重磅，三星将新建DRAM工厂，月产能10万片

据韩媒报道，三星电子正在其器兴工厂新建一座DRAM工厂。该公司计划在该地块上建造一座存储器生产设施，而该地块原计划用作研发中心。此举被解读为为了满足全球人工智能（AI）基础设施投资热潮带来的存储器需求激增。

据业内人士15日透露，三星电子正推进在其位于京畿道龙仁市的器兴工厂建设一座新的存储器半导体工厂。该工厂预计月产能约为10万片晶圆。该工厂的规模相当于附近华城工厂的一座厂房，预计投资额将达数万亿韩元。

三星电子已成立内部机构负责筹建这家工厂。据报道，预计最早将于第三季度开工建设。三星电子甚至考虑拆除器兴工厂的部分建筑，以建造DRAM生产线所需的辅助设施。

新建DRAM工厂的选址原为名为“SR5”的大楼。SR5是三星器兴工厂的代表性研发中心，也是三星半导体业务的发源地。它由三星电子创始人李秉喆于1987年创立，李秉喆向员工强调“无限探索”的精神。三星电子

管理层认为SR5的设施已无法满足1纳米超精细工艺和尖端存储器的研发需求，于去年底至今年年初拆除了该大楼。

拆除后，原址计划兴建两座新的研发中心大楼。这两座大楼将作为“研发控制塔”，类似于位于器兴工厂附近的华城工厂的DSR塔。该计划是根据管理层的判断制定的，即由于负责三星电子半导体业务的设备解决方案（DS）部门规模扩大，研发人员增加，因此需要新的研发空间。

然而，彻底放弃这项政策并转向建设内存生产线的决定，是受到全球人工智能基础设施投资热潮和内存供应短缺的驱动。

近期，全球IT市场为建设大规模人工智能计算所需的数据中心而展开的竞争异常激烈。因此，作为关键组件的内存需求激增。特别是，由于DRAM制造商无法满足高带宽内存（HBM）日益增长的需求，就连智能手机和个人电脑中使用的通用内存也出现了短缺。

据市场研究公司Counterpoint Research预测，受产品价格飙升的影响，今年全球DRAM市场收入预计将从1500亿美元（223万亿韩元）飙升至2100亿美元（312万亿韩元）。

因此，三星电子也面临着必须最大限度地提高产能以满足市场需求的局面。一位业内人士表示：“仅今年上半年，三星电子的营业利润就超过140万亿韩元，该公司目前正在寻找机会进行积极的资本投资。”他还补充道：“据分析，三星电子的管理层优先考虑的是应对爆炸式增长的需求，而不是建设研发中心。”

除了在器兴工厂新建DRAM工厂外，三星电子还在其以平泽工厂为中心的半导体产能扩张。平泽4号工厂（P4）正在新建一条生产线，该生产线每月可生产10万片第六代HBM（HBM4）DRAM晶圆。该公司还计划

在京畿道龙仁市建设一座工厂，该地将成为三星电子的下一代半导体产业集群，目标是在2029年投入运营。此外，该公司还在全罗南道光州市的半导体产业集群内建设第二座最先进的半导体工厂，投资额达400万亿韩元。