LPDDR4与LPDDR4X预计今年内仍会继续生产，明年一季度后产线将完成切换。

 

据报道，三星电子已停止接收部分低功耗移动DRAM订单，涉及产品为LPDDR4与LPDDR4X。三星近期已接下该系列最后一批订单，仅会完成现有订单交付，之后将正式停产（EOL：产品生命周期终止）。考虑到最后一批订单的交付周期，LPDDR4与LPDDR4X预计今年内仍会继续生产，明年一季度后产线将完成切换。LPDDR属于低电压运行内存，广泛应用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑等设备。

LPDDR4、LPDDR4X已量产约8至10年，业内分析此次接单周期比预期更长，主要因客户需求旺盛。客户方已完成内存备货，但三星产线切换所需时间也随之延长。已备货的客户需调整长期规划，三星电子、高通等厂商仍有部分芯片搭载LPDDR4/4X，三星Exynos 1330处理器为典型代表，该芯片同时支持LPDDR4X与 LPDDR5。三星电子预计在LPDDR4X库存耗尽后改用LPDDR5，此举可能导致晚些上市的Galaxy A17出现性能差异。LPDDR5最高速率可达6.4Gbps，相较最高4.3Gbps 的LPDDR4X，性能提升约50%。

部分客户正赶在LPDDR4/4X停产前，加速新一代芯片研发。业内人士表示：“今年所需LPDDR内存已备货完成，新一代芯片将按支持更高规格内存的标准设计。”芯片设计公司Telechips已从今年起按客户需求调整芯片设计，因 LPDDR4/4X停产快于预期，转而开发支持LPDDR5/5X的产品，该公司主营ADAS高级驾驶辅助系统、车载信息娱乐（IVI）等车用半导体。

近期三星正推进DRAM、NAND Flash等存储芯片部分产品线的停产与产线切换，华城厂区12号产线为重点项目，停止 2D NAND Flash 生产，转为产能紧缺的1c DRAM后段封装厂。该产线月产能以12英寸晶圆为基准，约为8万～10万片规模。改造成功后，12号线将分担华城厂区内其他DRAM产线的产能，有望提升整体生产效率。

2D NAND曾部分用于U盘等低价存储设备，但随着向3D NAND转换完成，需求大幅下滑，主要NAND厂商均已完成3D转型。韩国国内减少的NAND产能预计将由中国西安工厂承接。三星电子正在推进将西安工厂3D NAND工艺升级至先进世代。

本次措施是三星电子扩大DRAM产能战略的一环。三星电子正在平泽与华城厂区同步扩大1c DRAM投资。平泽P4产线原本设计为可同时生产DRAM、NAND、代工的混合型晶圆厂，但近期已将投资重心转向DRAM。现有华城产线也在推进将旧世代DRAM工艺升级为1c工艺的投资，再加上本次12号线改造为后端制程。业界认为，待相关投资完成后，1c DRAM在三星电子整体DRAM产能中将占据相当高的比重。

此外，业内消息透露，特斯拉自研AI半导体预计将采用三星电子、SK海力士等韩国主流存储企业的最先进LPDDR产品。为升级自动驾驶与人形机器人技术，特斯拉一直自研AI芯片。目前基于2nm工艺的AI5已成功流片，AI6芯片在去年与三星电子签订规模达22.76万亿韩元的委托生产合同。根据特斯拉首次公开的AI6改进版本AI6.5的量产计划，AI6.5将基于台积电2nm工艺打造。至此，特斯拉采取双晶圆厂策略：AI5与AI6系列同时交由三星电子、台积电代工。外界分析，这是考虑未来芯片产能扩张而做出的决定。马斯克表示：AI6将使用三星电子位于美国得克萨斯州的2nm工厂，AI6.5则使用台积电亚利桑那州2nm工厂，性能将进一步提升。

特斯拉AI芯片量产扩大，对三星电子、SK海力士的存储业务同样利好。原因是AI5及AI6系列均搭载高端LPDDR产品。具体来看，SK海力士成为AI5所用LPDDR的主力供应商，预计从AI6开始，三星电子也将正式加入LPDDR供应体系。

一位半导体业内人士表示：“AI5初期由台积电代工量产，搭载的是SK海力士LPDDR5X。从AI6开始，三星电子有望以交钥匙模式同步供应代工及存储芯片。特斯拉AI芯片阵容扩大，将对两家企业的存储业务形成利好。”尤其AI6与AI6.5预计将搭载LPDDR6。LPDDR6为第八代LPDDR，标准于去年7月正式制定。其带宽达到10.6~14.4Gbps，较上一代 LPDDR5X（8.5~10.7Gbps）提升约1.5 倍。LPDDR6最快将于今年下半年正式商用。据悉，设计高性能计算（HPC）芯片的无晶圆厂企业，已在积极讨论同时搭载LPDDR5X与LPDDR6 IP的方案。