事件：

美光于12月18日公布FY26Q1财报，营收136.4亿美元，同比 57%/环比 21%；毛利率56.8%，同比 11.1pcts/环比 11pcts。

评论：

1、FY26Q1收入和毛利率均超指引上限，盈利能力同环比大幅提升。

FY26Q1收入136.4亿美元，同比 57%/环比 21%，超指引上限（125±3亿美元）；毛利率56.8%，同比 11.1pcts/环比 11pcts，超指引上限（51.5%±1pct）；净利率40.2%，同比 16.8pcts/环比 9.5pcts；EPS 4.78美金，超指引预期。

2、DRAM及NAND位元出货量有所增长，ASP环比持续提升。

1）按产品划分：①DRAM收入108亿美金，同比 69%/环比 20%，位元出货量略有增长，价格增长20%；②NAND收入27亿美金，同比 22%/环比 22%；位元出货量增长中高个位数百分比，价格增长中十位数百分比。2）按业务划分：①云存储部门（CMBU）收入52.8亿美金，同比 100%/环比 16%；②核心数据部门（CDBU）收入23.8亿美金，同比 4%/环比 51%；③移动与客户端部门（MCBU）收入42.6亿美金，同比 63%/环比 13%，主要由价格上涨驱动，部分被位元出货减少抵消；④汽车与嵌入式部门（AEBU）收入17.2亿美金，同比 49%/环比 20%，系位元出货量增加和价格上涨共同驱动。

3、预计25-28年HBM复合增速40%，上修服务器及PC 25全年市场规模。

1）数据中心：FY26Q1数据中心和HBM营收均创下季度新高，已经完成HBM 2026年的供应价格和销售协议，上修HBM TAM 2028年至1000亿美元，复合增速40%。预计HBM4在FY26Q2出货，并上调2025年服务器出货量预期至高十位数百分比；2）PC：进一步上调2025年PC出货量增长至高个位数百分比，增长仍然系Windows 10的生命周期终止以及AI PC的加速普及；3）手机：维持2025年智能手机出货量增长低个位数百分比，搭载12GB以上内存智能手机出货占比已增至59%，同比增长两倍多；4）汽车：ADAS和AI车载娱乐系统推动内存需求，已获得数十亿美元的设计中标。

4、指引FY26Q2毛利率环比大增11pcts，26年位元需求受限于产能供给。

1）FY26Q2指引：按NON-GAAP口径，指引FY26Q2收入187±4亿美元，中值同比 132.3%/环比 37.5%；毛利率68%±1pct，中值同比 30.1pcts/环比 11.2pcts；EPS 8.42±0.20美元。2）需求：上修25年DRAM位元需求增长至20% ，NAND位元需求增长至高十数百分比，展望26年位元需求受限于产能供给。3）供给：预计26年DRAM和NAND位元出货量将增长约20%，洁净室交货时间持续延长，预计DRAM和NAND的供应紧张持续至26年及以后。4）资本支出：上修FY2026资本支出至200亿美元，高于此前180亿美元指引，用于HBM和1C爬坡，同时厂建支出翻倍，预计27年资本持续继续增长。

风险提示：宏观经济及政策风险；DRAM和NAND景气度下滑风险；新品研发不及预期的风险；行业竞争加剧的风险。

（后附FY2026Q1业绩说明会纪要全文）

附录：美光FY2026Q1业绩说明会纪要

时间：2025年12月18日

出席：

Mark Murphy–执行副总裁兼首席财务官

Sanjay Mehrotra–董事长、总裁兼CEO

Satya Kumar–公司副总裁、投资者关系与财务主管

会议纪要根据公开信息整理如下：

管理层介绍

美光科技2026财年第一季度表现亮眼，营收、毛利率和每股收益均大幅超出指引区间上限，多项核心指标创下历史纪录。这一卓越业绩得益于供应紧张环境下公司在各终端市场和产品领域的强劲执行，以及AI驱动的需求持续爆发。

2026财年第一季度，公司总营收、DRAM和NAND营收、HBM和数据中心营收，以及各业务部门营收均刷新历史新高。内存已从系统组件转变为AI认知功能的核心战略资产，成为决定各类产品性能的关键要素，这一结构性转变为公司带来了广阔增长空间。

AI不仅是外部需求的核心驱动力，更是美光内部的强大生产力助推器。目前超过 80%的专业员工积极使用生成式AI，总使用量较去年增长10倍。在制造领域，AI融入良率和质量管理使问题根源识别时间缩短一半；研发团队通过智能体AI 实现30%以上的生产力提升；各业务职能部门借助生成式AI拓展自动化应用场景，部署对话式分析工具加快决策速度、提升决策质量，未来将进一步增强公司竞争力。

凭借在HBM、1-Gamma DRAM和G9 NAND等先进技术领域的领先地位，以及差异化的产品组合、强劲的运营执行能力和稳健的资产负债表，美光正处于公司历史上最有利的竞争地位，也是半导体行业中AI发展的最大推动者之一。

技术与运营

DRAM技术：美光在DRAM领域已连续四个技术节点保持行业领先，1-Gamma DRAM节点量产进展顺利，将成为2026日历年DRAM位容量增长的主要驱动力，并在下半年占据位容量产出的大部分份额。其后续节点1-Delta和1-Epsilon的研发已启动，将融入创新技术以扩大差异化优势和技术领先地位。本季度，基于 1-Gamma技术的16GB DDR5产品已通过多家OEM的认证；面向移动市场的突破性1-Gamma 16GB LPDDR6 产品样品已提供给领先OEM和生态系统合作伙伴，该产品将为边缘AI提供支持，为旗舰智能手机和AI PC带来超过50%的性能提升和更高能效；同时还提供了1-Gamma LP5X 24Gb产品样品，并已开始向多家OEM批量出货1-Gamma LP5X 16Gb产品。

NAND技术：在NAND领域，美光连续三个技术节点处于领先地位，且每个节点的良率提升速度不断加快。目前正推进G9节点的量产，数据中心和客户端SSD的良率均稳步提升，本季度包括G9 QLC在内的QLC NAND产品占比达到历史新高。2026日历年，向G9节点的技术过渡将成为NAND位容量增长的主要动力，预计在2026财年下半年，G9将成为最大的NAND技术节点。

HBM技术：在美光的HBM产品表现突出，已完成2026日历年全年HBM供应的价格和数量协议，包括行业领先的HBM4产品。HBM4具备行业领先的每秒11Gb传输速度，计划于2026日历年第二季度实现高良率量产，其在基础逻辑芯片和 DRAM核心芯片上采用先进的CMOS和先进可视化工艺技术，均为自主设计和制造，结合独特的HBM设计、封装和测试能力，实现了行业领先的性能和低功耗优势。同时，公司对定制化HBM4E产品的客户合作充满信心，这为差异化竞争提供了机会，且在HBM产品路线图上持续取得良好进展。预测截至2028日历年，HBM的TAM CAGR约为40%，将从2025年的约350亿美元增长至2028年的约1000亿美元，较此前展望提前两年实现这一里程碑，且2028 年HBM 场规模预期已超过2024日历年整个DRAM市场规模。

制造情况更新

为应对持续紧张的供需局面，美光正加大全球制造布局投资，计划将2026财年资本支出上调至约200亿美元，高于此前预估的180亿美元，主要用于支持HBM 供应能力以及2026日历年1-Gamma技术的量产，并提前设备订单、加快安装进度以最大化产能输出。

美国方面，爱达荷州第一座工厂提前投产，预计2027日历年中期实现首批晶圆产出，早于此前预估的2027日历年下半年；计划2026年动工建设爱达荷州第二座工厂，2028年底投入运营；纽约工厂项目必要许可申请取得良好进展，计划于2026日历年年初启动第一座工厂的奠基仪式，预计2030年及以后开始供应产品；弗吉尼亚州投资马纳萨斯工厂，以保障汽车和工业市场所需的 LPDDR4X和DDR4产品的长期供应。

日本方面，在METI的支持下，进行技术和制造投资，与博伊西研发团队协作推进下一代DRAM技术过渡，在广岛工厂新增洁净室空间以支持先进节点，扩大生产规模并优化工厂经济效益。

新加坡HBM先进封装工厂预计将于2027日历年为HBM供应做出重要贡献，HBM纳入新加坡制造布局后，预计NAND和DRAM生产将产生协同效应。

印度封装测试工厂已启动试生产，将于2026年逐步量产。

数据中心

全球领先科技企业向AGI迈进，推动大规模多年期数据中心建设，极大地带动了对高性能、大容量内存和存储产品的需求。服务器设备需求显著增长，预计2025 日历年服务器出货量增长率将达到高teens区间，高于上一次财报电话会议预测的10%，且2026年服务器需求将持续强劲。

2026财年第一季度，数据中心NAND产品组合营收突破10亿美元。美光凭借 HBM、大容量服务器内存产品和数据中心SSD等差异化高价值解决方案，满足了服务器内存和存储逐代提升的容量及性能要求。同时，美光是数据中心LPDRAM应用的先驱，其LPDRAM服务器模组功耗仅为DDR DRAM服务器模组的三分之一，且已推出192GB LP SOCAMM2产品样品，使每个模组的容量提升50%，机架级LPDRAM密度超过50TB。

PC领域

PC需求持续受到Windows 10系统终止支持和AI PC的推动，预测2025日历年PC出货量增长率将达到高个位数区间，高于上一次财报电话会议预测的中个位数。展望2026年，这些需求驱动因素将持续存在，但内存供应限制可能会影响部分PC出货量。美光基于1-Gamma技术的16Gb DDR5产品，以及基于G9技术的PCIe Gen4 QLC SSD已通过多家OEM的认证。

智能手机领域

2025日历年智能手机出货量预计将实现低个位数增长，AI正推动移动设备内存容量增长，2025日历年第三季度，配备12GB DRAM的旗舰智能手机出货占比已升至59%，较去年同期增长逾一倍。美光正加速移动DRAM产品组合创新，2026财年第一季度向领先OEM和生态系统合作伙伴提供了1-Gamma 16Gb LPDDR6产品样品，同时提供了1-Gamma LP5X 24Gb产品样品，并已开始向多家OEM批量出货1-Gamma LP5X 16Gb产品。

汽车、工业与嵌入式领域

汽车领域,L2 和L3级自动驾驶的普及推动强劲需求，客户路线图显示全自动驾驶汽车的内存容量将大幅提升。美光符合ASIL标准的LPDDR5X和UFS 4.1 NAND产品针对汽车和先进机器人进行了优化，具备带宽增强特性，目前需求强劲，并已获得数十亿美元的设计订单;工业领域,受各类应用中自主系统采用率不断提高的推动，需求持续走强，工厂自动化、航空航天与国防、人形机器人、边缘网络和视频监控等工业应用对内存和存储的长期需求趋势保持稳健。

市场展望

过去几个月，客户的AI数据中心建设计划推动内存和存储需求预测大幅上调，行业总供应在可预见的未来将持续显著低于需求。HBM需求的激增进一步加剧了供应压力，其与DDR5的产能占用比例为3:1，且未来几代HBM的这一比例还将进一步提高，而全球范围内洁净室建设的交付周期不断延长，制约了供应能力的快速提升。

这些供需因素导致DRAM和NAND市场全面趋紧，预计这一紧张态势将持续至 2026日历年之后。2025日历年DRAM和NAND行业位需求增长预期均高于上一次财报电话会议的展望：目前预计2025年DRAM位需求增长率将达到低20% 区间（此前为高teens），NAND位需求增长率将达到高teens区间（此前为低至中teens）。

美光预计2026日历年DRAM和NAND位出货量将增长约20%，但仍难以满足所有市场领域客户的需求。中期内，DRAM与NAND的行业位元需求复合年增长率预计将达中十位数百分比。

财务情况

2026财年第一季度总营收为136亿美元，环比增长21%，同比增长57%，连续第三个季度创下季度纪录；综合毛利率为56.8%，环比提升11个百分点，主要得益于价格上涨、强劲的成本控制和产品组合优化；运营费用为13亿美元，环比增加1.2亿美元，主要源于研发支出增加；运营利润为64亿美元，运营利润率为47%，环比提升12个百分点，同比提升20个百分点；税费为9.77亿美元，有效税率为15.1%；非公认会计原则稀释后每股收益为4.78美元，环比增长58%，同比增长167%。

分产品：

DRAM：第一季度营收为108亿美元，同比增长69%，占总营收的79%；环比增长20%，位出货量小幅增长，价格上涨约20%，主要得益于行业DRAM供应紧张、定价执行及产品组合优化。

NAND：第一季度营收为27亿美元，同比增长22%，占总营收的20%；环比增长22%，位出货量增长中至高个位数，价格上涨中个位数，主要受行业NAND供应紧张、定价执行及产品组合优化推动。

分部门：

从本次财报开始采用新的业务分部披露方式，以凸显盈利能力改善与业务结构变化。云存储业务部与核心数据中心业务部共同构成我们完整的数据中心业务。

云存储业务部门：营收创纪录达53亿美元，占总营收的39%；环比增长16%，得益于位出货量增加和价格上涨；毛利率为66%，环比提升620个基点，主要受成本控制和价格上涨支持。

核心数据中心业务部门：营收创纪录达24亿美元，占总营收的17%；环比增长 51%，得益于强劲的位出货量和价格上涨；毛利率为51%，环比提升990个基点，主要受价格上涨和成本控制支持。

移动客户端业务部门：营收创纪录达43亿美元，占总营收的31%；环比增长13%，主要得益于价格上涨，部分被位出货量下降抵消；毛利率为54%，环比提升17个百分点，主要受价格上涨推动。

汽车与嵌入式业务部门：营收创纪录达17亿美元，占总营收的13%；环比增长 20%，得益于位出货量和价格上涨；毛利率为45%，环比提升14个百分点，主要受价格上涨推动。

运营业绩

毛利率：第一财季综合毛利率达56.8%，环比上升11个百分点，主要得益于价格上涨、强劲的成本控制和产品组合优化。

Opex：第一财季运营支出13亿美元，环比增加1.2亿美元，符合指引区间，增长主要源于研发投入增加。

运营利润：第一财季64亿美元，运营利润率47%，环比提升12个基点，同比上升20个百分点。

税费：第一财季所得税费用9.77亿美元，实际税率15.1%。

每股收益：第一财季非GAAP摊薄每股收益4.78美元，环比增长58%，同比上升167%。

现金流：2026财年第一季度运营现金流为84亿美元，资本支出为45亿美元，自由现金流达39亿美元，创下季度纪录，较2018财年第四季度的此前纪录高出逾20%。

库存：第一季度期末库存为82亿美元，环比减少1.5亿美元，库存周转天数为126天；DRAM库存周转天数持续紧张，低于120天。

现金及债务总额：季度末现金及投资为120亿美元，若计入未使用的信贷额度，流动性总额达155亿美元。本季度根据CHIPS Act协议条款，回购了3亿美元股票；同时偿还了27亿美元债务，包括10亿美元定期贷款余额和17亿美元优先票据赎回。季度末债务总额为118亿美元，净现金余额超过2.5亿美元。

业绩展望

DRAM和NAND市场均呈现供不应求的态势，预计价格上涨、成本下降和产品组合优化将共同推动2026财年第二季度毛利率扩张。2026财年为53周财年，第四季度运营费用将反映额外一周的影响。潜在新关税可能带来的影响未纳入本次指引。

综合以上因素，对FY2026Q2第二季度的非公认会计原则指引如下：

营收与毛利率：营收预计将创纪录地达到187亿美元，上下浮动4亿美元；毛利率预计在68%左右，上下浮动100个基点。

运营支出：预计约为13.8亿美元，上下浮动2000万美元。

EPS：基于约11.5亿股的流通股数，EPS预计将创下8.42美元的纪录，上下浮动20美分。

资本支出：预计 2026 财年约为 200 亿美元，主要集中在财年下半年。

自由现金流：预计第二季度将进一步改善，且 2026 财年自由现金流将同比显著增长。

税率：预计约为15.5%。

当前指引未包含任何潜在新关税可能带来的影响。

结束语

AI驱动的需求已然到来且正加速增长，美光凭借在先进技术、产品组合、运营执行和财务状况等方面的综合优势，正处于公司历史上最有利的竞争地位，积极把握AI带来的广阔机遇。这一成就离不开全球团队的辛勤付出，公司正处于历史上最令人振奋的时期，未来发展将更加值得期待。

Q&A：

Q：关于客户长期协议，行业内D5与HBM捆绑销售的情况，部分还包含NAND闪存。能否介绍一下这些长期协议的具体情况？协议期限会延续到2026年、2027年还是2028年？

A：公司正在与多家核心客户洽谈这些多年期合同，合同内容涉及DRAM和NAND闪存。这些合同与以往的长期协议有很大不同，其中包含明确的承诺条款，合同结构也更为严谨。

Q：关于资本支出，公司将资本支出上调至200亿美元，但目前尚未给出2026全年营收指引，所以公司无法确定资本投入产出比。预估投入产出比在25%至30%之间，略低于通常参考的35%标准。这是否是因为工厂空间受限？这部分未释放的资本支出是否会延续到2027财年，届时投入产出比会接近35%的水平？

A：公司目前没有提供全年营收指引，2026财年资本支出的增加很大一部分用于DRAM业务，特别是HBM和1-Gamma节点的产能爬坡。

2025至2026年，我们计划将厂房建设相关的资本支出大致翻倍。2027财年资本支出还会继续增长，但公司将保持资本支出增长的纪律性，确保产能供应与需求相匹配。

关于资本投入产出比，在市场仍处于建设期的时候，投入产出比自然会下降，同时公司也在努力提高资本支出的使用效率。

Q：公司的资本支出的增长幅度非常保守，而且并没有大幅提前洁净室的建设进度。是否受限于洁净室空间？能否谈谈背后的考量？

A：过去几个季度公司一直在处理供应端的问题——我们一直在去库存，2026财年产能增长的主要来源将是节点转换。我们知道洁净室建设需要时间，而人工智能驱动的HBM需求激增进一步加剧了供应压力。

我们短期内没有解决方案，整个行业的供应预计都将无法满足需求。但公司正在迅速采取行动为客户提供供应：公司已提前订购设备，加快了爱达荷州工厂的建设进度，正在现有产能和短期扩产计划范围内全力以赴保障供应。公司已经给出了2026年的位元增长目标，而这一目标是受供应限制的。

公司当然会继续投资现有厂房的技术节点转换。1-Gamma节点将是2026年供应增长的主要驱动力。此外，公司不仅在技术转换上投资，还在新增绿地产能，还在日本现有的洁净室中提升了更强大的技术生产能力。所以，公司既保持纪律性，也在全力增加供应。我们对爱达荷一号、二号工厂以及纽约工厂的计划感到满意。短期内，我们也在重点提升现有厂房的生产效率和产出。

不过确实，在客户大规模建设数据中心的推动下，从数据中心到边缘设备的人工智能需求基本面非常强劲，而供应严重短缺。中期来看，公司只能满足部分核心客户50%至三分之二的需求。因此，公司始终专注于增加供应并进行必要的投资。

Q：关于毛利率，能否说明2026年全年DRAM和NAND的成本下降趋势如何？从HBM3E向HBM4转换的过程中，是否存在一些需要关注的因素？是否需要在建模中考虑由于产量等问题导致的短期成本上升？

A：公司在DRAM和NAND的成本控制方面表现非常好，不仅获得了规模效应，支出控制也很到位，产出也不错。当然，新工厂建设和网络扩张会产生一些启动成本，这些成本将从2026年下半年开始逐步体现，并延续到2027年。但以当前的业务规模来看，这对利润率的影响相对较小。

我们不会提供全年的成本指引，因为这取决于多种因素，包括产品组合。但公司将在2026年推进1-Gamma DRAM和G9 NAND的产能爬坡以增加供应，这些节点的爬坡进展顺利，将成为成本优化的推动力。

关于你提到的HBM3E和HBM4的问题，公司将从2026年第二季度开始量产HBM4，以配合客户的需求计划。公司的HBM4进展非常顺利，这款行业领先的产品性能高达11吉比特/秒。它的产出爬坡速度预计将快于HBM3E。2026年HBM3E和HBM4的产品组合将完全基于客户需求，这两款产品都将在2026年的营收中占据重要地位。

Q：关于ASIC XPU，明年如谷歌TPU、亚马逊AWS Trainium等的ASIC XPU的出货量预期大幅上调，而这些加速器仍将采用HBM3E。公司团队是否在订单中看到了这种短期的积极动态？公司如何在满足HBM4强劲需求的同时，应对HBM3E的额外增长需求？

A： 2026年公司将同时供应HBM3E和HBM4。公司与HBM生态系统中的多家客户都有合作，这些合作都将推动公司2026年HBM营收的同比强劲增长，其中既包括HBM3E也包括HBM4。

公司将根据客户需求灵活调整两款产品的组合。2026年HBM的供应将非常紧张，非HBM的DRAM供应也将持续紧张，市场供应环境正在收紧。我们今天上调了HBM的营收预期，预计到2028年HBM的总潜在市场将达到1000亿美元，比之前的预期提前了两年。所以HBM的发展势头非常好。随着客户架构和平台的演进，整个生态系统的客户对HBM的需求都在不断增加——内存对于实现人工智能功能和性能至关重要，所有行业的人工智能平台都需要更多的HBM。

Q：公司的企业级SSD业务在上一季度环比增长了约25%。考虑到需求增长趋势和交付周期延长，是否也在与企业级SSD客户签订长期供应协议？SSD需求是否更多与推理工作两的增加相关？推理工作量的存储是否高于训练工作负载？

A：企业级SSD是公司数据中心业务产品组合中重要的组成部分——虽然DRAM在数据中心业务中的占比持续提升，但数据中心SSD仍是公司整体营收组合的重要一环。

公司将继续通过强大的SSD产品路线图、客户合作和优质服务来扩大市场份额。公司正在与多家核心客户洽谈的多年期合同中，数据中心SSD也是其中的一部分。这些多年期合同不仅针对数据中心客户，还涵盖了公司多个细分市场的客户。

关于推理与训练工作负载对SSD需求的影响，在数据中心人工智能应用中，随着生成式人工智能向视频等领域扩展，对SSD的需求也在大幅增长。所以，人工智能从训练到推理的快速演进，以及人工智能模型和应用的快速发展，都在推动企业级SSD的增长，这当然离不开生成式人工智能的推动。

Q：从2025年的350亿美元市场规模开始，HBM市场的复合年增长率约为40%。从营收角度来看，目前HBM占DRAM业务的百分比是多少？另外，关于市场份额，明年有一家大型竞争对手计划在HBM3领域提升竞争力，公司如何看待明年的竞争格局？是否会因为未来几个月竞争对手的内存产品获得公开认证而调整战略决策？

A：公司在竞争中非常有利。公司的HBM4产品性能高达11吉比特/秒，是行业领先的。我们的规格也是业内最佳，同时我们的产品功耗表现也很出色。公司的HBM3E比行业内任何竞争对手的产品功耗低30%，现在公司仍在保持这种低功耗优势，这在数据中心应用中至关重要。所以公司在性能、功耗方面都保持领先，同时，HBM4的产品路线图也确保了公司的产能优势。

公司对自己的竞争地位、产品路线图以及2026年之后的长期路线图都非常有信心。公司为团队在过去几个季度成功提升HBM3E产能的执行力感到自豪。公司之前曾分享过，在2025年第三季度，HBM市场份额已与DRAM整体市场份额持平。

达到这一份额后，在当前供应紧张的环境下，公司将灵活调整HBM和非HBM产品的组合——两者需求都很旺盛，且盈利能力都很强。因此，公司将结合战略客户关系、整体盈利目标和增长目标，继续优化HBM与非HBM产品的组合。

当然，HBM业务正在快速增长，预计到2028年其总潜在市场将达到1000亿美元，比之前的预测提前了两年。公司的HBM业务也将随之增长，2026年将实现同比强劲增长。目前包括HBM在内的整个DRAM市场的供需缺口是公司有史以来最大的，我之前也对此进行了量化说明。在这种环境下，公司将与客户密切合作，继续优化产品组合。公司也在专注于持续增加供应，以更好地满足客户的需求。

Q：公司设立了80亿美元的营收运行率目标。由于11月和2月季度的总潜在市场上调，能否说明11月季度HBM的营收贡献和公司下一季度的预期？

A：公司不会提供这方面的具体细分数据。第一财季HBM营收创下历史新高，此外，2026年公司的HBM营收将实现强劲的同比增长。

再次强调，公司的产品定位非常有利，这有助于公司更好地管理整体业务组合。

Q：关于业务可持续性， 2月季度之后，比如到5月季度，毛利率走势是会继续提升还是保持当前水平？如何看待毛利率的长期趋势？

A：公司没有提供第二财季之后的毛利率指引，但给出了第二财季的创纪录毛利率指引—68%，环比提升11个百分点，比之前的历史最高水平高出7个百分点。此外，业务将在全年持续走强，因此毛利率有进一步提升的空间，DRAM和NAND的毛利率都将上升。但需要注意的是，在当前的高毛利率水平下，相同幅度的价格上涨对毛利率百分比的拉动作用会逐渐减弱。因此，预计第二财季之后毛利率仍将扩张，但增长速度会比过去两个季度更为平缓。

之所以认为业务将全年走强，是因为我们相信这种有利的市场环境将持续全年。同时，公司在成本控制方面也执行得非常好。公司正在将产能投向市场价值最高、最能满足客户需求的领域。

Q：预测2028年的复合年增长率为40%，总潜在市场将达到1000亿美元，如何看待在其中的HBM市场份额？能否假设在20%左右的区间，或者会更低？

A：公司不会披露具体的市场份额数据。正如我们所说，我们将管理HBM与非HBM产品的业务组合——这与公司产品组合中的其他产品一样，当整个产品组合的路线图都很强劲时，公司会综合考虑战略因素和客户关系来优化组合。因此，我们不会对此进行细分披露。我只能说，在当前我们认为可长期持续的行业基本面环境下，公司凭借强大的产品组合优势，以及包括HBM和非HBM在内的内存产品整体价值的提升，将继续专注于业务组合的优化，同时兼顾中期和长期目标。

Q：公司的长期客户合同预计何时能签署？目前的阻碍是什么？是否受阻于合同期限或规模？另外，考虑到人工智能公司需要占用大量产能，公司是否会让这些客户参与新工厂的建设？

A：公司不会披露与客户合同洽谈的具体细节，但我想强调几个重要因素。客户非常关注在未来环境中能否长期获得充足的内存供应，这使我们与多个细分市场的核心客户就供应以及其他与长期协议相关的重要承诺进行了建设性的交流。

虽然不透露具体细节，但我们正在讨论的合同结构是前所未有的。它们具有更强的合同约束力和明确的承诺条款，而且与一年期的合同不同，这些都是多年期合同。

在推进客户合同洽谈时，我们必须考虑整体供应能力。中期来看，公司只能满足部分核心客户50%至三分之二的需求。因此，我们必须在管理客户关系和实现战略目标的过程中综合考虑这些因素，但目前确实无法提供更多细节。

Q：由于需求强劲，公司2026年的产能已经售罄。公司的定价是固定的？还是会像DDR5根据需求进行一定程度的浮动？

A：公司现有的产品定位以及与客户的合作让我们很满意。2026年按销量计算的HBM产能已经售罄，我们已与客户完成了2026日历年的销量和定价谈判。HBM业务具有强劲的盈利能力，当然，我们也非常重视投资回报率；而非HBM业务的盈利能力也很健康。

Q：内存价格上涨到什么程度会影响电子产品的需求？排除数据中心和人工智能市场，公司是否看到了一些需求弹性？关于2026年的消费类和传统企业级产品，价格上涨是否会产生影响？这将如何影响明年的内存定价走势？

A：在部分消费类市场，半导体价格、内存价格的上涨可能会对出货量需求产生一定影响。例如，智能手机和PC领域的部分客户可能会调整产品组合，以适应可用的供应。但这些因素已经被纳入我们的预测中。出货量需求可能受到的影响、客户产品组合的潜在调整都在预测范围内。即便如此，我们仍然认为市场供应环境将非常紧张，供需缺口巨大。不过需要强调，从数据中心到边缘设备，比如智能手机、个人电脑等终端设备的人工智能体验，都离不开更多的内存支持。如果内存不足，这些边缘设备的人工智能体验、功能和性能都会受到影响。

所以核心结论是，从数据中心到边缘设备，人工智能正在全面推动内存容量需求的增长，客户在规划未来路线图时也越来越重视内存的重要性。这也是为什么客户愿意与我们合作，为其长期多年期计划保障供应。