大脑中枢，瞄准高动态AI负载

PN68XX典型特征：

• 多相可扩展电源

  ■灵活的相位数量与顺序分配:(16 0)到(8 8)

  ■双输出电压控制回路
  

• 支持多协议PMBus/I2C和AVSBus、SVI2、SVI3、SVID、PVID

• 兼容多种类型的DrMOS

• 内部NVM可用于数据自由配置

• 支持引脚多功能配置

• 支持自动环路补偿

• 最少外部元件

• 支持可编程非线性控制以减小过冲

• 支持灵活的双轨相数配置

• 支持自动相数调节提升总体效率

• 支持多相自动均流

• 支持多相动态与静态均温

• 支持可编程负载线调节

• 支持异常记录，错误情况保存在NVM中

• 支持输入和输出电压、电流、功率和温度检测

• 支持UVLO、OVP、UVP、OCP、UCP、OTP、RVP等保护，保护动作可选择正常工作、锁存、重试、打嗝四种模式

• 支持读写保护功能提高安全性

• LV1-IO 软映射定制

  ■  解除束缚：灵活 I/O 允许 DrMOS 不再迁就控制器引脚顺序。

  ■  最优布局：DrMOS 可以放置在离CPU，最近、热分布最均匀的位置。

  ■  性能提升：最短的功率回路大幅降低了PDN阻抗和寄生电感，从而提升了瞬态响应并减小了电压跌落 (Vdroop)。

• LV2-全 IO 与功能定制

  客户自定义所有 IO 引脚位置，以及专属功能扩展，根据客户主板的最优走线需求,建立Flexible芯片料号体系

• LV3-客制命令集定制

  基于第三代带核架构 的终极定制服务，将极大压缩定制服务的交付时间，更完备的定制扩展服务，支持用户植入私有命令集，甚至集成稀有/私有通信协议

• 快：COT 架构天然具备 nS 级瞬态响应，无需复杂环路补偿，可快速跟随大电流负载跃迁

• 强：TLVR   非线性控制有效降低等效电感、加速瞬态调节，突破传统方案带宽瓶颈，提升高 di/dt 场景供电能力

• 稳：高精度 DPLL 以 pS 级动态微调 Ton，锁定 PWM 频率与相位，显著抑制传统 COT 的频率抖动、并相纹波与负载偏移，同时将 Vo 输出精度控制在 5mV 以内

• 破解传统局限

  传统控制只追求 Current Balance，忽视 PCB 布局与散热差异，易导致局部相位过热失效

• 温度闭环调节

  基于 SPS Sensor 实时监测各相温度，动态调整电流分配权重，实现热平衡控制

• 提升系统可靠性

  即使电流不再绝对均衡，也能有效抑制热点，避免弱相位率先失效，延长系统寿命

PN7865 典型特征：

• 稳态电流输出能力达到90A

• VIN电压输入范围: 5V ~ 16V

• 支持5V以及3.3VPWM匹配应用，支持三态指令

• 下管Rdson=0.75mΩ/上管Rdson=2mΩ

• 高精度电流检测以及电流信号输出（5uA/A）

• 高精度温度检测以及温度信号输出（8mV/°C）

• 最高支持2MHz开关频率

• 全方位的智能保护

• 过温保护(OTP)

• 过流保护(OCP)

• 上管以及SW点短路保护

• VCC/VDRV欠压锁死(UVLO)

• 封装：QFN-39 (5x6)

PN7865 核心优势：

• 低内阻低反向恢复功率MOSFET

• MCM封装: 良好的散热性能

• 电流镜 SenseFET: Imon精度≤3%

PN7885 典型特征：

• MCM封装，集成功率MOSFET以及控制器

• 集成0.76mΩ SGT MOSFET

• MOSFET工艺优化，超宽SOA

• 超过60A的DC电流能力

• 5V~18V输入

• 智能限流保护/过温保护

• 支持并联

• PN7885A1(Latch),PN7885A2 (Hiccup)

• 封装：TLGA-32 (5x5)

PN7885 核心优势：

• 1%电流汇报精度

• 超宽SOA低内阻 FET

• 低热阻MCM封装

PN6850 典型特征：

• 40A最大输出电流

• 集成自主研发SBR的SGT FET，高可靠性，高效率

• 下管Rdson=0.8mΩ/上管Rdson=2.3mΩ

• COT架构，拥有快速的动态反应速度

• 支持DCM，实现全负载下效率最优解

• 支持过流保护，过温保护

• 支持Pre-Bias启动

• 封装：QFN-36 (6x5)

PN6850 核心优势：

• 低内阻低反向恢复的功率MOSFET

• MCM封装：绝佳的散热性能