4月17日，长电科技宣布成功完成基于玻璃通孔（TGV）结构与光敏聚酰亚胺（PSPI）再布线（RDL）工艺的晶圆级射频集成无源器件（IPD）工艺验证，通过测试结构的试制与实测评估，公司验证了在玻璃基底上构建三维集成无源器件的可制造性与性能优势，为5G及面向6G的更宽带宽射频前端与系统级封装优化提供了新的工程化路径。

TGV IPD示意图

据介绍，长电科技基于TGV构建3D互连骨架，在玻璃基板上实现电感、电容等关键无源结构的集成，并将传统平面电感升级为3D结构，以降低高频损耗并提升器件品质因数（Q值）。在对比评估中，3D电感在Q值等关键指标上实现显著提升，在既定测试条件下较同等电感值的平面结构提升接近50%。同时，整体性能表现优于硅基IPD技术路线，为射频模组的小型化、高集成度与性能指标提升提供了可行的工程方向。

此次IPD性能突破离不开长电科技长期的研发投入，其中2025年研发投入20.86亿元，同比增长21.37%，主要集中在高性能计算、下一代系统级封装SiP、高可靠性汽车电子、功率能源等核心领域。

在先进封装领域，推动多芯片异构集成封装产品规模化量产并持续拓展客户群；光电合封 （CPO）产品实现客户样品交付，玻璃基板产品研发取得积极进展，已初步验证玻璃基板在大尺寸FCBGA的应用；同步前瞻布局面板级高密度封装技术（PLP）等。面向高集成度、薄型化与小型化趋势，完善高密度3DSiP与PoP封装解决方案，并开发适用于复杂系统集成的多层堆叠SiP封装技术。

汽车电子方面，依托汽车中试线平台，围绕工艺智能化与量产高效化展开系列创新，通过AI驱动的2D/3D自动光学检测与多维度物联网监控提升制造稳定性，借助自动模具更换、去焊剂流 程简化及自动补焊球项目增强量产柔性并优化成本；电驱模块持续完善产品系列并通过国际主流汽车零部件厂商认证。

功率能源领域，针对新一代数据中心电源供电架构的SIP封装模块及基于第三代半导体芯片技术的机器人、车载应用场景高效散热封测技术取得开拓性进展。面向800VHVDC电气架构，支持多家国际头部客户完成打样及终端认证，成功进入未来新架构供应链体系。在更高开 频率需求下，与客户合作完成了埋入式封装方案芯片前处理能力升级，成功为多家客户交付样品； 协同客户优化人形机器人GaNHEMT芯片散热方案。

2026年长电科技将加大先进封测方案研发投入，推动2.5D/3D封装、超大尺寸器件、高端面板级封装、玻璃基板及光电合封等前沿领域的技术突破与应用逐步落地，同步提升射频性能及小型化解决方案。

针对此次玻璃基TGV射频IPD实现性能突破，长电科技副总裁、技术服务事业部总经理吴伯平表示：“面向AI算力芯片的迭代跃迁与6G通信的前瞻布局，长电科技将加速推进玻璃基TGV与PSPI晶圆级IPD技术在射频系统级封装中的工程化落地。我们将深化与头部客户及产业链伙伴的协同创新，通过联合开发与验证，推动相关技术走向规模化量产，为下一代边缘计算和无线连接提供更高性能、更高集成度的系统级解决方案。