存储“超级周期”！国产双雄：长鑫VS长江--解析（附相关标的）

长江存储、长鑫存储是国产存储芯片的双雄。

过去半年，全球存储芯片价格持续上涨。最近一个月，涨价消息越发密集。继闪迪NAND闪存合约报价暴涨50%之后，三星电子本月提高了某些内存芯片的价格，还有更多存储厂商在“蠢蠢欲动”。

在全球半导体存储产业涨价风暴与AI浪潮的双重推动下。长江存储和长鑫存储作为国产存储芯片的双核心引擎，分别在 NAND 闪存和 DRAM 领域实现了从追赶到并跑的跨越式发展。

长江存储以 1600 亿元估值成为半导体行业最高估值新晋独角兽，长鑫存储则以 1500 亿元估值冲击 A 股 "存储芯片第一股"。

今天我们来研究这两家公司。

下文从：① 长江/长鑫存储基础知识；②核心产品技术对比；③全球市场&竞争分析；④产业链和相关标的；⑤ 总结与展望，五个维度详细解析。

一、长江/长鑫存储基础知识

1、创始人&成立背景

（1）长江存储（YMTC）--专注3D NAND闪存

长江存储成立于2016年7月，总部位于武汉。在武汉新芯的基础上，由紫光集团联合GJ集成电路产业投资基金、湖北省科技投资集团等共同出资组建。法定代表人为陈南翔，公司是国企属性。

YMTC是一家专注于 3D NAND 闪存设计制造一体化的 IDM 集成电路企业。主要供应 3D NAND 闪存晶圆及颗粒、嵌入式存储芯片以及消费级、企业级固态硬盘等产品和解决方案。

核心技术领军者为霍宗亮，1975年10月出生，他是北大微电子博士，曾在韩国三星电子半导体研究中心担任高级工程师，2010年辞职回国后加入中科院微电子研究所，2016年受邀成为长江存储首席科学家，凭借海外积累的技术经验，2018年带领团队完成了我国首款32层三维闪存芯片开发， 解决了我国在三维闪存芯片领域的关键技术难题。历经十年攻关，实现了我国三维闪存芯片从64层追赶、128层并跑到232层领跑的跨越式发展。为我国存储器产业发展作出重要贡献，曾入选国家“万人计划”科技创新领军人才，目前是2025年中国工程院院士增选有效候选人。

长江存储其定位是：是国内唯一的3D NAND原厂，专注非易失性存储领域。持续迭代3D NAND堆叠层数与自主创新Xtacking架构；是国内存储芯片产业的基石企业，不断提升全球NAND市场份额和国产替代。

（2）长鑫存储（CXMT）--专注DRAM内存

长鑫存储( ChangXin Memory Technologies),2016年6月成立于安徽合肥。是一家一体化存储器制造公司，专注于动态随机存取存储芯片(DRAM)的设计、研发、生产和销售,广泛应用于移动终端、电脑、服务器、XR和AIOT等领域。

CXMT由朱一明主导创立，1989年，17岁的朱一明从盐城考进清华大学物理系，硕士毕业后，朱一明选择赴美留学，来到美国纽约州立大学石溪分校，拿下物理学和电子工程系双硕士学位。之后，朱一明便留在美国硅谷打拼。2005年辞去高薪回国创业，在清华园成立了兆易创新。

2016年，朱一明带领兆易创新上市，彼时的兆易创新是中国最大，全球第二的 NOR Flash厂商。而朱一明也因此在存储芯片领域有着深厚的技术积累和丰富的行业管理经验。

2016年，朱一明此前推动兆易创新并购北京矽成半导体进军DRAM领域失败，便决心二次创业；而此时合肥市政府正想通过布局半导体产业推动本地家电等产业升级，双方一拍即合。共同成立长鑫科技。合肥市政府承担了一期大部分建设资金，企业则专注于DRAM芯片研发生产，以此打破三星、SK海力士、美光对全球DRAM市场的长期垄断。

CXMT的公司定位是：国内规模最大、技术最先进的DRAM内存芯片制造企业，也是国内唯一能大规模量产DRAM的企业，技术上推进制程向17nm及以下升级，完善DDR5、LPDDR5X等高端产品线,初期主打中低端市场，逐步向高端市场进军。

2、存储芯片分类

从大类上看，存储器是半导体赛道第二大子行业，仅次于逻辑芯片，占比超过1/4。

当前，存储芯片市场，DRAM与NAND是两大核心品类，两者份额合计超98%，其他类型存储芯片（如NOR Flash、SRAM）占比不足2%。

按断电后数据是否能保持，存储芯片可分为易失性存储（RAM）和非易失性存储（ROM）。

（1）RAM：易失性存储芯片--SRAM、DRAM

RAM，全称Random-Access Memory，即易失性存储芯片。易失性存储器断电后数据丢失，适合临时存储，如运行中的程序。主要类型包括：SRAM和DRAM

1） SRAM（静态随机存取存储器）：Static Random Access Memory无需刷新，只要保持通电，电路状态就能一直保持。优点是速度比DRAM快，功耗低、但结构复杂、成本高；常用于CPU内部的高速缓存（Cache）高速缓存，弥补CPU和DRAM两者之间速度鸿沟。

2） DRAM（动态随机存取存储器）：DDR、LPDDR、GDDR、HBM等

Dynamic Random Access Memory，其原理是一个存储单元利用1个晶体管和1个电容来存储芯片，需周期性刷新，所以它是“动态”的。其优点是容量大、价格低，是计算机主存、手机内存和服务器中RAM的绝对主力。目前约占市场的56%。

DRAM的读写速度比SRAM慢，数据寿命较短，但集成度高、成本低、功耗相对较低。DRAM根据应用设备的性质，可分为DDR、LPDDR、GDDR、HBM等。

①DDR，全称Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory，即双倍数据速率同步动态随机存取存储器。其中，Double Data Rate（双倍数据速率）：这是DDR技术的核心。它表示DDR内存能够在系统时钟脉冲的上升沿（从低到高）和下降沿（从高到低）各传输一次数据。

目前DDR是计算机主内存的主流技术。是在SDRAM基础上发展而来，并且速度能效不断发展迭代，如DDR2、DDR3、DDR4、DDR5（最新主流）。

② LPDDR：是Low Power DDR，主要应用于移动端电子产品；
③ GDDR：是Graphics DDR，主要应用于图像处理领域；
④ HBM：属于DRAM的一种，是多个DRAM垂直堆叠，形成高带宽、低功耗的内存。

（2）ROM：非易失性存储器 --（ Flash、Mask ROM、PROM）

ROM英文全称：Read-Only Memory，即只读存储器。ROM存储着系统最底层的、不可或缺的“基因”信息。它的发展史，就是一部从“真只读”到“可多次擦写”的进化史。

1）PROM是只能一次编辑，一旦编程完成，内容变为只读；

2） EPROM是可多次编辑；

3）EEPROM是可电擦除并多次编程，是革命的进步；

4） Flash（闪存）：分为 NAND FLASH、NOR FLASH，主要是其插入和写入速度非常快，类似于光闪速度，而且断电后数据不消失，可看作是EEPROM的“近亲”，成为了当今非易失性存储的绝对主流。

其中NAND Flash是主流（约占40%市场），写入速度远超NOR Flash（只占2%市场），容量大密度极高，达到GB-TB级，成本低廉。适用于大容量存储，如SSD固态硬盘、eMMC嵌入式存储、SD卡等需高密度、低成本和高速写入场景。

二、核心产品技术对比

1、长江--晶栈Xtacking架构的3D NAND

早期，NAND闪存主要以2D平面形式存在，而3D NAND主要通过在垂直堆栈中将多组存储单元进行相互层叠，以实现存储容量增加的目的，堆叠层数越高则意味着容量就越高，当前3D NAND堆叠层数已突破300层。

主流的3D NAND架构大抵有以上这五种：三星的V-NAND、铠侠/西部数据/的批处理技术BiCS、CuA（COP）、SK海力士的4D PUC和我国长江的Xtacking。

而晶栈^®Xtacking^® 是长江存储核心技术品牌，始于2018年，代表着长江存储在3D NAND存储技术领域的创新进取和卓越贡献，将晶圆键合这一关键技术在3D NAND闪存上得以实现。

根据最新进展，长江存储已成功量产 267 层和 294 层 3D NAND 芯片，其中 294 层产品被 TechInsights 认定为当前商业产品中的最高层数。在技术路线规划方面，长江存储已启动300 层以上技术布局。

技术优势：

首先，通过 "阵列 - 逻辑分离" 设计，把存储阵列和外围电路分开来做，分别在两个独立晶圆上加工，虽然NAND闪存不适合用更先进的制程来加工，但是外围的电路却可以。两部分选用合适的工艺节点完成后，完成的内存阵列晶圆通过数十亿个垂直互连通道(VIAs)连接到外围晶圆，合二为一成为一个整体。拥有与同一片晶圆上加工无异的优质可靠性表现

如下图所示，将外围电路位于内存之上，然后通过铜混合键合技术堆叠并连接它们，可实现更高的位密度。但是这种粘合技术仍然很昂贵。

其次，更高存储密度：在传统3DNAND架构中，外围电路约占芯片面积20~30%， Xtacking 技术创新的将外围电路置于存储单元之上，从而实现比传统3D NAND更高的存储密度，芯片面积可减少约25%。

再者，更灵活模块化设计：存储单元和外围电路的独立加工，这种模块化的设计和工艺制造，使开发时间可缩短三个月，生产周期可缩短20%，这项技术为未来3D NAND带来更多的技术优势和无限的发展可能。随着层数的不断增高，基于Xtacking 所研发制造的3D NAND闪存将更具成本和创新优势。

2、长鑫：DRAM 技术的快速追赶

长鑫存储在 DRAM 技术领域实现了从无到有、从弱到强的快速发展，目前已成为全球第四大 DRAM 供应商。公司17nm DDR4产品良率持续提升，在成本上已具备显著的国际竞争力。

在技术路线规划上，长鑫存储构建了 "19nm→17nm→15nm" 的工艺迭代路径，其中 15nm 制程技术预计在 2025 年内完成开发，2026 年下半年实现商业化量产。值得注意的是，公司在 DDR5 产品上直接采用了更先进的 G5 16 纳米制程技术，而非原先计划的 17 纳米制程，体现了技术追赶的决心。

HBM 技术布局成为长鑫存储的重要战略方向。公司基于自主 G4 制程（16nm）已向国内大厂等客户交付 HBM3 样品，计划 2026 年实现全面量产，目标月产能 5 万片，技术代差已缩小至与 SK 海力士相差 3 年。同时，公司设定了 2027 年开发 HBM3E 技术的目标，显示出在高端存储领域的雄心。

长鑫的--DDR5和LPDDR5

长鑫存储的核心产品可以分为DDR和LPDDR内存芯片。

（1）DDR4、DDR5简介

DDR有DDR4和DDR5，分别代表第四代、第五代DDR技术。DDR4内存芯片是8Gb，用于电脑、游戏主机等消费电子、工控、网络通信、IoT终端、物联网的边缘计算，。2019年量产国内首颗8Gb DDR4芯片，打破海外垄断，2025年全球DDR4市场份额约5%，主要面向中低端市场。

DDR5内存芯片是16nm，16Gb，2020发布，应用场景是数据中心（AI服务器、云计算平台）、高端手机、8K电视。2024年Q4完成16Gb DDR5研发，2025年Q1进入小规模量产，目标2025年底市占率7%。

（2）LPDDR5简介

LPDDR5（Low Power Double Data Rate 5）是一种专门为移动设备和功耗敏感型设备（如智能手机、平板电脑、轻薄本）设计的内存标准。

其核心特性是Low Pow “低功耗”。它通过使用更低的工作电压（例如 1.05V 核心电压和 0.5V I/O 电压）和更先进的电源管理功能，来实现极高的能效，从而最大限度地延长设备的电池续航时间。

长鑫存储 LPDDR5X在容量、速率、功耗上都有显著提升，目前提供12Gb和16Gb两种单颗粒容量，最高速率达到10667Mbps ，达到国际主流水平，较上一代LPDDR5提升了66%，同时可以兼容LPDDR5，功耗则比LPDDR5降低了30%。长鑫存储LPDDR5X 首创uPoP®小型封装，满足移动旗舰手机更轻更薄的需求。

特性	LPDDR5	DDR5
设计目标	低功耗、延长电池续航、小体积	高性能、高带宽、高容量
功耗与电压	极低。工作电压更低且通常是动态可变的（例如 1.05V / 0.5V）	较低（相比 DDR4）。标称电压通常为 1.1V
通道架构	通常为 16 位或 32 位通道，但可配置多通道以实现高带宽	单个内存条 (DIMM) 包含两个 32 位的独立通道（共 64 位）
性能	速率很高（如 5500 MT/s, 6400 MT/s 或更高），但可能为换取低功耗而在延迟（Latency）上有所妥协	起始速率较高（如 4800 MT/s），可超频至极高频率，通常在同等频率下具有更低的延迟和更强的综合性能
应用场景	移动设备：手机、平板和笔记本电脑、车载系统、AR/VR眼镜	3C、工控、物联网：台式机、服务器、高性能游戏本

3、产品技术对比

技术维度	长江存储	长鑫存储
核心技术	Xtacking 4.0 架构，294 层 3D NAND 量产	17nm DRAM，LPDDR5X 10667Mbps 量产
核心产品	基于 Xtacking 架构的3D NAND芯片	DDR4, LPDDR4, DDR5, LPDDR5, 攻关HBM3等高带宽内存
产品优势	I/O 速度 2400MT/s，芯片面积缩减 25%	成本比韩国厂商低 15%-20%
专利布局	全球专利申请超 2.6 万件，国际专利 4300 余项	累计专利超 12000 项，发明专利占比超 80%
技术路线	300 层以上 NAND，进军 DRAM 和 HBM	15nm 制程，HBM3 量产准备
市场地位	全球NAND市场有力竞争者，2025年Q1市占率约8.1%	球第四大DRAM厂商，2025年Q1市占率约4.1%
应用场景	SSD固态硬盘、U盘、eMMC	内存条、服务器内存，DDR

三、全球市场&竞争分析

1、全球市场份额

在全球存储芯片市场中，长江存储和长鑫存储正快速提升市场份额，逐步打破国际巨头的垄断格局。

NAND 市场格局：

根据CFM闪存市场数据，2024年NAND Flash全球市场规模则同比 75%至696亿美元。

根据 TrendForce 数据，2025 年第二季度全球 NAND 市场呈现以下格局：三星以 32.9% 的份额稳居榜首，SK 集团市占率从第一季度的 16.6% 跃升至 21.1% 创历史新高，铠侠占 14%，美光跌至 13.3% 排第四，而长江存储份额已提升至 9%-12.8%，稳居全球前五行列。

长江存储的目标是 2025 年底将全球份额提升至 10%，2026 年达到 15%。

DRAM 市场格局：

2024年全球DRAM市场规模达973.7亿美元，同比 91%。

DRAM的市场格局的变化更为剧烈，SK 海力士在 2025 年第一季度以 36% 的份额首次超越三星（34%）成为全球第一。第二季度 SK 海力士继续保持领先，市场份额达 38.2%，三星降至 33.5%，美光占 22%，三巨头合计占据全球 DRAM 市场 92%-95% 的份额。

长鑫存储作为中国 DRAM 龙头，2025 年第一季度市场份额达 6%，预计年底提升至 8%-10%，2026 年冲刺 15%。

2、国产替代进程分析

中国存储芯片的国产替代进程正在加速推进，国产化率从 2020 年的 2.1% 提升至 2025 年的 8.3%-35%，预计 2025 年底将达到 30% 以上。这一进程的加速主要得益于以下因素：

（1）价格优势--成为国产替代的重要驱动力。国产存储芯片价格比进口产品低 15%-20%，在当前存储芯片价格大幅上涨的背景下，这一优势更加明显。例如，长鑫存储的 LPDDR5X 产品价格比进口产品低 15%-20%，若一部手机存储模块成本为 500 元，采用国产芯片可直接节省 75-100 元。

（2）供需失衡--为国产替代提供了市场窗口。2025 年全球存储市场规模预计突破 1932 亿美元，AI 服务器对存储需求是传统服务器的 8-10 倍，供需缺口扩大至 25%-30%。国际巨头如三星、SK 海力士将产能优先转向高利润的 HBM 生产，为国产厂商在传统 DRAM 和 NAND 市场提供了发展空间。

（3）政策支持--为国产替代提供了有力保障。GJ大基金三期明确将存储芯片作为重点投向，2025 年已完成对 3 家存储企业的投资，合计金额超过 200 亿元。工信部将存储芯片写入 "2025 国产化率 30%" 的 KPI，为产业发展提供了明确目标。

四、产业链&相关标的

长江与长鑫存储的产业链上游：半导体材料与设备；中游：存储芯片制造和封装；下游为应用和模组。

下图是存储芯片产业链：

下面梳理产业链对应相关标的

1、上游的设备和材料：

共同供应商：

（1）设备：

① 北方华创：刻蚀机、沉积设备，长鑫市占率50% ，长江验证通过）；② 中微公司：刻蚀设备，长江供应链占比40% ；

③ 拓荆科技：CVD沉积设备龙头，长江份额55%；

④ 华海清科：CMP化学机械抛光，长鑫市占率60%。

（2）材料：

①雅克科技：收购韩国UP Chemical，成为全球前五的半导体前驱体供应商，全球市占15% ；

② 安集科技：CMP抛光液绝对龙头；

③ 彤程新材：收购北京科华，成为半导体光刻胶龙头；

④ 华特气体：光刻气体，唯一同时通过ASML和GIGAPHOTON认证；

⑤ 沪硅产业：核心业务覆盖300mm、200mm及以下尺寸的半导体抛光片、外延片、SOI硅片等产品。

长鑫特有：

①广钢气体：特种气体，15年供气协议；

② 京仪装备：国内唯一一家实现半导体专用温控设备大规模装机应用的设备制造温控、废气处理；

③ 京仪装备：温控系统、废气处理设备，定制化配套16nm DRAM工艺；

④ 至纯科技：清洗设备，槽式单晶圆混合清洗方案，占比25% ；

⑤ 中科飞测：光学检测设备，内存颗粒缺陷检测，良率提升关键。

长江特有：：

① 南大光电：ArF光刻胶，国内首款高端光刻胶通过认证；

② 江丰电子：超高纯金属溅射靶材领域的全球龙头之一；

③ 盛美半导体：SAPS/TEBO清洗技术，解决高堆叠间隙清洗难题，占比30% ；

④ 芯源微：涂胶显影设备，294层NAND专用，已通过验证；

⑤ 万业企业：离子注入机，自主研发高能量机型，打破国外垄断。

2、中游: 存储芯片的制造与封测

中游制造环节：长江专注3D堆叠，目前主要是294层）；长鑫深耕平面工艺、高速内存测试如16nm DRAM和HBM。

共同供应商：

① 深科技：国内最大的独立DRAM内存芯片封测企业，具备DDR5、LPDDR5等先进存储芯片封测能力，以及16层堆叠、POP、SIP等先进封装技术，技术与国际一流企业同步；

② 长电科技：全球第三、中国大陆第一的封测企业，先进封装技术全面；

③ 通富微电：集成电路封测领域的龙头。

长鑫特有：

① 太极实业：子公司海太半导体与SK海力士深度合作，专注于DRAM芯片封测业务，掌握先进封装技术，如16层晶粒堆叠技术（32层已突破），是全球存储芯片封测的重要参与者；

② 鑫丰科技：与长鑫一墙之隔，"零距离"供应链，营收99%来自长鑫。

长江特有：：

① 佰维存储：长江存储封测服务主力供应商，232层产品BGA封装良率99.2%；

② 华天科技：长江存储TSV和铜柱凸块工艺合作伙伴，高堆叠芯片专用。

3. 下游：应用与模组

长鑫下游企业
代表企业	客户类型	合作内容
① 兆易创新	主控芯片	持有长鑫0.95%股权，90% DRAM需求由长鑫代工，联合开发内存模组
②小米、③传音	终端品牌	传音 LPDDR5芯片供应，小米14系列采用，传音非洲市场份额提升
④浪潮、⑤曙光	服务器厂商	曙光 DDR5内存模组合作，国产服务器内存国产化
⑥江波龙	存储模组	DRAM封测和模组制造
长江下游企业
⑥ 江波龙	存储模组	颗粒采购占比从15%增至30%，联合开发企业级SSD
⑦ 澜起科技	主控芯片	DDR5接口芯片与长江NAND协同，提升系统性能
⑧华为、⑨ 苹果	终端品牌	华为Mate系列搭载长江存储232层NAND，苹果供应链认证中
⑩阿里云、腾讯云	云服务商	数据中心SSD采购，长江存储占比15%

五、总结与展望

长江存储和长鑫存储作为中国存储芯片产业的双核心引擎，在技术创新、市场拓展方面都取得了历史性突破。

长江存储通过 Xtacking 架构创新在3D NAND 领域实现了技术领先。长鑫则深耕DRAM赛道，从良率突破到LPDDR5X量产，跻身国际主流，市场份额稳步攀升至8%。两家公司合计估值有望突破 3000 亿元，未来，IPO在即更添资本羽翼。

然而，风险也依然相伴，首先是技术迭代的风险，3D NAND 堆叠层数突破 300 层后，晶圆应力控制和散热难题导致良率下降，目前三星第五代产品初期良率仅 68%，对长江存储来说是不小的挑战；而随着HBM3E、DDR6 等新一代技术预计 2026 年量产，可能对现有长鑫的产品形成替代。

另外，全球半导体产业供应链环境复杂多变，西方对128 层以上 NAND 芯片、18nm 以下 DRAM 及相关制造设备被列入禁运清单，对国内存储行业是不小的挑战。

再者，市场竞争的加剧，如SK 海力士 HBM 市占率超 60%，面对国际巨头的激烈竞争，两家公司需要不断提升自身技术实力和市场竞争力。

中国的自主可控之路从来不是一帆风顺。

好在 AI 驱动的存储超级周期和国产替代加速的双重机遇下，两家公司正迎来黄金发展期。预计到 2026 年，长江存储全球 NAND 市场份额将达到 15%，长鑫存储 DRAM 市场份额有望达到 15%，共同推动中国存储芯片国产化率突破 30%。

假以时日，我们期许这对“双子星”能继续双翼齐飞，用芯片书写记忆，在存储技术上实现从“并跑”到“领跑”的跨越，在全球市场中铸就卓越的东方品牌与繁荣生态！