▍三星电子总罢工或于5月举行，停产风险加剧全球存储芯片供应紧张。

据韩联社3月18日报道，三星电子工会成员以93.1%的赞成率通过了集体斗争行动议案，工会计划于4月23日举行集会，并在5月21日至6月7日举行为期18天的全国总罢工。若罢工如期举行，或将影响三星在韩国平泽半导体园区的芯片生产线，冲击该园区DRAM、NAND闪存及HBM芯片的产能释放。而产线一旦停产，想要复产需要重新检测和启动生产链的过程亦十分耗费时间和人力资源。2026年以来，在AI的强劲需求推动下，存储芯片仍是供需偏紧的格局，价格不断上涨。根据Omdia数据，2025年Q4三星电子在全球DRAM市场份额36.6%，根据TrendForce数据，2025年Q4三星电子在全球NAND市场份额28%，三星电子可能的停产风险或将进一步加剧全球存储芯片市场的供应紧张。

▍国内存储大厂产能扩张和技术迭代加速，市占率有望持续提升。

我们认为存储的涨价和高景气度有望贯穿2026年全年，而三星电子可能的总罢工行动对国内存储大厂而言也是扩大市场、提升市占率的机会。从产能和量上看，根据Omdia数据，按出货量统计，长鑫科技已成为全球第四的DRAM厂商，按2025年Q2的DRAM销售额统计，长鑫科技全球市场份额已至3.97%。近年来国内存储大厂的产能建设与技术突破进展快速。国产3D NAND产品在2025年已实现232层闪存的量产并继续往更高堆叠层数迭代。国产DRAM产品已实现主流第四代、第五代DDR4、DDR5、LPDDR4X、LPDDR5/5X等的量产。我们认为国内存储大厂的产能扩张及技术迭代有望在“十五五”期间加速，全球市占率有望持续提升。 

▍看好半导体材料的需求增长，重视存储大厂核心供应厂商。

在存储产品全球紧缺、产品价格和盈利能力不断上行、国内厂商全球市场份额仍然较低、国内产业政策大力支持的背景下，我们看好存储大厂扩产带来的需求增量，材料及零部件端核心供应商的成长性及向上空间具有较强的确定性。此外，从技术层面看，未来存储器件的3D化将大幅提升晶圆制造工艺相关的半导体材料用量，薄膜沉积、CMP、刻蚀、电镀等均是受益环节，耗材的用量将在制程进步和技术迭代下获得额外的加成系数。我们看好国内存储大厂成为半导体耗材重要的需求驱动力，重视产业链核心供应商。

▍风险因素：

三星电子总罢工行动变动超预期；国内大厂扩产进度不及预期；行业需求萎缩；国产替代进程不及预期；海外对华半导体产业限制措施加码；企业新产品研发和放量不及预期。

▍投资策略：

三星电子或举行全国总罢工可能导致的停产风险或加剧全球存储芯片供应紧张，在存储市场高景气度下，我们看好国内存储大厂的市占率提升。“十五五”期间，国内存储大厂产能扩张和技术迭代有望加速，产业链核心材料与零部件供应商有望充分受益