近日,广东大族半导体装备科技有限公司(大族激光全资子公司,简称:大族半导体)现有成熟机型激光隐切设备、激光开槽设备,经深圳平湖实验室开展国家级全流程中试工艺验证,顺利通过并获权威机构工艺层面充分认证。
目前,设备均已实现稳定量产,成功进驻多家行业头部企业,为半导体高端装备国产化进程提供了坚实保障。
中试验证:从实验室到量产线的“关键一跃”
半导体设备从“实验室研发”迈向“量产应用”,中试验证是不可逾越的关键环节。作为国家第三代半导体技术创新中心(深圳)的实体运营单位,深圳平湖实验室是全球首个集科研与中试于一体的8英寸第三代功率半导体开放共享平台。其验证标准对标国际一流产线,以全流程严苛测试检验设备的稳定性、兼容性与工艺适配性。
大族半导体设备此番一次性通过该平台全流程中试验证,充分证明其产品性能可靠、技术路线成熟,已完全具备批量导入国内主流晶圆及功率器件产线的条件。

Si隐切DSI-S-TC9221与SiC隐切DSI-S-TC9320,是大族半导体针对硅基与碳化硅基晶圆加工痛点打造的“双王牌”设备。

设备实现了全场景工艺覆盖,支持全自动、全流程作业,可灵活适配多样化生产场景;在材料加工方面,同时满足硅基与碳化硅材料的高精度隐形切割需求,全面覆盖第三代半导体核心基材加工;软件功能与防呆设计深度融合半导体行业主流需求,兼顾灵活、高效与安全;整体性能达到国际同类设备先进水平,在关键环节实现了国产替代。
激光开槽DA100-A6 PRO,聚焦功率器件制造关键工序,在核心参数与工艺性能上实现了多重突破。

设备材料适配广泛,可加工GaN、SiC背金等多种材质,覆盖第三代半导体主流应用场景;支持Dual narrow、Wide Beam等多种开槽模式,为不同产品设计提供灵活的工艺选择;关键指标优异——上槽宽度≥40μm、槽深≥10μm、下槽宽>25μm,满足高精度封装工艺要求;加工质量卓越,熔清高度≤3μm,熔渣宽度≤3μm,有效降低后续工艺难度,显著提升芯片良率。
当前全球新能源转型持续深化,AI算力需求爆发式增长,以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体已成为打破国际垄断、实现产业突围的重要抓手。大族半导体作为国内首家半导体激光开槽设备、激光解键合设备研发生产制造商,始终走在国产替代的最前沿。

未来,大族半导体将持续深耕半导体核心装备领域,聚焦行业量产瓶颈,以硬核自研实力为半导体产业高质量发展持续赋能,注入强劲“芯”动能。




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