本轮存储芯片价格飙升，背后推手之一是 AI 大模型浪潮下数据中心需求的激增。服务器厂商普遍愿意以更高价格采购存储芯片，同类产品对服务器厂商的报价通常比手机厂商高出 30% 以上。
供应端也在持续收紧。三星电子已于 10 月暂停 DDR5 DRAM 合约报价，预计恢复时间将延后至 11 月中旬，此举导致一周内 DDR5 现货价格飙升 25%。与此同时，三星、SK 海力士、铠侠、美光等四大存储原厂在下半年纷纷削减 NAND 闪存供应量，以推动价格回升。
具体来看，三星今年 NAND 晶圆产量目标从去年的 507 万片下调约 7% 至 472 万片；铠侠从 480 万片降至 469 万片；SK 海力士则从 201 万片降至约 180 万片，降幅约 10%；美光在新加坡的 Fab 7 工厂也维持保守产量，仅约 30 万片。
据知情人士透露，三星电子11月将部分内存芯片的价格上调高达60%，与9月的价格相比，涨幅高达60%。由于全球竞相建设人工智能（AI）数据中心，这些芯片目前供应短缺。
值得注意的是，随着 AI 需求推动产线转向四层单元（QLC）工艺，NAND 闪存整体产能进一步受限。北美多家科技企业已开始“恐慌性备货”，部分供应商明年的 NAND 供货量已被预订一空。
存储芯片作为手机中成本仅次于处理器的核心部件，其价格波动对终端售价影响显著。根据配置不同，存储成本通常占整机成本的 10%–30%，部分高配机型（如 12GB 512GB 版本）中占比可超过 20%。受 2025 年第三季度存储芯片价格大幅上涨影响，中高端手机普遍涨价 100–500 元。以 OPPO Find X9 系列为例，其 12GB 256GB 与 16GB 512GB 版本价差高达 900 元。
业内普遍认为，此轮内存涨价的严重程度远超预期，已成为直接冲击消费端的“价格风暴”。王自如在直播中发出预警，明年手机售价必然上涨，供应链成本压力将向消费者传导，表现为“大幅提价”或“配置缩水”，并建议“今年看中旗舰机型的用户应尽早入手”。
小米集团卢伟冰此前也指出，全球存储成本上涨幅度超出预期，且仍在持续，行业难以对抗这一趋势。爆料博主 @数码闲聊站 同样表示，内存涨价压力正快速向消费端转移，未来大存储手机的售价将“超出预期”。
此外，台积电已正式通知苹果等核心客户，自 2026 年起，5nm 以下先进制程芯片将涨价 8%–10%。芯片与内存成本同步攀升，将给旗舰机型带来“双重成本压力”。
创见董事长束崇万表示，当前内存缺货为“30 年最严重”，预计 11 月 NAND 价格将上涨 50%，DDR5 价格“顶多再涨一倍”。这场由 AI 巨头掀起的存储芯片争夺战，其成本最终或将由普通消费者承担。
半导体分销商Fusion Worldwide总裁Tobey Gonnerman表示：“许多大型服务器制造商和数据中心建设商现在都承认，他们无法获得足够的产品。他们支付的溢价非常高。”
据他透露，三星11月份32GB DDR5内存芯片模块的合同价格从9月份的149美元飙升至239美元。
DDR内存芯片广泛应用于服务器、计算机和其他设备中，通过临时存储数据并管理快速数据传输和检索来提升计算性能。
Tobey Gonnerman表示，三星还将16GB DDR5和128GB DDR5芯片的价格分别上调约50%，至135美元和1194美元。64GB DDR5和96GB DDR5的价格也上涨30%以上。
据业内高管和分析师称，芯片短缺问题非常严重，已经引发了一些客户的恐慌性抢购。
然而，对于三星来说，内存芯片短缺却是利好。三星在提供先进的AI芯片方面一直落后于竞争对手，而且直到最近，其利润增长也远不及竞争对手。
KB证券研究主管Jeff Kim表示，三星向AI芯片转型速度较慢，这意味着它在内存芯片领域比SK海力士和美光等竞争对手拥有更强的定价权。
TrendForce分析师Ellie Wang表示，三星可能会在10月至12月期间将季度代工价格提高40%~50%，高于整个行业30%的平均预期涨幅。
“他们非常有信心价格会上涨。主要原因是现在需求非常强劲，大家都在与供应商洽谈长期协议，”她说道，这些协议要么是到2026年，要么合并2026年和2027年。
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