全球半导体产业正迎来新一轮由“汽车电子”与“AI算力”双核驱动的产能军备竞赛。无论是国内领军企业在高端数模混合领域的重磅布局,还是国际大厂在第三代半导体材料上的重金押注,都昭示着全球芯片供应链正向着更高集成度、更低功耗以及本土化制造的方向加速演进。
近日,产业链上下游迎来了两起重磅扩产进展:国内,芯联集成斥资200亿元的12英寸车规级数模混合芯片制造项目正式开工;国外,博世(Bosch)在美首座晶圆厂启动碳化硅(SiC)芯片试产,并获得《芯片法案》资金支持。海内外两大项目的密集推进,清晰地勾勒出智能汽车与AI数据中心交织下的半导体产业新版图
总投资200亿
芯联集成四期重点项目开工
据《绍兴日报》报道,芯联集成12英寸车规级数模混合芯片制造项目已于日前在杭绍临空示范区绍兴片区开工。
据悉,该项目计划总投资约200亿元,是芯联集成四期重点工程,将建设一条5万片/月的12英寸集成电路车规级数模混合芯片生产线。
作为芯联集成四期重点工程,该项目占地约500亩,实施主体为芯联先进,由芯联集成与相关方共同投资建设。核心技术产品涵盖40/28纳米MCU/DSP、90/55纳米BCD/DrMOS等模拟电路、55纳米硅光/激光驱动等芯片。项目建成达产后,预计年产值超55亿元。
数模混合芯片是半导体领域技术壁垒高、成长空间广阔的核心品类,广泛应用于AI数据中心、汽车电子、高端通信等关键领域,是数字经济与智能产业的核心基础元器件。该项目开工,标志着芯联集成在巩固新能源汽车和工业控制两大核心市场的基础上,正式切入AI服务器电源、光互连两大新赛道。
此前,芯联集成已顺利完成三期项目落地投产,其中一期建设8英寸硅基晶圆产线,二期建设硅基功率器件生产线并拓展碳化硅MOSFET、砷化镓VCSEL激光器及功率驱动等业务,三期实施12英寸数模混合芯片制造项目。目前,芯联集成晶圆年生产量达251.27万片(折合8英寸),四期项目投产后,总产能将突破40万片/月
总投资135.52亿元
博世首座美国晶圆厂启动试产
近日,德国汽车零部件和芯片制造商博世(Bosch)在半导体与新能源汽车产业链上落下关键一子。其位于美国加利福尼亚州罗斯维尔(Roseville)的首座半导体工厂已正式启动样品试产,预计将于2026年晚些时候转入商业化量产阶段。
据悉,该工厂是博世于2023年收购TSI Semiconductors晶圆厂后,经过技术改造与设备升级打造而来。作为世界一流的碳化硅(SiC)半导体生产基地,未来该工厂将专注于8英寸碳化硅晶圆生产,其产品将主要用于电动汽车(EV)逆变器、混动车型,以及为AI数据中心提供高效的电源管理。
该项目总投资约20亿美元(约合人民币135.52亿元),其中包含与美国商务部敲定的2.25亿美元《芯片法案》(CHIPS Act)直接资助。博世计划到2031年在美累计投资高达75亿美元,持续加码美国本土的制造与供应链实力。
作为关键的宽禁带半导体技术,碳化硅能够以更小的元件尺寸承受高电压、高温和快速开关等严苛条件,是汽车、工业、能源和消费家电行业不可或缺的组件。博世则是碳化硅功率半导体生产的知名厂商,自2021年第一代碳化硅芯片投产以来,已在全球范围内生产并交付了超过6000万颗碳化硅芯片


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