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股市情报:上述文章报告出品方/作者:长光华芯;仅供参考,投资者应独立决策并承担投资风险。

长光华芯携全系列光解决方案亮相武汉光博会!

时间:2026-05-20 11:32
上述文章报告出品方/作者:长光华芯;仅供参考,投资者应独立决策并承担投资风险。


5月18日至20日,以“光联万物,智引未来”为主题的第二十一届武汉光博会隆重举办,长光华芯作为领先的IDM半导体激光芯片制造商,携全系列产品精彩亮相A2馆2A01展位,全面展示在光通信、激光雷达与3D传感、激光制造等领域的创新成果。






技术交流

长光华芯模块事业部副总经理俞浩博士在十大光学产业技术创新论坛激光专题上,发表了题为《千瓦级蓝光波段主动控制光谱合束技术》的主题报告,报告深入分享了长光华芯具有自主知识产权的主动波长控制光谱合束技术,以及基于该技术研发的高亮度、高功率千瓦级蓝光激光器产品,这一技术突破为高反金属材料(如铜、金)的高效加工提供了全新解决方案。



亮点产品:多业务版块全面发力


当前,人工智能(AI)的爆发、车载激光雷达技术的量产落地、新能源电池产业的快速发展以及消费级市场的持续扩张,正深刻改变着各行各业。长光华芯的产品布局与这些产业变革高度契合,本次展会全面展出了面向这些产业方向的核心解决方案。






激光通信:全系列芯片赋能AI算力网络


作为国内高端激光芯片的领军企业,长光华芯携覆盖EML、VCSEL、DFB、PIN PD的全系列光通信芯片产品亮相,精准覆盖从短距离到长距离、从核心到边缘的多种应用场景,亮点产品包括:


  • 200G PAM4 EML:适配800G/1.6T硅光模块,是AI数据中心高速互联的核心器件。

  • 8通道100G EML:单芯片8×100G PAM4架构,直接用于800G FR8光模块,为AI算力所需的高速互联提供核心芯片级解决方案。

  • 100G PAM4 VCSEL:在带宽、RIN等关键特性方面表现优异,适用于400G/800G短距互联。

  • 200mW CW DFB:全温光功率大于200mW,80℃电光转换效率>20%,支持5℃-80℃宽温工作,专为800G/1.6T硅光外置光源及3.2T共封装光学(NPO/CPO)预研设计。

这些明星产品凭借领先的性能,在展会现场备受瞩目。




激光雷达与3D传感:全面赋能智能驾驶


针对车载激光雷达及3D传感应用,长光华芯展出了覆盖VCSEL和EEL的全系列产品。车载激光雷达技术在过去三年里实现了真正的量产落地和普及,长光华芯产品将全面赋能激光雷达在2026年的大规模放量。重点产品包括:


  • 1D 可寻址VCSEL阵列:采用8J-940nm外延平台,已量产实现单通道输出功率100W-200W和均匀的近场光斑;独特的器件设计还可实现接近平顶的圆形或矩形对称光斑,大幅降低雷达系统的光学设计和调校难度,使能高性价比全固态激光雷达。

  • 2D可寻址VCSEL阵列:已实现低漏电率、高均匀性、自动批量筛选和老化测试等量产阶段验证,单通道功率从40W提升到100W,支持MHz量级的高重频和-20℃到 125℃的超宽工作温区。




激光制造:深耕高功率半导体激光领域


作为长光华芯的传统优势业务板块,公司在高功率半导体激光器领域深耕多年,持续突破技术边界。基于成熟的IDM平台,长光华芯纵向延伸光纤耦合模块、阵列、直接半导体激光器等产品,并已历经十余年市场验证,产品稳定可靠。亮点产品包括:


  • 单管芯片:商用水平达65W,自研双结单管芯片室温连续功率超过132W,开启百瓦级单管芯片时代,处于行业领先水平。

  • 光纤耦合模块:作为光纤激光器和固体激光器的核心能量源,半导体激光器泵浦源的技术水平直接决定了激光加工产业的天花板,长光华芯通过核心器件自主化,光谱合束技术驱动高亮度突破,面向特定应用场景推出蓝光模块、激光除草模块等方式,不断以创新推动泵浦源技术演进。

  • 阵列:基于自研高效率、高脉冲功率工作的激光芯片,开发具有高功率、高封装密度、高可靠性、更优光束质量的阵列模块,赋能激光核聚变应用,已经参与到国内外激光核聚变相关项目。




展望未来




长光华芯坚持IDM模式,拥有覆盖芯片设计、MOCVD外延生长、FAB晶圆工艺、解理镀膜、封装测试到光纤耦合及直接半导体激光器的完整工艺平台和量产线,是全球少数具备此能力并实现高功率半导体激光芯片、激光雷达与3D传感芯片国产化的公司。


面向未来,长光华芯将继续以“一平台、一支点,横向扩展、纵向延伸”为发展战略,深耕光制造、光传感、光通信、光显示、光医疗等领域,用“中国激光芯”点亮AI与智造的未来。


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