6月9日-11日，全球电力电子顶级盛会PCIM Europe 2026在德国纽伦堡成功举办。作为国内碳化硅全链制造领先企业之一，三安光电旗下湖南三安携碳化硅先进材料、芯片/器件精彩亮相。

▍全链自主保障品质：第二代碳化硅MOS平台批量验证性能优异

湖南三安拥有从晶体生长、衬底制备、外延生长到芯片制程的全链垂直整合制造服务平台。凭借全流程自主可控与全链质量管理，确保产品的快速迭代、性能一致与稳定供应，为客户提供高可靠性的碳化硅芯片解决方案。

公司已完成650V至2000V、1A至100A的全电压电流碳化硅二极管产品梯度建设，以及从650V到3300V、12mΩ到1000mΩ的全系列碳化硅 MOSFET产品布局。其中基于第二代平台的车规级产品已在国内外多家一线Tier 1厂商实现批量稳定供货。以1200V/60mΩ器件为例，已批量应用于车载充电机；主驱逆变器用750V/1200V系列已完成技术迭代，通过国内头部电动车企验证，并同步导入多家海外客户。

此外，现场同步展出针对组串光伏MPPT Boost（集成1200V/40mΩ SiC MOSFET与1200V/20A SiC SBD）的评估样机，在350V升650V ，功率10kW，开关频率 20kHz实测中，全 SiC组合比传统IGBT SiC SBD工况效率高 0.32%，开关器件温度降低约48℃，说明SiC MOSFET相对IGBT还有更强的出流能力，湖南三安良好的产品表现持续推动碳化硅器件对硅器件的快速替代，进一步印证了其碳化硅器件在光储领域的应用潜力。截至目前，湖南三安碳化硅芯片/器件已累计出货4亿颗，功率器件出货量稳居国内行业前列。

▍两款战略新品首次公开：12英寸光学衬底与低电阻衬底

本场展会，湖南三安首次面向全球展出12英寸光学衬底与低电阻碳化硅衬底，此前8英寸光学衬底已通过客户验证，12英寸光学碳化硅衬底面型参数达行业先进水平，可赋能AR眼镜更大视场角、消除彩虹纹，已向多家国内外终端厂商小批量送样；低电阻碳化硅衬底历经三年攻关，将电阻率从行业常规的20mΩ•cm稳定降至11mΩ•cm，使器件导通电阻下降约10%-25%，对AI服务器电源、新能源汽车高压快充意义重大，且已具备量产能力。