SK海力士连续第二年扩大其中国子公司的设备采购规模，展现了其“维持中国工厂”的决心。尽管普遍认为，由于美国对中国半导体行业的限制，工厂规模逐步缩减已不可避免，但此举被解读为SK海力士在允许范围内引进先进工艺设备，以最大限度地提高工厂效率的战略。其目的是通过工艺转型投资，提升中国工厂的资产价值和生产效率。

根据SK海力士3月19日发布的业务报告，其中国子公司去年采购的半导体设备金额为1888.4亿韩元，超过了设备销售额（1045.83亿韩元，约合7010万美元）。

2022年，SK海力士中国子公司继续扩大设备采购并推进工艺转型。当年，设备采购额达2942.32亿韩元，远超1106.8亿韩元的销售额。SK海力士在中国无锡运营一家DRAM工厂，在重庆运营一家封装工厂，在大连运营一家NAND工厂。

该公司采用的方法是将过时的设备运回韩国出售，并将韩国工厂的设备转移到中国。虽然2020年至2021年的销售额较高，但过去两年结构发生了变化，随着流程转型的全面展开，采购量已超过销售额。

由于美国制裁，韩国存储器公司目前被禁止将极紫外（EUV）光刻设备引入其位于中国的工厂。随着监管力度加大，尤其是在特朗普政府时期，甚至有传言称将取消韩国公司在中国工厂的“最终用户认证（VEU）”资格。目前，通过年度设备出口审批制度，允许少量进口此类设备。

由于面临EUV设备进口禁令，无锡DRAM工厂正在推进从1z工艺向1a工艺的过渡。过去两年，该工厂一直致力于提高工艺效率，将过时的设备运回韩国出售，并从其韩国工厂转移设备。无锡DRAM工厂的产量约占SK海力士DRAM总产量的40%。

由于EUV光刻工艺是生产1a DRAM的关键步骤，SK海力士选择在韩国完成EUV光刻工艺，其余工序则在无锡完成。通过这种方式，该公司正在将无锡工厂的工艺从现有的1z工艺过渡到1a工艺，据分析，这一过程中设备采购规模有所扩大。SK海力士表示，半导体设备的采购旨在提高生产效率。

一位业内人士解释说：“进行这一流程转型是为了确保盈利能力，以应对人工智能 (AI) 内存日益增长的需求。”他补充说：“这是在美国法规的限制下，最大限度地利用其中国工厂的一项战略。”