全球存储芯片销售额预计同比增长249%，2027年预计增长32%。我们认为本轮存储周期与历史周期不同的关键在于：1）需求端HBM较传统DRAM定制化属性增强，较同样位元DRAM消耗更多晶圆。Token消耗量提升拉动HBM、DRAM、NAND需求共同增长；2）供给端存储厂23年下行周期亏损严重，CAPEX投入有限。AI建设持续高景气度，设备产能有望成为扩产瓶颈。

目前存储原厂与下游客户持续推进LTA（长期协议）签订。LTA有望加强与客户绑定，维持存储厂高利润率，减少存储厂商的强周期性。根据美光，截至FY26Q3（26.3~26.5）美光已经与客户完成16个SCA（战略客户合作协议）签订，涵盖数据中心、消费电子、汽车市场，汽车客户签订时间为三年，其他客户基本为五年。SCA协议已经占到美光20%的DRAM出货量，1/3的NAND出货量。美光签订的SCA的价格区间中下限也可以带来超过过去周期顶点的盈利能力，上限将采用26Q2的市场价。公司作为HBM领先厂商与三大原厂之一，未来LTA占出货比例有望持续提升。

公司在AI芯片需求强相关的HBM市场市占率第一，（根据Counterpoint，26Q1市占率58%），在整体DRAM与NAND行业市占率均为第二，均仅次于三星。公司自HBM2E持续强化产品性能与迭代，在HBM4和HBM4E继续保持技术领先，与下游客户更深入合作。2026年6月公司宣布与英伟达建立技术合作，围绕英伟达AI基础设施路线图推进下一代存储，覆盖数据中心、PC、机器人等平台。公司扩产计划具备较强能见度，SK集团会长预计公司DRAM产能到2030年实现翻倍。公司高盈利能力也有望让公司通过分红、回购等方式实现股东回报。公司持续布局新兴存储技术SOCAMM、HBF等。目前美光forward  PE高于三星、海力士。本次公司共发行1.78亿ADR，每ADR对应0.1韩股，占公司股本的约2.5%，共募集资金约265亿美元，我们认为公司ADR发行有望带动公司估值折价修复。

风险提示

AI存储需求不及预期；行业扩产增速超预期；产品迭代不及预期；ADR流通盘小且杠杆类产品较多；劳资纠纷风险