最近一段时间，有一个赛道的产品迎来了涨价潮，引来了众多投资者的关注，那就是存储芯片。

数据最能说明一切，据集邦咨询预计，今年第二季度NAND Flash（闪存存储器）价格将比第一季度上涨0%至5%，3D NAND Wafers（多层垂直堆叠闪存晶圆）价格将环比上涨10%至15%。其中，闪迪之前已率先宣布从4月1日起对旗下产品实施超过10%的涨价。

一般来说，产品价格的上涨意味着行业景气度的提升。去年全球存储市场规模已经突破了1600亿美元，创下了历史新高，而今年在AI服务器部署加快，以及消费电子增长等多重因素推动下，投资者们对这个领域更是充满了期待。

而在存储芯片这个领域，HBM（高带宽存储器）作为一种基于3D堆栈工艺的高性能半导体存储器，本质上可以把多块DRAM堆叠起来后与GPU芯片封装在一起，从而实现高带宽和高能效，被产业玩家视为存储领域的一次革命。

HBM结构示意图（来源：海力士）

那么，HBM目前产业供需关系如何？国内玩家能否在这个领域取得突破呢？笔者今天带你来一探究竟。

据笔者观察，HBM的发展阶段，正处于从1到10的拐点上。

仅从当前的HBM市场规模来看，其去年的市场规模大约有150亿美元，规模不大，但是在AI的驱动下，其最近几年的增速还是非常值得期待的。据中信建投证券测算，2026年HBM市场将增长到242亿美元，最近四年的年均复合增长率将突破80%。

存储市场结构（来源：Yole）

而HBM这个市场又是高度集中的，几乎被SK海力士、三星、美光三家企业垄断。而且三位玩家还在这个领域疯狂加码。比如SK海力士表示，公司2025年HBM产能已售罄，预计今年HBM产品将占公司存储芯片总销售额50%以上。

在技术迭代方面，SK海力士宣布推出面向AI的超高性能DRAM新产品12层HBM4，并在全球首次向主要客户提供其样品。要知道，HBM3还是去年市场主流产品，SK海力士市占率超过90%，而今年又推陈出新。可以说海力士在技术创新这个领域“卷”出了新高度。

无独有偶，三星电子正在进行HBM3E 8层和12层产品的资格认证测试，其计划在今年上半年供应12层产品。

其实，不光是SK海力士，其他玩家也通过布局HBM领域，获得了实在的业绩增长。就比如美光的HBM3E堆栈被应用于英伟达的GB200系统中。公司2025财年第二季度营业收入增长了38%，净利润则直接实现了翻倍。

根据分析师估算，美光在第二财季的HBM内存销售额为11.4亿美元，环比增长52%，同比增长19倍。

如果我们把HBM的产业链拆开，你会发现不同环节的玩家各司其职。

上游设备商主要提供生产HBM所需的原材料和设备，如硅晶圆、光刻机、刻蚀机等，而中游玩家负责将原材料加工成HBM芯片（一般包括晶圆制造、切割、封装等环节）。下游则是HBM芯片的主要应用领域。

HBM产业链（来源：智研咨询）

在上游领域，有部分国内玩家选择融入全球HBM产业链，成为上游供应链的一员，成员主要包括做材料、代销和封测的企业。比如雅克科技（002409）作为HBM芯片生产的关键材料供应商，提供半导体前驱体材。去年营业收入和净利润分别同比增长了41%和55%。

据笔者了解，以中游环节为例，HBM制造主要包括TSV（硅通孔）、micro bumping（微凸点制作）和堆叠键合三个环节，核心壁垒在于晶圆级先进封装工艺。

假如HBM毛利率为50%左右，去年HBM生产各环节合计市场空间突破了90亿美元，还是HBM产业链中最重要的环节。

在HBM生产制造这个环节，客观地讲，目前国内受制于DRAM和先进封装量产工艺，国内玩家尚无大规模HBM量产的产品，仍主要处于研发阶段。就以先进封装工艺为例，武汉新芯的三维集成工艺涉及了上述HBM生产的核心三大工艺，但目前国内没有HBM的量产经验。

在当前中美贸易摩擦不断升级的背景下，尽管HBM国产化率几乎为0，虽然美国对中国HBM芯片及制造设备的制裁还未正式出台，但是国内玩家仍然需要在这个领域进行大规模投入，防止哪一天真的被“卡脖子”。

而从当前的情况来看，虽然HBM行业门槛极高（要求企业能做出一流的DRAM，在此基数上再做3D堆叠），已经有一些玩家取得了一定的进展。

国内玩家目前也将攻克重点放在了HBM2上。比如通富微电（002156）近期已经开始试产HBM2，并提供给特定客户，也已经开始向一些客户提供HBM2内存测试包。除此之外，长鑫存储实现了HBM2内存的客户送样测试，预计今年年内可以实现小规模量产。

通富微电股价情况（来源：百度）

但是进入了HBM3阶段，国内玩家相较于国外龙头的差距还是不小的，需要更多的时间去实现自主突破。虽然长鑫存储计划在2026年量产HBM3，随后于2027年生产HBM3E，但具体能否实现，还需要时间去进一步检验。

但是梦想还是要有的，万一哪一天实现了呢？