2026年3月12日，第十四届全国人民代表大会第四次会议正式批准《中华人民共和国国民经济和社会发展第十五个五年（2026—2030年）规划纲要》（以下简称"十五五"规划）。

在这份覆盖2026至2030年国家发展全局的战略蓝图（“十五五”规划纲要（草案））中，“新产业新赛道培育发展”专栏明确提出要“加快宽禁带半导体产业提质升级，推动氧化镓、金刚石等超宽禁带半导体产业化发展”。这一国家级战略部署，为第四代半导体材料的发展注入了强劲动力。

作为国内领先的超宽禁带半导体材料企业，衢州发展参股企业富加镓业始终站在技术创新的前沿。氧化镓（β-Ga₂O₃）凭借其超大禁带宽度和极高的击穿场强成为下一代功率器件的重要候选材料，与"十五五"规划重点部署的新能源汽车、新型储能、智能电网、节能降碳等方向高度契合，将成为提升能源转换效率、降低系统损耗的关键技术基石。

目前，富加镓业在氧化镓单晶衬底及外延片制备方面已取得重大突破，不仅成功掌握了低成本、大尺寸的垂直布里奇曼法（VB法）晶体生长技术，更在持续推进外延片的技术攻关。未来，富加镓业将积极响应国家号召，深化产学研用协同创新，加速氧化镓材料在集成电路与新能源领域的规模化应用，助力我国在全球超宽禁带半导体赛道上实现领跑。