在近日举办的英伟达GTC 2026大会上，英伟达CEO黄仁勋宣告AI已全面进入“推理时代”，并发布了包括Vera Rubin超级芯片、Groq 3 LPU（语言处理单元）、Feynman架构等在内的多项重磅成果。

AI浪潮汹涌澎湃，这离不开底层存储技术的强力支撑。本次大会上，高带宽内存HBM4、超级IOPS SSD以及闪存扩展技术等集体亮相，展现了存储大厂为满足AI极限需求而亮出的最新硬核实力。

英伟达的超级芯片与加速计算平台极度依赖海量数据的高速吞吐，而高带宽内存（HBM）正是打破“内存墙”、释放GPU潜能的关键。在AI全面迈入推理与大模型时代的背景下，HBM4凭借在带宽、容量和能效上的跨越式进步，已成为AI基础建设的引擎和各大厂商必争的战略高地。

在本届大会上，存储三巨头均秀出了其HBM尤其是HBM4的最新肌肉：

• 美光宣布其HBM4 36GB 12H产品已进入高量产阶段，专为英伟达Vera Rubin平台量身打造。该产品单栈带宽突破2.8 TB/s，比前代HBM3E提升2.3倍，同时功耗效率提升超20%。此外，美光还展示了领先业界的16层芯片堆叠封装技术，已向客户送样HBM4 48GB 16H样品，使单颗HBM芯片容量大幅提升33%。

• SK海力士以“聚焦AI存储器”为主题设立展区，宣布其HBM4样本已优化交付给英伟达。该产品凭借2048 I/O接口，带来前代2.54倍的超高带宽，且功耗效率提升超过40%。同时，SOCAMM2与12层HBM3E也同步亮相，完美匹配英伟达最新AI系统。

• 三星首次公开了HBM4E物理芯片与核心晶圆，这款基于1c DRAM工艺与4nm基底设计的产品，单pin速度达16Gbps，带宽飙升至4.0 TB/s，该产品的样品预计将于2026年中期出货。

除了HBM，英伟达的AI系统同样高度依赖闪存技术来实现数据的持久化存储与高速加载。特别是随着英伟达“Storage-Next”计划的推进，高性能SSD与新一代主控技术在支持GPU直接访问闪存、扩展高带宽内存容量、提升系统整体效能方面，正发挥着不可替代的作用。

针对这一需求，相关存储和主控厂商均展现了其深度布局：

• 美光同步量产了行业首款基于PCIe 6.0标准打造的数据中心SSD——Micron 9650。该产品读取性能较第五代翻倍，每瓦性能提升100%，专为英伟达BlueField-4 STX架构的agentic AI工作负载优化。美光也借此成为了首家为Vera Rubin平台同步量产HBM4、SOCAMM2、PCIe 6.0 SSD三大核心产品的供应商。

  
  

• 铠侠带来了专为英伟达Storage-Next架构设计的GP系列Super High IOPS SSD，样品预计于2026年底交付。该产品支持GPU直接访问铠侠低延迟的XL-FLASH存储级内存，作为HBM的容量扩展利器，能够实现512字节细粒度访问，且每次IO操作功耗更低，其模拟器更是突破了1亿IOPS大关。同时，铠侠表示拥有25.6TB容量的CM9系列PCIe 5.0固态硬盘样品也将于2026年Q3出货，为大规模推理环境提供性能与耐久度支撑。

• 群联则发布了革命性的“aiDAPTIV多层级存储器架构技术”，能够将企业级Pascari SSD转化为全新的“AI存储器层级”，在GPU内存、系统RAM与NAND闪存之间智能调度，这使得本地边缘AI系统能够在不扩增现有GPU硬件的前提下，顺利执行大型AI模型推理与微调，打破了传统内存管理机制的局限，大幅提升了AI基础设施的投资效率。

通过上述厂商在GTC大会上的动态，我们可以看到，AI时代存储产业未来发展道路似乎日渐清晰：

存储器不再是孤立发展的标准配件，而是从设计之初就必须与英伟达等头部算力平台深度绑定、同步扩展，确保存储效能完美适配下一代AI工作负载。

与此同时，HBM技术向着极高堆叠、更宽接口与先进制程演进。从HBM4的12层、16层堆叠，到更宽的2048 I/O接口，再到下一代HBM4E的惊人带宽，存储密度与能效的翻倍将是支撑未来超级芯片的关键底座。

除此之外，面对高昂且容量受限的GPU HBM内存，利用极速SSD（如PCIe 6.0、超高IOPS产品）结合智能主控技术，构建从HBM到SSD的智能分层与容量扩展，正成为破解AI大模型“内存容量焦虑”的高效且低成本的破局之道。