事件：

美光于3月19日公布FY26Q2财报，营收238.6亿美元，同比 196%/环比 75%；毛利率 74.9%，同比 37pcts/环比 18.1pcts。

评论：

1、FY26Q2 收入与毛利率均超预期，DRAM 库存 DOI 仍处紧张水平。

FY26Q2 收入 238.6 亿美元，同比 196%/环比 75%，大超此前指引（183-191亿美元）；Non-GAAP 毛利率 74.9%，同比 37pcts/环比 18.1pcts，大超此前指引（67-69%），毛利率提升主要源于产品均价上涨，同时受益于产品结构优化与成本管控成效。运营利润率为 69.0%，同比 44pcts/环比 22pcts，FY26Q2期末库存 83 亿美元，环比增加 6200 万美元，库存周转天数 123 天，DRAM 库存周转天数仍处于紧张水平，低于 120 天。

2、DRAM与NAND ASP环比均大幅上涨，各部门营收同环比均上涨。

1）按产品划分：①DRAM收入188亿美元，同比 207%/环比 74%，位元出货量环比中个位数增长，ASP环比增长mid-60%；②NAND收入50亿美元，同比 169%/环比 82%，位元出货量环比低个位数增长，ASP环比增长high-70%。2）按业务划分：①云存储部门（CMBU）收入77.49亿美元，同比 163%/环比 47%，环比增长受益于产品价格上涨与产品结构优化；②核心数据部门（CDBU）收入56.87亿美元，同比 211%/环比 139%，环比增长受益于产品价格上涨与位元出货量增长；③移动与客户端部门（MCBU）收入77.11亿美元，同比 245%/环比 81%，主要由产品涨价驱动，部分被位元出货量下滑所抵消；④汽车与嵌入式部门（AEBU）收入27.08亿美元，同比 162%/环比 57%，主要由产品涨价驱动，部分被位元出货量下滑所抵消。

3、FY26Q3指引再创新高，上调FY26资本开支将超250亿美元。

1）FY26Q3指引：营收预计为335±7.5亿美元，中值同比 260%/环比 40%，毛利率预计为81%，同比 42.05pcts/环比 6.1pcts，毛利率提升将由价格上涨、成本下降、产品结构优化共同驱动。2）市场展望：①DRAM：预计2026年DRAM位元出货量将实现low-20%增长，略高于此前预期。洁净室产能受限、建设周期长、HBM占比提升，以及工艺迁移带来的单晶圆位元增量下滑，共同制约位元供应增长。②NAND：预计2026年NAND位元出货量增长约20%。部分厂商将洁净室空间转向DRAM，叠加整体洁净室空间有限，制约位元供应增长。3）资本开支：上调FY26全年资本开支将超250亿美元（此前为200亿美元），主要来自洁净室设施相关资本开支，其中最大投入为铜锣厂区，其次是美国晶圆厂项目建设支出增加。预计FY27资本开支将大幅上调，其中建筑相关资本开支同比将增加超100亿美元，设备支出预计也将同比增长。

4、公司成功签署首个五年SCA，HBM4已于26Q1顺利量产出货

1）SCA：公司持续与客户推进战略客户协议，该协议不同于以往的LTA，包含多年期明确承诺，以提升业务模式的可见性与稳定性，目前已成功签署首份五年期战略客户协议。2）数据中心产品：①数据中心TAM：AI需求推动数据中心DRAM与NAND的位元TAM将在2026年首次超过行业整体TAM的50%。②HBM4：在英伟达GTC大会上，美光已于26Q1开始批量出货HBM4 36GB 12H产品，该产品为英伟达Vera Rubin平台量身定制。另外HBM4E的研发进展顺利，预计2027年实现批量量产。③SOCAMM2：已送样业界首款256GB LP SOCAMM2产品，该产品基于1γ工艺打造，单CPU可支持高达2TB容量。④SSD：已基于G9 NAND批量生产PCIe Gen6高性能数据中心SSD。⑤英伟达Groq 3 LPX：在机架级架构中可搭载最高12TB DDR5。

附录：美光FY2026Q2业绩说明会纪要

时间：2026年3月19日

出席：

Mark Murphy–首席财务官

Sanjay Mehrotra–董事长、总裁兼CEO

Satya Kumar–公司副总裁、投资者关系与财务主管

会议纪要根据公开信息整理如下：

管理层介绍

美光科技2026财年第二季度业绩表现卓越，营收、毛利率、每股收益（EPS）及自由现金流均创下历史纪录。季度营收同比近乎翻三倍，动态随机存取存储器（DRAM）、闪存（NAND）、高带宽内存（HBM）及各业务部门营收均刷新历史高点。2026财年第三季度单季营收指引，已超过美光2024财年及之前所有财年的全年营收总额。预计第三季度，公司营收、毛利率、每股收益及自由现金流将再度刷新历史纪录。为彰显对业务持续强劲发展的信心，美光宣布公司董事会批准季度股息上调30%。

业绩与展望的大幅提升，得益于人工智能（AI）驱动的内存需求增长、结构性供应紧张，以及美光全维度的高效运营执行。美光的内存与存储解决方案，是这场AI革命的核心载体。内存让AI更智能、功能更强大，支持更长的上下文窗口、更深层次的推理链路以及多智能体协同调度。随着AI技术演进，公司预计计算架构将朝着内存密集型方向发展。因此美光坚信自身是AI浪潮最大的受益者与推动者之一。AI不仅拉动了内存需求，更从根本上重塑了内存的定位，使其成为AI时代具有决定性意义的战略资产。

美光持续与客户推进战略客户协议（SCA）的洽谈，该协议与以往长期协议（LTA）存在本质区别，包含多年期明确承诺条款，助力提升业务模式的可见性与稳定性。此类战略客户协议同时为客户提供业务规划的确定性，强化双方在全产品组合领域的长期合作关系。美光已签署首份五年期战略客户协议。

技术与运营

公司在行业领先的1γ（1-Gamma）DRAM与G9 NAND技术节点量产爬坡工作进展顺利。

DRAM技术：美光预计1γ节点将成为美光历史上出货量最高的DRAM节点。该节点良率爬坡速度已创下历史最快纪录，产能爬坡进度快于公司过往所有节点，按计划将于2026年年中占据DRAM位元出货量的主导地位。公司计划在1δ（1-Delta）DRAM节点进一步加大极紫外光（EUV）技术的应用，采用新一代EUV设备，助力在1δ及后续节点升级中，同步优化洁净室空间利用率与光刻工艺效率。

NAND技术：NAND领域，G9节点仍按计划推进，预计2026年年中占据位元出货量主导地位。本季度，四级单元（QLC）NAND位元出货占比创下历史新高。

展望未来，美光计划将博伊西、新加坡基地的研发与大规模制造业务协同布局，加速高端产品上市节奏。AI时代下，内存与存储产品在各细分市场迎来前所未有的发展机遇，美光计划在2027财年大幅增加研发投入。美光的技术领先优势、产品卓越品质及制造执行能力，获得了客户质量评分的高度认可。绝大多数客户将美光质量评级为行业第一。

终端市场表现

数据中心

受AI需求驱动，2026年数据中心DRAM与NAND位元总潜在市场（TAM）规模，将首次占据行业整体TAM的50%以上。传统服务器需求保持强劲，驱动力源于智能体AI催生的工作负载需求，以及大范围服务器更新换代需求；AI服务器需求持续旺盛，AI服务器与传统服务器需求均受限于DRAM、NAND供应不足。受AI服务器与传统服务器双重增长拉动，美光预计2026年服务器出货量将实现低十位数百分比增长，随着全新平台落地，预计2026年服务器单台DRAM容量将持续提升。在英伟达GTC大会上，美光宣布已于2026年第一季度实现HBM4 36GB 12H产品批量出货，该产品专为英伟达Vera Rubin平台设计，随着HBM4量产爬坡与批量出货推进，公司预计其良率成熟速度将快于HBM3E。美光已完成HBM4 16层堆叠产品送样，单颗HBM颗粒容量可达48GB，较HBM4 12H产品容量提升33%；下一代HBM产品HBM4E的研发工作稳步推进，预计2027年实现批量出货，该产品将依托美光量产验证、行业领先的1γ DRAM节点技术，实现性能跨越式升级，助力全行业新一代AI计算平台落地，此外HBM4E支持定制化方案，为美光带来更多差异化竞争优势，进一步深化与客户的研发合作。

美光是数据中心低功耗DRAM（LP DRAM）的技术先驱，该产品功耗仅为DDR DRAM服务器模组的三分之一，依托这一领先优势，公司已完成行业首款256GB LP SOCAMM2产品送样，该产品基于1γ节点打造，单CPU支持容量高达2TB，较一年前容量翻四倍。美光预计未来数年，低功耗DRAM在数据中心的应用将持续拓展，也将持续推出行业领先的创新产品，巩固市场地位。AI推理需求的快速增长，推动全新架构加速落地，此类架构针对特定工作负载的算力成本模型完成优化，美光覆盖HBM、低功耗DRAM、DDR DRAM及固态硬盘（SSD）的全产品组合，是支撑各类架构的核心组件，在近期GTC大会上，英伟达Groq 3 LPX平台发布，机架级架构支持最高12TB DDR5容量。受向量数据库、键值缓存卸载等AI应用场景拉动，以及SSD在大容量存储层级渗透率提升，数据中心NAND位元需求增速加快。凭借技术领先优势与垂直整合能力，美光数据中心SSD产品组合覆盖高性能至高容量全场景，目前基于G9 NAND的PCIe® Gen6高性能数据中心SSD已实现大规模量产，122TB大容量SSD产品获得广泛应用，每瓦顺序读取吞吐量是同容量硬盘（HDD）方案的16倍。

美光的战略布局与运营执行成效显著，2025年公司数据中心SSD市场份额连续第四个自然年提升，创下历史新高；2026财年第二季度，数据中心NAND营收环比翻倍，刷新历史纪录，预计下一季度将继续增长。美光数据中心SSD产品组合处于行业领先地位，已在客户群体中斩获大量设计中标订单，公司预计可预见的未来内，NAND需求将大幅超出美光的可供应能力。

PC与移动终端

2026年受DRAM、NAND供应紧张等多重因素影响，PC与智能手机出货量或出现低十位数百分比（low-double-digits percentage range）下滑；长期来看，美光预计端侧AI的价值将拉动PC与智能手机内存容量实现强劲增长。PC领域，OpenClaw等智能体AI应用迎来突破性创新，AI智能体可在主机端独立执行任务，同时触发云端工作负载，具备端侧智能体AI功能的PC，推荐内存配置不低于32GB，是普通PC平均内存容量的两倍；此外，个人AI工作站这一新兴品类快速崛起，例如英伟达DGX Spark、AMD锐龙AI Halo产品，标配128GB内存，完美适配端侧大语言模型运行需求。智能手机领域，三星Galaxy S26、谷歌Pixel 10等新款旗舰机型近期发布，均在移动操作系统中集成智能体AI功能，2025年第四季度，搭载12GB及以上DRAM的旗舰智能手机出货占比接近80%，较去年同期不足20%的水平大幅提升。

凭借行业领先的全产品布局，美光已做好充分准备，抢抓上述市场发展机遇。PC领域，美光已完成头部OEM厂商LPCAMM2产品认证，CES展会上公司推出行业首款基于G9 NAND的第五代QLC消费级SSD；美光LPDDR5X产品已导入主流个人AI工作站，进一步拓展目标市场，并已向核心客户实现大规模出货。智能手机领域，基于1γ节点的LPDDR6样品持续获得OEM厂商及生态合作伙伴的高度关注与认可，美光加快推进10.7Gbps 1γ LPDDR5X 16Gb产品的认证与量产工作，持续积累发展动能。

汽车、工业与嵌入式市场

汽车、工业及嵌入式市场产品价格持续改善，汽车与嵌入式业务部门（AEBU）总营收创下历史纪录，本季度汽车与工业业务营收合计突破20亿美元。汽车领域，原始设备制造商（OEM）正加速在全系车型中部署L2 级高级驾驶辅助系统（ADAS），当前普通车型仅具备L2级以下ADAS功能，DRAM容量约16GB，而L4级自动驾驶车型所需DRAM容量超300GB，随着更高级别ADAS与智能座舱应用规模化普及，美光预计汽车内存需求将迎来长期稳健增长。美光已完成行业首款车规级1γ LPDDR5 DRAM产品送样；NAND领域，公司率先推出基于G9节点的车规级UFS 4.1解决方案，进一步巩固在该市场的技术领先地位。

AI技术的快速迭代，大幅提升了机器人的性能与能力，美光认为机器人产业即将开启长达20年的增长周期，有望成为科技领域规模最大的产品品类之一。人形机器人将搭载AI技术，其计算平台性能可媲美高端L4级自动驾驶汽车，因此需要大容量内存与存储支持，这一极具潜力的新兴增长赛道，将进一步夯实行业长期向好的发展基调。凭借行业领先的技术、产品解决方案与运营能力，美光将与客户深度合作，充分把握这一发展机遇。

市场展望

美光预计2026年DRAM、NAND行业位元需求均将受供应限制，且DRAM、NAND供需紧张格局将持续至2026年之后。公司预计2026年DRAM行业位元出货量将实现低二十位数百分比增长，略高于此前预期，DRAM供应增长受限因素包括：洁净室产能不足、建设周期延长、HBM产能占用比例更高、HBM增速加快，以及技术节点迭代带来的单晶圆位元产出增速下滑。美光预计2026年NAND行业位元出货量增长约20%，NAND供应增长受限因素包括：部分行业供应商将洁净室空间转向DRAM产能、整体洁净室空间有限。美光DRAM、NAND供应增速，预计2026年与行业整体水平基本持平。

美光供应保障举措

美光正全力应对史无前例的供需缺口，过去一季度，公司在全球制造基地扩产方面达成多项重要里程碑。DRAM领域，本周美光宣布提前完成对力积电铜锣湾厂区的收购交易，预计该厂区现有产线将于2028财年开始实现规模化产品出货，除现有厂区外，公司计划于2026财年末前，在该基地启动同等规模的第二座洁净室建设。美光仍按计划，于2027年年中实现爱达荷州首座工厂首批晶圆产出，第二座工厂场地平整工作已启动；纽约基地首座工厂已举行奠基仪式，前期场地平整进度超预期；日本方面，广岛基地洁净室扩产前期准备工作进展顺利，为后续技术节点升级提供支撑。NAND领域，受需求展望上调、研发洁净室与制造产线协同布局决策推动，美光已在新加坡基地启动全新NAND工厂奠基仪式，预计2028年下半年实现首批晶圆产出。

封装测试领域，印度全新工厂已启动商业化出货，该工厂是全球单体面积最大的封装测试洁净室之一；新加坡HBM先进封装工厂按计划推进，预计2027年对美光HBM供应形成重要贡献。美光预计2026财年资本支出将超250亿美元，较上一季度业绩会预估水平上调，增幅主要源于洁净室设施相关资本支出，其中最大投入为铜锣湾厂区项目，其次为美国工厂项目建设支出增加；公司预计2027财年资本支出将大幅上调，重点投向HBM及DRAM相关领域。随着全球制造基地建设推进，2027财年建设相关资本支出同比增幅将超100亿美元，同时设备支出预计也将实现同比增长，开展上述投资的同时，美光将持续紧盯市场环境与客户需求，确保供应规划合理适配。

美光2026财年第二季度财务业绩与展望

美光2026财年第二季度财务业绩表现强劲，营收、毛利率及每股收益均超出指引上限，本季度公司实现创纪录的自由现金流，债务规模进一步缩减，季度末净现金头寸创下历史最高水平。

营收情况

2026财年第二季度总营收达239亿美元，环比增长75%，同比增长196%，连续第四个季度刷新营收纪录，102亿美元的环比增幅，为公司历史最高水平。DRAM业务方面，第二季度营收达188亿美元，创下历史纪录，同比增长207%，占总营收比重79%，环比增长74%；位元出货量实现中等个位数百分比增长，产品均价实现中六十位数百分比（mid-60s percentage range）增长，增长驱动力源于行业供应紧张，叠加产品结构优化红利。NAND业务方面，第二季度营收达50亿美元，创下历史纪录，同比增长169%，占总营收比重21%，环比增长82%；NAND位元出货量实现低个位数百分比增长，产品均价实现高七十位数百分比（high-70s percentage range）增长，增长驱动力源于NAND行业供应紧张，叠加产品结构优化红利。

毛利率情况

第二季度综合毛利率达75%，环比提升18个百分点，同比近乎翻倍，创下公司历史纪录，毛利率提升主要源于产品均价上涨，同时受益于产品结构优化与成本管控成效。

各业务部门财务表现

云存储业务部门（CMBU）：营收达77亿美元，创下历史纪录，占总营收比重32%，环比增长47%，增长驱动力为产品均价上涨与产品结构优化；该部门毛利率达74%，环比提升9个百分点，主要源于产品均价上涨与成本管控成效。

核心数据中心业务部门（CDBU）：营收达57亿美元，创下历史纪录，占总营收比重24%，环比增长139%，增长驱动力为产品均价上涨与位元出货量提升；该部门毛利率达74%，环比提升23个百分点，主要源于产品均价上涨与产品结构优化。

移动与客户端业务部门（MCBU）：营收达77亿美元，创下历史纪录，占总营收比重32%，环比增长81%，增长驱动力为产品均价上涨，部分被位元出货量下滑抵消；该部门毛利率达79%，环比提升25个百分点，主要源于产品均价上涨与产品结构优化。

汽车与嵌入式业务部门（AEBU）：营收达27亿美元，创下历史纪录，占总营收比重11%，环比增长57%，增长驱动力为产品均价上涨，部分被位元出货量下滑抵消；该部门毛利率达68%，环比提升23个百分点，主要源于产品均价上涨。

经营业绩

运营费用

第二季度运营费用为14亿美元，环比增加8700万美元，增幅主要源于研发费用提升。

运营利润

第二季度实现运营利润165亿美元，运营利润率69.0%，环比提升22个百分点，同比提升44个百分点。

税费

第二季度税费支出25亿美元，有效税率15.1%。

每股收益

第二季度非通用会计准则摊薄后每股收益（EPS）为12.20美元，环比增长155%，同比增长682%。

现金流与资本支出

第二季度经营现金流119亿美元，资本支出50亿美元，实现自由现金流69亿美元。该季度自由现金流创下公司季度纪录，较2026财年第一季度此前纪录高出77%。

库存情况

第二季度期末库存83亿美元，环比增加6200万美元，库存周转天数123天；DRAM库存周转天数仍处于紧张水平，低于120天。

现金与债务总额

季度末现金及投资总额达167亿美元，创下历史纪录；叠加未使用信贷额度，整体流动性超200亿美元。第二季度，根据美国芯片法案协议条款，公司回购3.5亿美元股票；同时偿还16亿美元债务，包括赎回2029年、2030年到期的优先票据。当前未偿还债务加权到期日为2034年8月，季度末债务总额101亿美元，净现金余额65亿美元。

股息政策

研发投入、资本支出及其他战略投资，支撑业务盈利性增长，仍是公司资本配置的首要目标。美光致力于维持稳健的资产负债表，过去三个季度累计削减债务超50亿美元，净现金头寸处于历史最佳水平。为彰显技术领先优势与现金流创造能力的可持续性，公司董事会批准季度股息上调30%至每股0.15美元。

FY26Q3业绩指引

预计2026财年第三季度营收达335亿美元，上下浮动7.5亿美元；毛利率约81.0%；运营费用约14亿美元。基于约11.5亿股的流通股数，预计摊薄后每股收益达19.15美元，上下浮动0.40美元，均将创下历史纪录。

预计产品均价上涨、成本下降及产品结构优化，将共同推动第三季度毛利率提升。

2026财年为53周财年，第四季度运营费用将反映额外一周的影响。为抢抓内存与存储领域前所未有的长期发展机遇，随着研发投入加码，预计2027财年运营费用将有所上调。预计第三季度及2026财年整体税率约15.1%。

美光持续秉持审慎原则，推进全球基地投资布局。为满足客户需求，美光目前预计2026财年资本支出超250亿美元。第三季度资本支出预计约70亿美元，同时经营现金流走强将带动自由现金流大幅提升。受洁净室产能需求影响，预计2026、2027财年建设支出增速将超过设备支出增速。

数十年的创新投入与运营积累，奠定了美光在内存与存储领域的技术领军地位，也让美光成为半导体行业中AI浪潮最大的受益者与推动者之一。作为美国唯一的先进内存产品制造商，美光具备独一无二的竞争优势，有望抢抓前所未有的发展机遇。

Q&A

Q：在HBM4产品占比提升的背景下，81%的毛利率是否具有可持续性？对8月季度及之后毛利率走势如何判断？

A：公司第三季度毛利率指引环比提升600个基点，表现非常强劲。目前尚未提供第四季度毛利率指引，但已经明确表示，2026年之后行业供需紧张格局仍将持续，这一趋势同样适用于第四季度。毛利率表现反映了人工智能驱动的多年投资周期带来的回报，而这一周期仍处于早期阶段，未来仍有大量红利尚未释放。人工智能对高性能内存的需求持续增长，同时供应端仍存在约束，这些因素将在2026年之后继续存在。此外，81%的毛利率指引已考虑HBM4产能增长因素。在当前毛利率水平下，价格的小幅上调对毛利率的边际拉动会有所减弱。

Q：首份五年期战略客户协议（SCA）与此前长期协议（LTA）有何区别？是否涉及价格锁定及周期下行保护条款？

A：SCA为多年期协议，而LTA通常为一年期协议。当前行业供应前景极度紧张，且在可预见未来仍将持续，客户为了提升业务规划的确定性，倾向于签订此类长期结构性协议。SCA能够为公司商业模式带来更高的稳定性和可预见性，同时也帮助客户基于供应承诺开展业务规划。该类协议覆盖供应紧张阶段及未来可能的周期变化阶段，属于长期安排，并包含完善条款。

Q：在当前供需紧张背景下，公司如何在AI、PC、智能手机等终端之间进行产能分配？客户需求分配方面能否平衡？

A：目前行业整体供应极度紧张，所有终端市场均存在供给不足，各个终端市场的需求趋势都很强劲。虽然，价格敏感型市场可能会因为价格上涨而导致一些需求受到影响。但这些市场的总体需求也保持相当强劲。公司一贯的目标和战略是成为各终端市场的多元化供应商。数据中心在行业TAM中占据越来越大的份额，因此自然有更大比例的供应流向该领域。这也是行业以及美光业绩增长的主要动力。但市场的其他部分对公司也很重要，比如个人电脑，比如智能手机、汽车，当然还有工业，公司希望终端市场保持这种多元化的产品组合。无论是在数据中心还是在智能手机或PC等消费者市场部分，AI趋势都在继续推动对内存容量越来越大的需求。在这个供应紧张的环境下，客户正在努力管理其产品的组合。但总的来说，公司与各个终端市场的客户都有着非常紧密的合作。

Q：此前公司表示部分客户只能获得约70%的供应，目前是否仍是这一水平？与三个月前相比，客户需求满足情况是否有所变化？

A：公司在上一次财报电话会议中提到，对于部分主要客户，在中期内仅能满足其约50%至三分之二的需求。目前这一情况并未发生变化，整体供给仍然维持在该区间水平。

Q：在行业周期下行阶段，SCA是否包含相关机制，以限制公司毛利率下滑至某一水平？

A：出于协议的保密性，公司不便披露SCA的具体条款。目前公司已完成一项SCA，并正与多家客户进行进一步讨论；待相关协议达成后，将在适当时机披露更多信息。可以明确的是，SCA为多年期协议，包含具体承诺条款，属于较为稳健、强有力的协议安排。其核心目的在于提升公司商业模式的可预见性和稳定性。除此之外，暂无法提供更多细节。

Q：公司本财年预计将产生350–400亿美元自由现金流，年末现金或超过500亿美元。未来现金将如何使用？是否会为周期下行预留资金进行股票回购？此外，《芯片法案》对回购存在限制，公司是否有可能重新协商相关限制？

A：公司对当前业务表现及资产负债表的改善感到非常满意。第二季度实现了创纪录的净现金和自由现金流，自由现金流较上一季度纪录增长77%。结合第三季度指引及资本支出计划，预计现金流环比将大致翻倍。公司将继续强化资产负债表，提升净现金水平，并持续偿还债务。本季度公司获得两次信用评级上调，目前已达到稳固的BBB评级，整体财务状况进一步增强。同时，公司也在持续增加资本支出及研发投入，以推动技术进步并扩大高附加值存储产品的产能布局。

Q：公司从具有约束力的LTA演进至SCA，目前正在洽谈的客户范围如何？是否仅限于超大规模云厂商？此外，这类协议是否与未来资本支出挂钩，或定价与投资回报率相关？

A：公司已签署的首份SCA是与一家大型客户达成的。该类协议的核心在于，使公司能够基于更高的确定性，对未来供应计划进行投资，同时通过具体条款提升对整体需求的可见性，从而保障业务模式及收入流的稳定性。除上述信息外，公司不便进一步评论SCA的具体细节。可以补充的是，目前公司正与多家客户就SCA进行洽谈，且这些客户覆盖多个终端市场。

Q：此前公司指引HBM市场复合年增长率约40%，对应今年市场规模约500亿美元，该预期是否有所调整？在当前非HBM产品利润率更高的情况下，是否看到行业将产能从HBM转向DDR5的趋势？

A：目前非HBM产品的利润率确实高于HBM产品，但HBM需求依然保持强劲。公司尚未更新此前关于HBM市场规模及增长前景的指引。随着数据中心人工智能需求的持续增长，DDR5、LPDRAM以及HBM的需求均保持强劲。公司将持续优化产品组合，在数据中心与其他关键终端市场之间保持平衡，同时确保在各细分市场中的竞争力。总体来看，在从数据中心到边缘侧的人工智能需求持续扩张的背景下，公司全线产品组合均具备较强的增长机会。

Q：公司企业级SSD业务在闪存业务中的占比已接近50%，且近期实现显著环比增长。随着G9制程推进，企业级SSD是否具备持续增长空间？此外，公司如何看待HBF等新型存储形态，是否会加大相关研发投入？

A：数据中心SSD是未来增长非常强劲的领域，且数据中心在行业整体可寻址市场中的占比正在持续提升，因此公司将有更多供应资源向该领域倾斜，这也是推动行业及公司增长的核心动力。同时，公司仍高度重视终端市场的多元化布局，包括PC、智能手机、汽车及工业等领域，致力于在各终端市场维持均衡的产品组合。从整体来看，无论是在数据中心还是消费电子市场，人工智能趋势都在持续推动对更高内存容量的需求。在当前供给紧张的环境下，客户也在积极调整自身产品组合，公司则与各终端客户保持紧密合作以应对需求变化。

Q：针对HBM4，公司是否预计市场份额可以迅速达到20%–25%的目标区间，还是将逐步提升？在Vera Rubin平台周期中，公司扩大HBM份额的关键因素有哪些？

A：公司此前已披露，在去年第三自然季度已实现HBM市场份额目标，使其与公司约20%–25%的DRAM整体市场份额保持一致。公司对长期维持HBM领域的市场份额充满信心。展望未来，包括Vera Rubin平台及HBM4产品周期，公司核心目标仍是维持在行业整体TAM中的份额，并持续将HBM作为整体业务组合的一部分进行管理。需要说明的是，自2025年第三季度之后，公司将不再披露HBM的具体市场份额占比。但可以确认，公司对HBM产品的市场定位及整体表现非常满意，同时也对自身在业务组合管理方面的能力保持信心。

Q：公司当前81%的毛利率显著高于历史约60%的峰值。当前周期与历史相比有何不同？历史经验对未来几个季度毛利率走势有何启示？在供需极度紧张、毛利率高企的背景下，客户行为是否会发生变化？

A：公司不提供前瞻性指引。但需要重新审视的是，当前所处的行业环境与历史周期存在本质差异，人工智能已成为一个具有变革性的长期驱动力。人工智能对更高性能内存的需求持续增长，这不仅有助于降低token成本和能耗，还推动更复杂任务和应用的发展，从而进一步增加对内存的需求。因此，当前毛利率水平反映了市场对内存在人工智能商业化过程中价值显著提升的认知，这一趋势已从数据中心延伸至边缘端。与此同时，行业仍面临多方面的供给约束，包括库存水平较低、先进制程推进导致单位晶圆比特产出下降、HBM占比持续提升，以及新增产能需要新建晶圆厂、建设周期较长等物理限制。这些因素均具有持续性。公司正在从两方面应对：一是加大产能投资，二是增加研发投入，以推动技术进步并提升内存价值。公司认为，这些因素将对毛利率形成支撑。此外，客户也已认识到上述趋势，并通过签订长期协议来应对供需变化。

Q：在GTC和OFC会议上，市场对LPU架构及SRAM应用的讨论明显增加。随着越来越多工作负载开始依赖HBM之外的其他存储形式，公司如何看待存储市场的长期发展？此外，在当前大量需求来自数据中心且客户数量相对集中的情况下，公司在扩产时如何进行需求评估？是否基于对加速器市场的内部预测，或通过逐个客户沟通建立自下而上的需求模型，以避免未来出现供过于求？

A：首先，关于基于SRAM和LPU的架构，这些架构能够提升人工智能基础设施的效率。任何能够提高AI基础设施效率的技术，本质上都会促进整个AI市场的发展，有助于“把蛋糕做大”。需要指出的是，这类LPU架构并不是对现有内存技术的替代，而是与其协同工作。例如，Vera Rubin平台仍然需要大量HBM和DRAM；而基于LPU的架构（如NVIDIA Groq LPX），单个机架也需要配置约12TB的DDR5内存。总体来看，这些新架构通过更高效地处理工作负载，提升token处理效率、优化功耗，并推动AI推理能力的发展，从而进一步促进AI需求的规模化和加速落地。因此，公司将其视为对HBM和DRAM现有技术的补充，有助于扩大整体市场规模。

Q：多年期SCA是否部分源于GPU/XPU客户在下一代HBM架构中的定制化需求，从而要求更早、更长期的合作？例如基础裸片设计周期约12–18个月，需要双方共享IP并进行工艺协同优化，这是否推动客户在芯片设计早期即与公司合作，并成为推动SCA签订的重要因素？

A：公司不便披露SCA的具体细节或涉及的客户类型。但可以确认的是，SCA确实在整体上拉近了公司与客户之间的合作关系。

这种合作不仅体现在供应层面，也延伸至研发协同以及公司与客户之间的产品路线图规划，使双方合作更加紧密。从长期来看，SCA确实强化了整体的合作伙伴关系。

除此之外，公司不对SCA作进一步评论。可以补充的是，目前公司正与多家客户就SCA进行讨论，且覆盖多个终端市场。