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股市情报:上述文章报告出品方 / 作者:半导体行业观察;仅供参考,投资者应独立决策并承担投资风险。

三星利润超越英伟达:狂飙1900%,远超预期

时间:2026-07-07 09:09
上述文章报告出品方 / 作者:半导体行业观察;仅供参考,投资者应独立决策并承担投资风险。

由于人工智能数据中心对内存芯片的需求激增,三星电子公司季度利润飙升 19 倍,远超预期。


全球最大的存储器制造商三星公布,截至6月底的三个月内,其初步营业利润为89.4万亿韩元(约合580亿美元),远超其2025年全年预期。分析师此前平均预期为84.2万亿韩元。营收为171万亿韩元,高于分析师平均预期的169.2万亿韩元。三星预计将于本月底发布完整的财务报表,其中包括净利润和各部门的详细数据。


据介绍,这个数据比今年第一季度韩国公司创下的57.2万亿韩元的最高纪录高出56%。这一数字也创下全球科技公司季度营业利润新高,超过了英伟达和苹果。


英伟达首席执行官黄仁勋和OpenAI首席运营官布拉德·莱特卡普等高管表示,内存芯片短缺仍然是人工智能发展的关键瓶颈。制造商优先开发高端内存以满足数据中心的需求,导致传统内存的供应也不足。分析师预计,内存短缺至少会持续到2027年,这将使三星及其竞争对手SK海力士和美光科技拥有巨大的定价权。


据汇丰银行称,这导致 4 月至 6 月季度 DRAM 平均售价较前三个月上涨超过 40%,而 NAND 价格上涨超过 50%。


三星的业绩备受关注,投资者试图评估人工智能领域高企的投资和估值能持续多久。今年早些时候,全球半导体股价飙升至历史新高,但由于担心竞争加剧、产能过剩以及数千亿美元的投资计划能否带来回报,股价出现波动。


三星是一家业务涵盖芯片和消费电子产品的巨头,其股价表现逊于同城竞争对手SK海力士。SK海力士更专注于为人工智能计算需求提供高端内存。三星股价在上周五之前的五天里遭遇抛售,但今年以来仍上涨了165%,而SK海力士的涨幅约为260%。



这两家芯片制造商对于韩国在人工智能领域超越其他国家、占据领先地位的雄心壮志至关重要。三星集团和SK集团计划在韩国西南部各建两座芯片工厂,总投资800万亿韩元,以迅速扩大产能。韩国的目标是在五年内将其存储器产能翻一番。三星已宣布计划在2026年投入超过700亿美元用于产能扩张和研发。


芯片制造商正享受着人工智能加速器所需的高带宽内存前所未有的需求增长。但生产模式的转变反过来又加剧了大多数现代设备所用传统内存芯片的历史性短缺,挤压了利润空间,推高了价格。


尽管各业务部门的具体业绩并未披露,但业内普遍认为半导体业务领跑,创下历史新高。据评估,内存业务的盈利能力显著提升,主要得益于第六代高带宽内存(HBM4)供应量的增加。HBM4于今年2月开始量产,成为全球首款大规模生产的内存产品,主要供应给了大型科技公司,同时,大宗DRAM价格也大幅上涨。


券商估计,负责半导体业务的器件解决方案(DS)部门贡献了大部分营业利润。此前一直亏损的晶圆代工(芯片代工制造)业务也因先进工艺产能利用率提高和人工智能(AI)半导体需求增长而缩小了亏损,从而对业绩改善做出了贡献。


证券行业估计,存储器业务利润约占第二季度营业利润的90万亿韩元。系统LSI(半导体设计)和代工(半导体代工制造)业务预计亏损约2万亿韩元。与半导体部门不同,由于存储器价格飙升的影响开始显现,智能手机业务预计将出现有史以来的首次季度亏损。家电和电视部门预计仅一个季度后就再次出现亏损,亏损额约为2000亿韩元。


此外,考虑到DS部门本季度提前计提了将于明年初支付的特殊绩效奖金,半导体业务的潜在盈利能力预计会更高。


根据这些业绩,三星电子预计已成为全球季度营业利润最高的公司。其营业利润(以美元计)约为584亿美元,超过了英伟达上一季度的535亿美元。然而,由于各公司的结算周期不同,简单的比较存在局限性。


业内人士预计,随着对人工智能基础设施的投资扩大以及存储器价格保持强劲,三星电子下半年的业绩将继续增长。


第二季度存储器市场规模逼近350万亿韩元


由于人工智能(AI)投资的增加推高了存储器价格,预计今年第二季度全球存储器半导体市场规模将接近350万亿韩元(约合2692.3亿美元)。DRAM和NAND闪存价格均上涨超过50%,三星电子和SK海力士的盈利预计也将创下历史新高。但观察显示,受长期协议(LTA)扩大和价格压力的影响,明年下半年增速将有所放缓。


根据市场研究公司 Counterpoint Research 于 7 月 3 日发布的《内存追踪报告》,今年第二季度全球内存市场规模预计将达到约 350 万亿韩元,比上一季度增长超过 60%,比去年同期增长 380%。


此次市场扩张主要受内存价格飙升的推动。Counterpoint Research 分析显示,第二季度 DRAM 和 NAND 闪存的价格均较上一季度上涨超过 50%。其原因是,随着人工智能数据中心投资的持续增长和 HBM 供应短缺,通用内存价格也同步上涨,从而显著扩大了市场规模。


主要存储器公司的盈利预计也将反映出市场增长趋势。美光科技近期公布了财报,其第三财季(3月至5月)营收达414.6亿美元(约合64万亿韩元,约合492.3亿美元),较上一季度增长74%,较去年同期增长346%。其营业利润率也接近85%。


三星电子和SK海力士的财报发布时间均早于预期,预计两家公司业绩将远超预期。Counterpoint Research预测,三星电子的存储器业务营收将首次突破110万亿韩元(约合846.2亿美元),并预计SK海力士也将凭借其以HBM为核心的产品竞争力,继续保持高速增长势头。


然而,报告解释说,由于会计处理方法不同,例如长期协议(LTA)的签署时间和绩效奖金条款等,各公司的业绩可能会有所差异。尽管如此,报告分析认为,受人工智能投资增加推动的内存需求和价格上涨趋势在短期内仍将持续。


然而,Counterpoint Research预测,当前快速增长的趋势难以长期持续。这是因为存储器价格上涨导致成品制造成本和消费价格上涨,在一定程度上抑制了需求,而且长期合约扩张带来的价格固定效应也开始显现。


Counterpoint Research预测,“由于存储器价格上涨导致制造成本上升,最终产品的需求有所下降”,并补充道,“加上长期协议扩大带来的价格稳定效应,存储器市场增速有可能从明年下半年开始逐渐放缓。”

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