根据美光科技近期披露的信息，公司在高带宽内存领域正按计划快速推进。在2026年5月的摩根大通投资会议上，美光全球运营执行副总裁马尼什·巴蒂亚表示，HBM4的产能优化工作进展顺利，产能爬坡速度比上一代HBM3快了一倍，良率提升也较为显著。

而更早之前，美光在2026财年第二季度（截至2026年3月）财报及电话会议中已明确，HBM4产品于2026年第一季度正式启动量产并出货，首批产品为36GB的12层堆叠版本，专为NVIDIA Rubin平台设计。同时，美光已向客户提供了16层堆叠（48GB）的HBM4早期样品，单颗容量较12层版本提升33%。

在性能表现上，美光已向客户交付的HBM4样品带宽超过2.8TB/s，数据速率突破11 Gbps，处于行业领先水平，能够有效支持客户平台的扩展需求。

面向下一代产品，美光预计HBM4E（即HBM4的增强版本）将于2027年开始量产。该产品将采用10纳米级第六代1γ DRAM技术节点制造核心芯片，并计划由台积电代工逻辑芯片，以提升性能和成本竞争力。

此外，美光还在探索定制化HBM4E选项，以满足不同客户的差异化需求。在市场需求方面，美光预计到2028年HBM总潜在市场将达到1000亿美元，复合年增长率约为40%。此外，美光2026年全年的HBM产能已与客户达成价格和数量协议并全部售罄，这反映出AI等领域对高带宽内存的强劲需求。

为应对这一需求，美光正在大幅扩张全球产能：除了在美国爱达荷州、纽约州建设新晶圆厂外，还收购了力积电苗栗铜锣P5晶圆厂，并在新加坡建设HBM先进封装设施，预计2027年投入使用。

资本支出方面，美光计划在2026财年投入超过250亿美元，2027财年还将进一步增加，主要用于HBM和DRAM产能扩张。总体来看，美光在HBM4领域已实现量产突破，同时通过技术升级和产能布局，力求在快速增长的HBM市场中保持领先地位。