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股市情报:上述文章报告出品方/作者: 全球半导体观察;仅供参考,投资者应独立决策并承担投资风险。

总投资200亿元,芯联集成扩建12英寸产线

时间:2026-06-12 15:07
上述文章报告出品方/作者: 全球半导体观察;仅供参考,投资者应独立决策并承担投资风险。

2026年6月11日晚间,芯联集成电路制造股份有限公司发布公告,拟在绍兴市杭绍临空经济一体化发展示范区,与绍兴市杭绍临空经济一体化发展示范区绍兴片区管理委员会等相关方合资建设12英寸车规级数模混合芯片生产线。该项目为公司四期项目,计划总投资约200亿元,建成后月产能达5万片。


图片来源:芯联集成


根据公告,项目实施主体为芯联先进集成电路制造(绍兴)有限公司。芯联集成拟出资30.12亿元,持股比例25.1%;杭绍临空及其他联合投资主体拟出资30亿元;市场化资金出资59.88亿元;剩余80亿元通过银行贷款解决。


公告显示,四期项目核心技术节点覆盖40/28纳米MCU/DSP、90/55纳米BCD/DrMOS,以及55纳米硅光/激光驱动芯片等,产品聚焦车规级与工业控制级应用,覆盖新能源汽车、工业控制、AI服务器电源及光互联等领域。


具体来看,四期项目主要聚焦五大工艺平台:


1. 55nm至28nm车规级MCU及AI端侧DSP芯片平台:覆盖智能汽车、工业自动化、AIoT三大应用领域,其中AI端侧DSP布局是公司向AI应用延伸的重要一步,以为边缘智能提供算力支撑。


2. 90nm数模混合芯片平台:聚焦国内稀缺的高性能、高功率、高可靠性BCD技术方向,面向新能源汽车、工业控制、高端消费电子三大核心领域。 


3. 55nm AI服务器高频电源管理芯片制造平台:面向AI服务器电源系统,为CPU/GPU提供高功率密度供电方案。公司正进一步扩产高端电源管理芯片产能,以应对全球AI算力爆发带来的市场需求。 


4. 55nm硅光芯片平台:面向数据中心光互联、AI集群通信、高速光模块三大应用。 在一期8英寸硅光芯片大规模扩产和三期基地12英寸90nm硅光技术的基础上,四期会继续建设和扩大55nm硅光芯片产能,深入布局光互联技术。 


5. 面向光引擎的55nm SiGe跨阻放大器和激光驱动芯片平台:覆盖高速光模块接收端和发射端的核心电芯片。 该平台与55nm硅光平台形成 “硅光 配套电芯片”协同,可为客户提供从光接收到光发射的完整光引擎代工方案。


芯联集成在公告中表示,本次投资旨在完善半导体产业链战略布局,强化车规级芯片供给能力,拓展AI服务器电源与光互联等高增长赛道,提升整体市场竞争力。


据科创板日报报道,在一期、二期、三期项目达产基础上,四期项目投产后,公司折合8英寸晶圆总产能将超过40万片/月。


公开资料显示,芯联集成是国内特色工艺代工企业,专注功率半导体、数模混合及硅光芯片制造,已在绍兴布局三期项目。其中三期为12英寸数模混合产线,目前处于建设阶段。此次四期项目落地后,绍兴将成为芯联集成全球产能核心基地。

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