根据外媒Techpowerup报道，近日光刻机龙头ASML表示，根据目前的订单信息和需求，预计2027年将交付10套High-NA EUV和56套EUV光刻机。 

其中，英特尔和三星最近都提高了光刻机的订单量，英特尔将High-NA EUV的订购数量从1套提高到2套，EUV的订购数量从3套提高到5套，三星也将EUV的订购数量从原本的5套提高到7套。

业界指出，随着芯片制程不断向2纳米以及2纳米以下迈进，EUV正逐渐逼近物理极限，而High-NA EUV技术成为突破这一瓶颈的关键工具。

高数值孔径 (High-NA)是EUV技术的进一步发展，它是衡量镜头聚焦光线能力的指标，数值越高，分辨率越高，则能够绘制更精细的电路图案，能大幅缩短制造时间，从而降低缺陷率并提高良率。

不过，能力越大价格也越高昂，ASML High-NA EUV每台设备高达3.8亿美元。由于成本高昂，各家晶圆代工厂商对采用High-NA EUV的规划并不相同。

英特尔计划在未来几年内利用该技术量产14A工艺。近期，英特尔首席财务官David Zinsner对外透露，下一代Intel 14A（1.4nm级）制程技术将是英特尔首个为代工客户量身设计的尖端制造工艺，该工艺将采用ASML最新的0.55NA High-NA EUV光刻机Twinscan EXE:5200B。由于使用了High-NA EUV光刻机，14A工艺的成本将高于18A。

台积电相对谨慎，该公司A16工艺仍将依赖Low-NA EUV技术。

三星方面，媒体报道今年3月三星安装了首台High-NA EUV设备，用于1.4纳米芯片的生产。

近期，俄罗斯计算机与数据科学博士Dmitrii Kuznetsov在社交平台公布俄罗斯最新的光刻机研发路线图。

路线图显示，俄罗斯计划最快在2026年完成65-40nm分辨率的光刻机的研发，2032年前完成28nm分辨率的光刻机的研发，在2036年底前完成可以生产10nm以下先进制程的全新极紫外线光（EUV）光刻机的研发。

业界指出，俄罗斯的光刻机研发技术路线与ASML完全不同，主要体现在混合固态激光器、基于氙等离子体的光源，以及由钌和铍（Ru/Be）制成的反射11.2纳米波长的镜片。

比如，ASML EUV光刻机采用激光轰击金属锡滴产生波长为13.5nm的EUV光源，通过反射镜收集并修正路线，最终达到晶圆表面的光刻胶。但是金属锡会产生碎屑，从而污染光掩模（也称光罩）。相比之下，俄罗斯光刻机则选择采用的是基于氙（xenon）气的激光器来产生波长为11.2nm的EUV光源，能将分辨率提升约20%，还可以简化设计并降低整个光学系统的成本。同时，该设计还可减少光学元件的污染，延长收集器和保护膜等关键零件的寿命。

上述设备预计可覆盖65nm至9nm的制程需求，适配2025-2027年主流关键工艺。每代设备均有望提升光学精度与扫描效率，且单位成本结构有望低于ASML的Twinscan NXE和EXE平台。不过，业界也指出，俄罗斯自研的EUV光刻机技术目前还面临较高的技术与成本挑战。

这些设备并非面向超大规模晶圆厂，而是旨在为小型代工厂提供高性价比解决方案。若能完全落地，该项目将以显著更低的资本与运营成本，实现先进芯片的本土制造与出口供应