1月19日，中微半导体（深圳）股份有限公司（以下简称“中微半导”）发布公告称，公司即将推出首款非易失性存储器芯片。

据披露，该产品为4M bit容量的低功耗SPI NOR Flash，存储阵列共2048个可编程页，每页容量为256字节，单次可编程写入数据量最高可达256字节，支持多种擦除模式，具有低成本、低功耗、SPI高速读写、掉电不丢失特点，适配小存储需求场景，包括嵌入式MCU程序存储、小型智能硬件配置存储、低功耗IoT终端存储以及外设/模块配套存储等场景。

资料显示，中微半导成立于2001年，是集成电路(IC)设计企业，以微控制器（MCU）研发与设计为核心，专注于芯片设计与销售，致力为消费电子、智能家电、工业控制及汽车电子等各类智能终端设备提供高性能、低功耗、高集成度的芯片产品及系统解决方案。

存储芯片市场由DRAM、NAND Flash、NOR Flash、EEPROM等细分市场组成，其中DRAM和NAND Flash占据了存储芯片市场的主要份额。NOR Flash市场规模相对较小且竞争日趋激烈，国内主要参与者包括兆易创新和普冉股份等上市公司。

中微半导本次发布的CMS25Q40A产品，是该公司首款Flash产品，意味着该公司也正式向存储领域迈出实质性一步。