随着AI算力爆发与数据中心功耗飙升，功率半导体正加速从硅基向第三代半导体跃迁。GaN（氮化镓）是一种宽禁带化合物半导体材料，具备高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率等优势。相比传统硅器件，GaN功率器件的高频特性更为出色，可有力推动开关变换器向MHz级开关频率迈进。

为保障增强型GaN器件在高频下的可靠驱动并防止误开通，芯朋微推出了驱动电压可调与负压关断功能的GaN半桥驱动芯片PN7924。该芯片具备驱动正压可调、负压关断、低传播延迟及智能保护等特性，适用于800V HVDC、服务器PSU及模块电源等高频高密度应用场景。

PN7924芯片内部集成了LDO稳定栅极驱动电压，并可外部调节，既可避免GaN栅压过高损坏，又可避免栅压不足造成饱和电流下降。

PN7924内置电荷泵产生-2.5V电压，在PWM为低电平期间，驱动电压只有高于Vth 2.5V才会导致GaN开通，从而避免dv/dt造成误开启。

PN7924保护功能全：VCC/VB/HVDD/LVDD四路欠压保护 过温保护，保障系统高可靠性，为系统高可靠性运行保驾护航。

800V HVDC将数据中心供电推向更高效率与更低铜耗，PN7924具备驱动正压可调、负压关断、低传播延迟及智能保护等特性，可有力推动开关变换器向MHz级开关频率迈进。

随着全球能源效率标准趋严与算力需求指数级增长，高频、高效、高可靠的功率转换已成为不可逆的技术趋势。芯朋微将持续深耕第三代半导体驱动技术前沿，携手产业链上下游合作伙伴，共同推动GaN在更多场景中的规模化应用，为全球能源数字化与绿色低碳转型贡献中国芯力量。