据最新报道，全球存储巨头SK海力士正式启动超大规模投资，计划斥资19万亿韩元（约合900亿元人民币）建设全新先进封装工厂，项目已于2026年4月在韩国清州科技城工业园区破土动工。该工厂为SK海力士第七座半导体后端封装测试厂（P&T7），占地约23万平方米，预计2027年底全面竣工，专项服务高带宽内存（HBM）等AI核心存储产品。

此次投资直指全球AI算力爆发下的存储封装瓶颈。新工厂将搭载3D堆叠、扇出型封装等先进工艺，重点适配HBM3E、HBM4等高带宽内存的封装测试需求，与清州M15X前端晶圆厂形成 “制造   封装” 一体化协同，大幅提升AI存储芯片的交付效率与良率。SK海力士预计2025-2030年HBM需求复合年增长率达33%，该工厂将成为其巩固高端存储领先地位的关键产能支撑。

项目建设节奏明确，分阶段推进产能落地。工厂规划建设三层晶圆级封装（WLP）产线与七层晶圆测试（WT）产线，洁净室总面积达15万平方米；其中WT产线预计2027年 10月率先完工，WLP产线2028年2月投产，逐步释放HBM封装产能。这一布局将有效缓解当前全球 HBM 封装产能紧张局面，直接响应英伟达等AI芯片巨头的供应链需求。

SK海力士同步推进全球化封装布局，除清州P&T7外，美国印第安纳州先进封装厂已于4月启动打桩作业，预计2028年下半年投产。两大基地建成后，SK海力士将形成韩国利川、清州及美国三大先进封装中心，全面覆盖全球AI数据中心与算力基础设施的存储封装需求，进一步拉开与竞争对手的产能与技术差距。