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股市情报:上述文章报告出品方/作者:半导体芯闻;仅供参考,投资者应独立决策并承担投资风险。

日本两大公司宣布:停产六氟化钨

时间:2026-06-15 18:05
上述文章报告出品方/作者:半导体芯闻;仅供参考,投资者应独立决策并承担投资风险。


两家日本六氟化钨(WF₆)供应商将于下月1日起暂停生产。这是由于中国限制了钨的出口,而钨是六氟化钨的关键原材料。依赖日本六氟化钨供应的三星电子和SK海力士也面临危机。


据全球行业15日消息,日本关东电化株式会社和中央硝子株式会社正式通知包括三星电子、SK海力士和台积电在内的主要客户,他们决定从下个月1日起永久停止生产六氟化钨。


六氟化钨是3D NAND和HBM(高带宽存储器)金属布线工艺的关键原材料。气化的六氟化钨(气体)被薄薄地涂覆在晶圆上,形成电流通路。这本质上是将金属线沿着半导体的电路图案连接起来。


关东电化株式会社和中央硝子株式会社占据了全球六氟化钨供应量的25%。全球六氟化钨年产量估计约为8000至9000吨,其中这两家公司的产量约为2000至2200吨。鉴于新建生产设施的认证周期通常需要18至24个月,预计供应短缺的情况将持续到2027年。


日本企业停产的决定源于出口限制。自去年2月以来,中国开始对包括钨在内的战略矿产实施出口许可证制度。因此,作为六氟化钨关键原料的钨粉今年对华出口量几乎降至零。


六氟化钨的价格也在飙升。据中国海关总署数据显示,4月份六氟化钨的价格为每公斤149.79美元,比上月上涨203.83%,比去年同期上涨28.33%。


日本一直以来都完全依赖中国的钨粉原料。据报道,自去年中国实施出口限制以来,日本企业一直在努力寻找替代供应链,但均以失败告终。


然而,这预计将为国内六氟化钨生产商,例如 Huseong 和 SK Specialty,带来新的机遇。据报道,这些公司已通知三星电子、SK 海力士、DB HiTek 和 MagnaChip 等客户,今年将把合同价格提高 70% 至 90%。


中国也致力于成为六氟化钨的全球供应链中心。多年来,作为半导体自主发展政策的一部分,中国已建立起强大的供应链和技术能力,能够大规模生产国内六氟化钨。


随着日本企业宣布暂停六氟化钨的生产,严重依赖日本市场的韩国企业,例如三星电子和SK海力士,遭受了直接打击。尽管日本企业此前已暗示将在今年下半年减产,但永久停产的决定却出乎意料。


六氟化钨,是什么?


最近,六氟化钨的短缺和涨价芯闻冲上了热榜。


据《科创板日报》记者向多家上市公司求证获悉,此轮六氟化钨价格上涨由多重因素共同推动:一是上游钨粉原料价格大幅走高,行业整体供不应求;二是相关管控政策落地,进一步加剧全球供给紧张格局;三是国内能够稳定量产6N及以上高纯六氟化钨的有效产能相对有限。


那么,这究竟是什么?


六氟化钨:芯片关键材料

六氟化钨(WF6)是半导体小型化和三维化的关键电子材料,其全球供应链目前正面临前所未有的冲击。自2026年初以来,WF6的供应短缺持续存在,导致市场价格飙升,引发了整个行业的广泛担忧。据中国市场数据显示,纯度为99.999% (5N级)的WF6市场价格已从每公斤1670元上涨至1810元,较去年同期的523元上涨了232.7% 。此外,尖端半导体工艺严格要求的6N级( 99.9999% )高纯度WF6价格自4月初以来也上涨了超过190%,目前交易价格为每吨220万至300万元。一些要求极高的 7N 级钢材的长期合同金额高达330万至360 万元人民币。


此次价格异常飙升的背后,并非仅仅是需求表面上的增长或物流延误,而是涵盖从原材料开采到最终产品消费整个供应链的结构性供应短缺。WF6是目前唯一可用于化学气相沉积(CVD)工艺,在硅片上均匀沉积钨金属薄膜的商用前驱体气体。它在半导体中形成精细接触孔、垂直连接布线层的通孔、晶体管栅电极以及层间布线方面发挥着核心作用。尽管钼等替代材料的研发正在推进,但从良率和电学特性的角度来看,尚未出现一种能够完全替代WF6并实现大规模生产的技术。因此,台积电、三星和SK海力士等领先的半导体制造商被迫陷入困境,必须不惜一切代价确保这种关键特种气体的供应,即使这意味着更高的制造成本。


先进芯片推动了爆炸性的需求

尽管供应端面临如此严重的瓶颈,但半导体市场在需求端却持续扩大WF6的消费规模,达到前所未有的水平。这背后的最大驱动力是伴随生成式人工智能快速普及而来的高性能人工智能芯片需求的增长,以及宽带内存(HBM,其关键技术)和3D NAND闪存(支持更高的存储容量)的快速技术进步。需求的激增是由于芯片产量的同步增长及其内部结构日益增长的三维性和复杂性所致。


特别是,3D NAND闪存的制造工艺规模已远超传统平面NAND。由于3D NAND采用三维结构,存储单元垂直堆叠数百层,因此需要先进的技术才能将钨均匀无空隙地沉积到贯穿整个层的高纵横比复杂通孔结构中。随着制造工艺层数从128层增加到目前主流的300层,并进一步增加到下一代500层或更多层,制造过程中的沉积循环次数呈指数级增长,预计每片晶圆消耗的WF6总量将跃升约37倍。


此外,主要面向数据中心的AI芯片相比通用逻辑半导体,其布线层更为复杂,导致其WF6晶圆消耗量约为通用逻辑半导体的三倍。例如,SK海力士计划在未来五年内大幅提升其晶圆产能,以满足包括HBM在内的先进存储器的需求。每条投入运营的先进生产线每年将持续产生150至300吨的WF6晶圆需求。当前半导体行业的技术发展方向——小型化和三维化——正是建立在WF6晶圆大量消耗的前提之上,这造成了需求价格弹性极低的局面,即使价格飙升,也难以轻易降低消耗量。


日本厂商,主导供应

凭借先进的精炼技术,日本化工企业历来主导着全球高纯度六氟化钨(WF6)的供应,但近年来,中国增强了对相应钨材料的出口审查,对其造成了冲击。关东电化和中央硝子等日本企业占据了全球高端六氟化钨产能的约35%,如今却面临着几乎无法稳定获得高纯度钨粉供应的困境。


鉴于钨粉占六氟化钨生产成本的60%至70%,原材料短缺将立即导致产品供应中断危机。据业内内部消息,日本企业已正式通知三星和SK海力士等主要客户,现有原材料库存仅能维持生产至2026年5月或6月,下半年将无法维持正常的供应能力。


即使仅考虑日本顶尖企业,其钨6(WF6)年产能也约为2200吨。这些生产线一旦停产或大幅减产,将在全球WF6供应中造成每年约2000吨的绝对缺口。过去几个月,日本企业一直在探索从北美和其他地区采购的替代途径,但由于全球钨资源分布不均,以及半导体级钨对杂质含量有着严格的控制要求,从中国以外地区获得足够数量和质量的钨极难。因此,日本WF6生产商在全球半导体供应链中传统承担的部分供应责任正被迫分离。


由于日本企业产能急剧下降和先进半导体领域需求爆炸式增长的双重压力,全球半导体材料供应链正经历着不可逆转的重组。三星一直以来都依赖日本产的高品质WF6气体来维持生产线的稳定运行,如今在寻找替代供应商方面面临着尤为严峻的危机感和时间紧迫的压力。


另一方面,SK海力士已经建立了多元化的采购渠道,供应商包括韩国特种气体制造商SK Specialty和Foosung,以及中国的Peric(中国船舶重工集团有限公司),因此被认为能够相对灵活地应对市场变化。然而,即使是这些韩国制造商,也因为原材料成本创历史新高而不得不通知客户价格翻倍。


通常情况下,半导体制造过程中更换材料供应商需要至少18至24个月的漫长客户认证流程,以维持良率并验证受微量杂质影响的器件的长期可靠性。然而,在当前严重的供应短缺情况下,一些代工厂正以前所未有的速度争相采购新的中国气体,甚至缩短部分认证流程,以避免生产停产的最坏情况。


中国企业历来在全球特种气体市场扮演着追随者的角色,但此次供应危机使它们几乎成为唯一能够供应符合技术要求的大量高纯度产品的企业,从而掌握了定价权。在2027年全球新的生产设施全面投入运营且供应稳定之前,围绕WF6的紧张供需平衡(地缘政治和产业逻辑在此交汇)很可能将继续成为全球半导体行业的阿喀琉斯之踵。

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