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一、长鑫有望进入全球消费电子巨头与头部云厂商、国内头部互联网平台供应链，反映全球存储供应链格局调整与国产存储厂商竞争力提升。

1、全球存储供给紧张背景下，苹果、谷歌等美国科技巨头，后续可能采购长鑫内存芯片，提升供应链多元化水平，代表长鑫产品综合竞争力，进入国际一线客户视野。

媒体报道，2026年5月起，苹果启动对美国政府游说工作，率先对接美国商务部，后续持续游说白宫、其他联邦政府部门，核心诉求是申请专项合规许可，将长鑫存储纳入苹果全球DRAM供应链采购体系，计划用于iPhone、Mac等终端产品。

目前长鑫LPDDR5X传输速率达10,667Mbps，性能与良率达到国际一线水平，满足苹果品控标准。

外媒援引知情人士消息，谷歌在评估从长鑫采购DRAM芯片可行性，谷歌内部供应链团队，开始对长鑫DRAM产品，进行资质审核、稳定性测试、成本测算，潜在采购标的以成熟制程DDR5为主，计划主要用于谷歌自研TPU芯片。

长鑫被美国国防部列入1260H清单，不同于美国商务部实体清单，不直接禁止美国公司采购长鑫产品，但相关采购合作，面临政治、声誉、监管不确定性等方面挑战。

即使美方批准，苹果等海外客户，短期很难拿到长鑫足量货源。中国国内DRAM供应整体偏紧背景下，长鑫产能预计优先满足国内市场需求，包括本土服务器、互联网大厂、智能终端厂商等需求。长鑫此前披露，目前产能规模远低于国内需求，海外供货空间极为有限。

2、腾讯与长鑫合作，是国产高端DRAM进入国内头部互联网平台核心算力供应链的标志性突破。

媒体报道，腾讯与长鑫签署大额长期存储芯片供应协议，总金额超200亿，合作期限3~5年，供货标的主要是通过高负载验证的数据中心与AI服务器专用DDR5芯片，是否包含HBM目前无法确认。

长鑫在A股科创板上市前夕，与腾讯签署合作订单；对腾讯，是在全球DRAM紧缺、供给不确定背景下，提前锁定供应，降低供应链风险；对长鑫，是获得重要大客户背书，为后续新增产能，提前锁定下游需求，可从客户层面，验证国产存储芯片的性能、可靠性、规模化交付能力。

3、长鑫也在与其他国内互联网公司谈判合作，包括阿里云、字节跳动、小米等。

二、长鑫推动国产DRAM从0到1，进入全球DRAM主要厂商阵营。

2025年Q4，长鑫DRAM销售额，占全球DRAM市场份额，提升至7.67%，仅次于三星、SK海力士、美光，排全球第四。

DRAM行业高度集中，前三家厂商，2025年占全球DRAM市场份额，合计超过90%。长鑫进入全球第四，意味着国产DRAM不再只是小规模验证或局部替代，开始进入全球主流供应体系。

三、长鑫战略价值，不只是内存芯片公司的商业增长，更是中国大陆DRAM领域的国产替代。

长鑫是中国规模最大、技术最先进、布局最全的DRAM研发、设计、制造一体化企业，形成DDR系列、LPDDR系列两大产品线，具备晶圆、芯片、模组等多种产品形态，覆盖服务器、移动设备、PC、智能汽车等主要应用市场。

中国长期是全球主要DRAM需求市场，DRAM供给长期由三星、SK海力士、美光等海外厂商主导。

长鑫是国产DRAM从0到1突破者，成为全球主要内存厂商之一，使中国大陆在主流DRAM赛道，拥有规模化研发、制造、交付能力。

中国半导体供应链安全视角看，长鑫战略价值突出。长鑫崛起，使中国AI算力、云计算、终端设备产业链，在关键存储环节，拥有更强的自主支撑能力，在大国科技博弈背景下，战略价值突出。

四、长鑫产业生态能力，从单点国产替代、走向链式带动。

长鑫的客户与供应商网络，形成国产DRAM产业生态雏形。长鑫上下游网络，共同构成国产DRAM从研发到量产、从上游材料设备到终端应用的产业闭环。

上游方面，长鑫与半导体设计企业、EDA厂商、材料厂商、设备与零部件厂商、存储模组厂商等紧密合作。

下游方面，长鑫服务于服务器、移动设备、PC、智能汽车等客户，与阿里云、字节、腾讯、联想、小米、传音、荣耀、OPPO、vivo等头部客户合作。

长鑫对中国本土存储生态带动，不只体现在采购金额。DRAM厂商对上游产品要求极高，上游设备、材料、化学品、气体、硅片、光阻剂等供应商，如果进入长鑫产线，能获得真实量产环境验证。

量产验证，往往比实验室测试更有价值，产线会暴露稳定性、批次一致性、交付能力、质量控制等深层问题。长鑫规模越大，中国本土上游厂商越有机会在真实场景中迭代产品。

长鑫对下游客户价值，不只是提供国产芯片。云计算、服务器、手机、PC、智能汽车客户，需要稳定供给、产品协同、快速响应。

长鑫能与客户共同进行产品定义、认证、交付、持续迭代，把国产DRAM从替代型采购，推进到协同型供应。

对终端客户，意味着供应链安全提高，让产品开发与库存管理更具弹性。

五、2016年，长鑫成立，10年时间，实现快速崛起，是人才、技术、资本共同作用的结果。

人才提供产业判断与组织能力，技术提供DRAM市场切入起点、支持产品迭代，合肥国资等长期资本提供亏损承受能力、产线建设能力、本地供应链支撑等，让长鑫从中国本土DRAM新进入者，成长为全球DRAM市场的重要变量。

1、人才，是长鑫起步与持续迭代的核心。

长鑫创始人朱一明，早年创办兆易，在NOR Flash与MCU领域积累存储芯片产业经验，形成从产品定义、供应链组织，到资本运作的综合能力。

长鑫进入DRAM市场后，持续引入德国DRAM巨头奇梦达、美光、闪迪、应用材料等公司人才，把外部经验转化为内部研发与量产能力。

长鑫创始人、董事长朱一明，1972年生，清华本硕，赴美留学，深耕半导体存储领域。

2005年，朱一明回国创业，至今21年，先后打造两家上市公司，是中国存储芯片国产化的核心推动者之一。

2005年，朱一明创立兆易创新，2016年，兆易上市，当时科创板尚未推出，是按上交所主板标准完成上市，目前市值4,756亿。

2016年，朱一明与合肥国资联合创立长鑫，2026年，长鑫即将在科创板上市，市值有望超过3万亿，有机会成为A股上市公司市值第一，未来发展空间巨大。

2、技术，是长鑫切入DRAM行业起点，支持产品研发、创新、迭代。

长鑫不是从0开始摸索DRAM，主要通过收购奇梦达相关专利许可、技术资料、埋入式字线（存储行业术语，指存储芯片里的基础物理控制线）BWL架构，获得早期技术基础。

奇梦达资产，帮助长鑫跨过最初的专利与工艺门槛，后续长鑫持续推进自主研发、产品迭代、量产爬坡。

3、耐心资本，是长鑫能穿越长期亏损的关键支撑。

DRAM是重资产、长周期、高波动行业，单靠民营资本很难承受多年研发投入与产线建设压力。

合肥政府通过长期股权投资、产业基金、本地配套建设，为长鑫提供持续资金、厂房产线、上下游供应链集群等，使长鑫能在长期亏损状态，持续扩产与迭代产品。

六、长鑫业绩爆发，来自DRAM出货量增长、与产品均价ASP上涨，尤其是ASP上涨。

2026年Q1，长鑫收入约508亿人民币/75亿美元（ 719%），接近2025全年收入618亿人民币/91亿美元（ 156%）。

2026年Q1，长鑫出货量环比增长约11%，ASP环比增长约57%；2025年Q3、Q4，长鑫ASP环比分别增长约63%和68%；说明长鑫业绩增长核心驱动，是DRAM供需紧张带来的价格弹性，不是短期内大幅抢占三星、SK海力士、美光的市场份额。

SemiAnalysis预计，长鑫在全球DRAM市场出货量份额，将从2025年约9%，提升至2027年约12%，份额提升幅度有限，在DRAM价格上涨、市场规模扩张背景下，足以推动长鑫收入与利润显著放大。

SemiAnalysis反驳中国存储低价冲击市场的简单判断。2026年Q1，长鑫DRAM ASP，只比三星、SK海力士、美光，低约5%~10%，后续价差可能扩大，主要原因不是长鑫低价策略，是不同厂商产品组合差异。

三星、SK海力士、美光，拥有更高比例的服务器DRAM与HBM出货，这些产品相同容量售价，高于消费级DRAM。

SemiAnalysis预计，2027年底，服务器DRAM与HBM，将占DRAM整体需求的50%以上。随着服务器DRAM与HBM占比提升，三星、SK海力士、美光的ASP，相对长鑫的ASP领先幅度可能扩大。

七、长鑫毛利率改善，不能简单理解为技术赶超。

长鑫毛利率，从2023年的-113%、2024年的-4.7%，转正至2025年约38%，显示DRAM周期对利润改善的巨大影响。

2025年，长鑫毛利率37.8%，接近三星39.4%、美光39.8%，明显低于SK海力士60.4%。

2026年Q1，长鑫经营利润率约70%，接近SK海力士73%，低于三星81%、美光84%。

长鑫利润率上升，主要受益通用DRAM价格暴涨，不是成本结构追上三星、SK海力士、美光三大巨头。目前长鑫DDR5单位存储容量成本，比三星、SK海力士、美光三大巨头高30%以上，说明长鑫产品竞争力与制造效率，与三大巨头有差距。

八、SemiAnalysis预计，长鑫快速扩产，将接近全球一线DRAM厂商产能水平。

2026年底，长鑫12英寸等效晶圆月产能，将达约35万片，接近美光约38.5万片的月产能，距离三星72万片、SK海力士59.5万片的月产能，有不小差距。

SemiAnalysis预计，长鑫2026年全年收入，将超过3,400亿人民币/500亿美元；长鑫官方预计，2026年上半年收入1,100~1,200亿人民币/162~176亿美元，对应长鑫2026年下半年收入2,200~2,300亿人民币/324亿~338亿美元，环比增长83%~109%。

随着长鑫合肥与北京工厂产能释放、上海一期工厂产能爬坡，2027年底，长鑫DRAM晶圆月产能将达约42万片，约占全球DRAM产能17%；2028年底，长鑫DRAM晶圆月产能将升至约50万片，由于全球DRAM总产能扩张，长鑫产能份额保持约17%。

长鑫产能扩张速度快，未来有机会冲击全球前三大DRAM供应商地位，将改变全球DRAM竞争格局，使中国存储厂商从区域供应商，成为全球DRAM市场的重要变量。

长鑫快速扩产，带来市场对DRAM供给冲击的担忧，未来2年该担忧可能被高估。

即使长鑫与其他存储厂商增加产能，假设行业产能利用率维持90%以上，DRAM仍将处于供不应求状态。存储晶圆厂，建设周期较长，长鑫短期内难以加速扩产、冲击当前DRAM高价格环境。

SemiAnalysis预计，2026年，全球DRAM可能出现高个位数供给短缺，2027年短缺幅度可能扩大到低双位数、或中双位数区间。

九、HBM是长鑫短板，长鑫目前产能中，HBM很有限。

长鑫2025年约99%收入，来自DDR与LPDDR产品，HBM对收入、利润贡献很小。

SemiAnalysis估计，2025年底，长鑫月产能中，只有约5,000片分配给HBM；2026年底、2027年底，该数字将分别提升至约3万片、5.5万片。

长期看，中国AI算力自主化，将推动长鑫提高HBM产能。

在中国政策推动、国产AI算力需求增长、HBM技术改善共同作用下，长鑫HBM晶圆月产能，将从2025年底约5,000片，增至2028年约10万片，在全球HBM晶圆供给中，SemiAnalysis估计长鑫份额占比，将从2025年约1%，提升至2028年约12%；这是晶圆供给份额，不等于收入份额或出货量份额。

长鑫短期继续优先生产通用DRAM，经济上更合理。长鑫HBM技术尚未成熟，HBM产品良率，低于通用DRAM，对长鑫来说，当前通用DRAM利润率更高。

中国国家战略出发，中国需提高HBM自主供给。2024年12月，美国出口管制政策，限制HBM2E与以上代际产品对中国销售，韩国厂商对中国供货空间受限。

中国AI芯片公司对HBM需求增长，长鑫在HBM方面，战略价值突出，不能只基于短期利润测算。

短期看，长鑫继续做通用DRAM，更容易释放收入与利润；长期看，HBM是长鑫必须突破的战略方向，突破过程比普通DRAM更难。

十、长鑫HBM短板，主要集中在前道制造、多层堆叠等环节。

前道，指晶圆制造，把DRAM芯片本体做出来；后道，指封装测试，把多颗DRAM芯片垂直堆叠、连接，封装成HBM产品。

普通DRAM有较高制造难度，HBM难度更高，需要把多层DRAM芯片堆叠起来，保证每层芯片本身良率足够高，也要保证堆叠、连接、封装过程不出问题。

长鑫在前道环节，现有工艺可支撑部分HBM产品，与三星、SK海力士、美光相比，在先进DRAM制程、良率控制、产品稳定性上，有明显差距。

长鑫在后道环节，相对容易追赶，后道环节受海外设备出口管制的约束较小，长鑫可通过封测伙伴补强后道能力，整体水平落后全球领先厂商。

长鑫目前处在HBM3 8层堆叠产品的生产与供货尝试阶段，后续向12层堆叠产品推进，制造与封装难度将明显提高。

华为、寒武纪等中国AI芯片公司，预计可能采用长鑫HBM；国内厂商如果能获得海外HBM，会优先选择海外产品。

十一、2026年6月29日，韩国总统李在明，主持召开韩国大飞跃三大超级项目国民报告会，三星董事长李在镕、SK集团（SK海力士是SK集团旗下上市公司）会长崔泰源出席，三星、SK集团提出大规模韩国国内投资计划。

1、韩国大飞跃三大超级项目，分别对应半导体、物理AI、AI数据中心三条主线，三星、SK集团是核心执行主体。

三星计划投资2,655万亿韩元/1.72万亿美元，包括2,030万亿韩元/1.32万亿美元，将投向平泽、龙仁等首都圈半导体集群；625万亿韩元/4,060亿美元，将投向非首都圈未来产业，包括半导体基地、AI数据中心、智能手机工厂、机器人、先进显示、电池等项目。

SK集团计划投资2,100万亿韩元/1.36万亿美元，包括约1,100万亿韩元/7,140亿美元，将投向AI内存生产能力扩张，围绕龙仁、清州、西南部形成AI内存生产带；约1,000万亿韩元/6,490亿美元，将投向AI数据中心，目标建设15GW级AI数据中心基础设施。

三星、SK两大集团合计投资规模，达4,755万亿韩元/3.1万亿美元，约是韩国政府年度预算6.5倍，大幅超过此前市场预期，代表两大集团围绕AI时代产业基础设施，提出的中长期韩国国内投资计划的总规划。

韩媒称韩国上述两大集团投资周期，面向未来10年、甚至更长时间。

2、三星、SK集团大举投资，代表韩国试图把AI存储超级周期，转化为国家级产业扩张机会。

过去，韩国半导体产能，高度集中在首都圈与京畿道；当前，AI推动HBM、DRAM、NAND、先进封装需求持续上升，韩国首都圈原有半导体基地，开始面临土地、电力、水资源、输电等瓶颈。

韩国政府希望，基于三星、SK集团新一轮投资，把半导体制造、AI数据中心、电力水务、地方产业集群等，放在同一框架下推进，目标是在巩固韩国全球存储优势的同时，缓解首都圈瓶颈，带动非首都圈形成新的先进制造基地，强化韩国在AI存储周期中的国家竞争力。

3、2026年7月3日，三星启动2026年Q3 DRAM合约价格谈判。

三星此次提价，覆盖通用DRAM全品类，计划平均售价环比最高上调20%，LPDDR等移动存储品类目标涨幅高于平均水平。

三星DRAM产品，2026年内连续三个季度大幅涨价，2026年Q1环比涨幅约90%，Q2环比涨幅50%~60%，Q3预计环比最高上调20%，涨价幅度逐季收窄，上行趋势未发生转向。

目前多家中国下游终端厂商，确认三星此次涨价谈判真实性，多数厂商通过提前锁定采购量与长协模式，对冲存储芯片价格持续上涨压力。

十二、2026年7月1日，外媒报道，Meta计划推出云计算业务Meta Compute，向外部客户出售AI算力，引发市场对AI算力过剩的担忧。

Meta在AI基建领域，投资风格激进，2026年资本开支计划1,250~1,450亿美元，规模超过2024~2025两年总和。

与谷歌、微软、亚马逊相比，Meta没有成熟的云计算业务，承接AI基建，庞大AI投入主要服务自身广告推荐、内容分发、AI应用等场景，缺乏清晰的外部变现路径。

Meta计划布局云服务，核心目的是盘活存量算力、提升资产利用率、回笼现金流，支撑持续高企的资本开支。

Meta旗下开源LLaMA系列、闭源Muse Spark系列两条大模型产品线，整体表现不及行业头部水平，用户规模相对有限，造成内部出现部分算力闲置，以H100、H200等存量算力为主，Meta持续大规模采购GB200等新一代高端算力芯片。

Meta此次云服务计划，主要是自身算力资源的结构性闲置，不代表AI行业整体算力过剩，全球范围看，AI算力整体处于供不应求的状态。

2026年7月3日，知名半导体研究机构SemiAnalysis发文，驳斥市场上关于Meta出售算力，代表资本开支放缓的叙事。

2026年上半年，Meta通过云租赁与第三方托管等方式，签约超过5GW算力容量，不包括Meta加速推进的自建数据中心项目，实际算力扩张规模更大。

SemiAnalysis判断，Meta数据中心建设与算力采购，不会减速，将进一步加速，预计2027年Meta资本开支规模，将高得惊人。

行业整体看，谷歌、微软、亚马逊、Meta四家，2026年资本开支合计约7,250亿美元，同比增长77%，AI基建投入处于加速上行阶段。

Meta巨额算力投入，不是为了成为专业算力云厂商Neocloud，主要服务四个差异化的高价值场景。

第一、前沿大模型训练是核心，Meta超级智能实验室MSL，持续推进自研闭源模型迭代，团队对技术进展感到振奋。

第二、Meta广告推荐系统RecSys，存在10倍以上的扩容空间，Meta计划通过大幅提升推荐模型复杂度，驱动广告单价与用户时长增长。

第三、Meta与Anthropic推进百亿美元级深度合作，计划在Meta云平台上，提供Claude模型的私有实例服务，对标亚马逊AWS Bedrock等模型即服务模式。

第四、Meta致力打造SpaceX式的高溢价、按需租赁算力市场，仅数百兆瓦弹性容量，可带来超百亿美元年收入。

Meta入局云算力市场，对专业算力云厂商Neocloud形成直接冲击。CoreWeave、Nebius等专业算力云厂商Neocloud，此前持有Meta数百亿美元级别的算力订单；随着Meta入局云算力市场，代表CoreWeave、Nebius核心大客户，变为潜在竞争对手，预计市场将重新评估这类厂商的客户粘性与定价权。

更宏观产业视角看，Meta动作标志着AI基础设施，开始从纯成本项，向可货币化资产转变，推动行业竞争逻辑，从不计成本的算力军备竞赛，转向以资本回报率为核心的精细化运营。

十三、联想近期宣布，受全球存储芯片供给紧张、价格持续上行影响，启动第二轮全品类价格上调。

2026年3月，联想已开启首轮终端产品调价；此次宣布，2026年7月将开启第二轮全品类价格上调，覆盖PC、服务器等核心产品线。

联想表示，调价核心原因，是DRAM、NAND Flash供给缺口扩大，整机物料成本大幅上升，厂商内部成本消化空间已近阈值，本次调价旨在对冲成本上涨压力，保障经营与交付体系的平稳，未来将通过长协订单，锁定主流存储厂商产能，提升交付稳定性。