SK海力士计划于2026年年底，正式量产新一代375层3D NAND闪存。在全球AI算力、企业级存储需求持续扩张的背景下，3D NAND依靠垂直堆叠层数提升单颗芯片存储容量，成为存储厂商技术竞争的核心赛道，此次375层新品落地，也标志海力士完成新一轮堆叠工艺与材料体系的双重升级。

6月11日多位业内消息人士对外透露，SK海力士已全面完成375层NAND的全流程生产验证，良率与工艺稳定性达到量产标准，现阶段正集中推进整套工艺向现有量产产线转移。出于控制资本开支、盘活现有制造资源的考量，该企业并未新建独立晶圆厂房，而是针对性对旗下清州M15工厂现有成熟产线进行设备改造与工艺适配投入；清州M15是海力士核心NAND生产基地之一，当前产线主要承载176层、238层、321层三代中低层堆叠NAND产品的批量制造，本次改造完成后，原有老旧层数产能将逐步切换至375层高端新品。

这款375层产品在内部研发规划阶段，原本归类为400层级NAND方案。受超高层数垂直堆叠固有的制造瓶颈制约，企业最终下调堆叠层数至375层。行业分析指出，当NAND堆叠层数突破300层后，核心制造难点集中于深沟道孔刻蚀环节，层数越高，刻蚀深度、侧壁均匀度、结构形变管控难度呈指数级上升，400层架构在现阶段量产环境下难以平衡良率与制造成本，因此企业选择适度下调层数，优先保障规模化落地可行性。一名熟悉海力士技术路线的业内人士表示：“原先规划的400层级产品经过多轮试产验证后，最终修订为375层实现年内量产；企业中长期技术路线并未调整，后续迭代目标依旧锁定480层、604层更高堆叠规格产品。”

本次375层工艺最核心的技术革新，是全面导入金属钼（Mo）材料体系：SK海力士将制程中原先广泛使用的部分钨（W）薄膜替换为钼，用于存储单元的金属栅极，也就是控制读写信号的字线。3D NAND的容量提升逻辑依托数百层存储单元与配套字线垂直堆叠实现，字线材料的导电性能、薄膜沉积特性，直接决定芯片读写速度、存储密度与长期可靠性，在300层以上超高堆叠架构中，传统钨材料的性能短板持续放大，钼成为行业公认的替代解决方案。

从物理性能与制程优势来看，钼能够系统性解决钨在超高堆叠NAND结构中的多重局限。随着堆叠层数持续提升，字线布线物理尺寸不断微缩，钨金属在窄线宽结构下电阻会显著抬升，直接拖慢存储单元内部信号传输速率，拉低整体写入、擦除性能；钼在同等细微字线尺寸下电阻率更低，信号传输损耗更小，可直接提升闪存读写响应速度，适配AI服务器、高速SSD等高端应用场景。除此之外，钨薄膜沉积工序前必须额外制备一层阻隔衬垫层，多层叠加后会占用垂直堆叠的有效空间，限制单位晶圆存储密度提升；钼材料无需配套辅助衬垫层即可直接完成沉积，简化工艺流程的同时，释放更多垂直堆叠空间，支撑更高比特密度设计。

但钼材料量产落地同样存在显著技术门槛。钼配套前驱体原料在常温环境下为固态形态，无法像六氟化钨气体一样直接输送至沉积设备，生产端必须配套专用加热、稳压输送系统，实现前驱体稳定气化、精准控流与定量供给，对薄膜沉积设备、车间气体供应配套体系提出全新改造要求，也是厂商推进钼工艺导入的主要投入方向。

在全球存储同业竞争层面，三星电子早已率先完成钼材料在3D NAND中的商业化落地，行业形成清晰的技术追赶格局。三星自2024年4月实现量产的第九代286层3D NAND闪存，就已在金属布线核心环节引入钼材料；其层数突破400层的第十代新一代3D NAND产品，目前已完成工艺验证，计划于2026年下半年推向市场，同时三星还在持续扩大钼材料在全流程工艺中的应用覆盖范围，进一步放大高端堆叠产品性能优势。

在沉积设备选型上，两大存储龙头做出差异化路线选择。三星钼薄膜沉积设备全部采购自泛林半导体，该厂商设备采用单片晶圆独立加工模式，单张晶圆工艺管控精度更高，但设备购置成本、厂房占地面积相对更大。SK海力士前期同步评估了泛林半导体与东京电子两家厂商的钼沉积设备方案，经过成本、量产效率综合测算后，最终选定东京电子设备。东京电子采用炉管批量沉积工艺，单次设备运行可同步处理约100片晶圆，在设备采购成本、洁净室场地占用面积、钼前驱体原料消耗量三大维度具备规模化量产成本优势，更适配海力士现有大批量NAND产线运行逻辑。

钼半导体原材料供应链也随之迎来扩容布局，多家国际特种气体企业成为海力士核心供应商。液空（Air Liquide）、安集科技（Entegris）、默克（Merck KGaA）确定为SK海力士稳定供应半导体级钼前驱体材料；韩国本土材料厂商SK Specialty也在同步洽谈供货合作事宜。不过SK Specialty现阶段尚未建成配套钼原料专用储存、恒温输送基础设施，业内消息称，该企业正推进合作方案，依托液空成熟的特种气体输送基础设施完成原料交付，SK海力士也在主动推动两家本土与国际厂商达成长期协同供货协议，保障钼材料供应链稳定。

伴随三星、SK海力士两大龙头全面铺开钼工艺，3D NAND产业链对钼特种材料的市场需求将迎来高速增长周期。行业机构统计测算数据显示，三星电子2025年全年钼原料采购量约4吨，2026年采购规模将提升至10吨；中长期消耗增速持续走高，2027年行业总消耗量预计达25吨，2028年升至40吨，2029年、2030年将分别增长至60吨、80吨。SK海力士从2027年起将在全线375层及以上高端NAND产品中大规模导入钼材料，行业预估其初期年度钼原料消耗量约4吨，未来随480层、604层产品落地，采购规模将持续扩张。

产业经营策略层面，当前全球NAND行业与DRAM赛道发展逻辑出现明显分化，厂商经营重心发生转变。另一位深耕存储产业链的业内人士分析表示：“不同于DRAM市场现阶段优先追逐出货规模、抢占市场份额的竞争思路，当前NAND产业整体经营重心更偏向盈利修复，厂商主动优化产品结构，减少低价低端产品供给，推动存储芯片价格维持健康区间。”SK海力士的产能规划策略与行业整体导向保持一致，企业并未选择全面扩充NAND总晶圆产能，而是主动缩减176层、238层、321层等低层数老旧NAND产品的生产规模，通过改造现有产线持续扩大375层高端产品的产能投放，以此提升单位晶圆比特产出效率，摊薄单位存储容量制造成本，依靠高端产品结构优化改善整体NAND业务毛利率，规避行业历史上因盲目扩产引发的价格下行周期